Wiki Drift Audit — 2026-04-27
自动生成于 2026-04-27 04:34 by
scripts/audit.py每周一 BJT 09:00 由.github/workflows/audit.yml触发
概览
| 检查项 | 数量 | 状态 |
|---|---|---|
| 陈旧页面（Updated > 90 天） | 0 | 🟢 |
| 损坏的 cross-reference 链接 | 0 | 🟢 |
| 孤立页面（未被引用） | 0 | 🟢 |
| SRS 逾期（> 7 天） | 80 | 🔴 |
| 健康检查失败页面 | 0 | 🟢 |
| Phase-1 未深 ingest 页面 | 15 | 🔴 |
| 引用覆盖不足（< 2 源） | 47 | 🔴 |
总体状态：🟡 142 个问题待处理
1. 陈旧页面
🟢 无陈旧页面——所有页面在近 90 天内有更新。
2. 损坏的 cross-reference 链接
🟢 无损坏链接——所有 topic-xxx.md 引用都指向存在的文件。
3. 孤立页面
🟢 无孤立页面——所有页面都被 index.md 或其他页面引用。
4. SRS 逾期题目
以下题目逾期超过 7 天未复习（可能是用户没跑 daily 或者答题没反馈）：
| ID | 页面 | 问题（截断） | 逾期天数 | Box |
|---|---|---|---|---|
| 0 | MOSFET 技术 | 功率 MOSFET 设计的核心矛盾是什么？ | 8 | 1 |
| 1 | MOSFET 技术 | Miller 平台的物理本质是什么？ | 8 | 1 |
| 2 | MOSFET 技术 | L_s（源极寄生电感）为什么是双刃剑？ | 8 | 1 |
| 3 | MOSFET 技术 | Spirito 效应是什么？为什么 MOSFET 线性应用比导通区更危险？ | 8 | 1 |
| 4 | MOSFET 技术 | 如何从手册 E_on/E_off 外推到实际工况？ | 8 | 1 |
| 5 | 栅极驱动（Gate Driver） | 栅极驱动设计的三个核心矛盾是什么？ | 8 | 1 |
| 6 | 栅极驱动（Gate Driver） | 为什么 SiC MOSFET 必须用 −5V 关断 + 有源 Miller 箝位？ | 8 | 1 |
| 7 | 栅极驱动（Gate Driver） | 数字隔离器为什么比光耦快 30~50 倍？ | 8 | 1 |
| 8 | 栅极驱动（Gate Driver） | DESAT 保护的 blanking time 为什么对 SiC 特别难设计？ | 8 | 1 |
| 9 | 栅极驱动（Gate Driver） | 三段式驱动为什么能兼顾速度和 EMI？ | 8 | 1 |
| 10 | SiC 器件（Silicon Carbide Devices） | Baliga 品质因数为什么让 SiC 比 Si 好 3000 倍？ | 8 | 1 |
| 11 | SiC 器件（Silicon Carbide Devices） | SiC MOSFET 的沟道迁移率为什么只有体迁移率的 1~3%？ | 8 | 1 |
| 12 | SiC 器件（Silicon Carbide Devices） | SiC 体二极管 BPD 退化的物理机制是什么？ | 8 | 1 |
| 13 | SiC 器件（Silicon Carbide Devices） | SiC 短路耐量（SCWT）为什么比 IGBT 短得多？ | 8 | 1 |
| 14 | SiC 器件（Silicon Carbide Devices） | 测试 SiC 开关波形需要什么特殊硬件？ | 8 | 1 |
| 15 | IGBT 技术 | IGBT 的核心矛盾是什么？ | 8 | 1 |
| 16 | IGBT 技术 | 电流拖尾占 E_off 多少？为什么 IGBT 频率上限 ~30 kHz？ | 8 | 1 |
| 17 | IGBT 技术 | FS-IGBT 相比 PT 和 NPT 好在哪？ | 8 | 1 |
| 18 | IGBT 技术 | FWD 的 E_rr 占三相逆变器损耗多少？为什么是 SiC SBD 替换的动机？ | 8 | 1 |
| 19 | IGBT 技术 | 混合开关（Si IGBT + SiC MOSFET）如何分工？ | 8 | 1 |
| ... | ... | 另有 60 条未列出 |
5. 健康检查
🟢 所有页面通过健康检查（LaTeX、[X](X.md)、本质块、核心要点、Cross-references 全部到位）。
[X](X.md)、本质块、核心要点、Cross-references 全部到位）。5. Phase-1 未深 ingest 页面
以下页面 frontmatter 仍挂 sources: Phase 1 批量 INGEST，建议按上下文 trigger source pipeline 深度 ingest：
| 页面 | 距上次 Updated |
|---|---|
| ADC 与混合信号设计 | 19 天 |
| 电路仿真工具（Circuit Simulation） | 19 天 |
| EMC 与绝缘配合 | 19 天 |
| FPGA 与数字设计 | 19 天 |
| 功能安全（Functional Safety） | 19 天 |
| 栅极驱动（Gate Driver） | 19 天 |
| IGBT 技术 | 19 天 |
| MOSFET 技术 | 19 天 |
| 运算放大器与模拟设计（Op-Amp & Analog Design） | 19 天 |
| 功率电子学（Power Electronics） | 19 天 |
| 电源设计（Power Supply & LDO/Charge Pump） | 19 天 |
| 保护器件（TVS / ESD / 过压保护） | 19 天 |
| 半导体器件物理 | 19 天 |
| SiC 器件（Silicon Carbide Devices） | 19 天 |
| 热管理（Thermal Management） | 19 天 |
6. 引用覆盖不足（< 2 条 （源：...））
（源：...））以下页面缺少 source 引用锚点，考虑加深 ingest：
建议行动
- 运行
review处理 80 条 SRS 逾期 - 触发 source pipeline 对 15 个 Phase-1 页深度 ingest
- 给 47 个低引用页补 source 引用