HV 电压采样的功能安全诊断(Voltage Sensing Diagnostics)

功能安全L4别名 电压采样诊断 · voltage sensing diagnostics · HV bus 电压安全 · Vdc 诊断 · Vdc plausibility · HV voltage divider safety · 隔离运放冗余

本质与导读

本质 电压采样错和电流采样错不同:电流错只是算错扭矩,电压错会直接把整车推入物理危险——HV 过压、电池过充/过放、ASC 误触发、放电没完成就开盖触电。所以电压采样诊断除了保 control loop,还必须兜住 HV 安全与维修触电这类 ASIL C/D Safety Goal,这正是它比电流链更需要隔离侧与非隔离侧双独立冗余的原因。

主线坐标:横轨 · 功能安全(跨站) · ↑ 全景主线

1. 因果链——电压错为什么比电流错更可怕

电流错会让控制器算错扭矩,影响在驱动级;电压错会让整车的物理状态进入危险区,影响范围跨控制 + 高压 + 维修三个面。下表对比电流 vs 电压错误的下游影响——电压链的 Hazard 类型更多,所以诊断要求更全面。

错误源直接后果Hazard典型 ASIL
Iq 错(电流采样错)错误扭矩输出UT / LoTC ~ D
Vdc 实际过高未被检测DC 母线电容击穿、SiC over-Vds、电池过充HV 失控 / 起火C ~ D
Vdc 实际过低未被检测中速 ASC 失效(短路电流不收敛)、欠压关栅失败HV 危害 + UTC
Vdc 读数虚高(实际正常)误判过压触发 ASC,整车失去动力LoT 在高速B ~ C
Vdc 读数虚低(实际正常)modulation depth 算高 → 过调制 → 电流尖峰 → 炸管UT / 起火C ~ D
Vdc 读数 frozen放电后控制器以为还在 HV → 误触发;或维修开盖时实际 HV 仍存在触电C ~ D
Vphase 估算错(sensorless / dead-time comp)FOC 闭环抖动、扭矩纹波一般 QM ~ B
Vaux 漂(12V / Vref)ADC 全链增益错间接 UT看场景
关键认知:Vdc 错既可能让 con…

关键认知:Vdc 错既可能让 control 出问题,也可能让 HV 系统误判"安全"导致维修触电——所以 Vdc 诊断必须同时满足 control loop 时效(µs 级)和 HV 维修流程时效(s 级)两套需求。

Vdc fault 跨控制 / HV / 维修 / ASC 四面 hazard


2. ISO 26262 与 HV 法规依据

电压采样诊断的依据比电流多一层 —— 除 ISO 26262 外,还要满足 UN R100 / ISO 6469-3 对 HV 残压和绝缘的强制要求。两套依据要分清"管什么"。

标准位置内容用途
ISO 26262-5 Annex Drange / plausibility / 比较 / BIST 等 SM 与 DC 表同电流采样,FMEDA 套用
ISO 26262-5 §8 + §9SPFM / LFM / PMHFASIL D ≥ 99% / ≥ 90% / < 10 FIT
ISO 26262-11 §5.3 (半导体)ADC + 隔离器件诊断例隔离运放 + ADC 自检
UN R100 §5.1.4 / ISO 6469-3维修人员触电防护碰撞 / 上电 5 s 内残压 ≤ 60 V(直接电压判据)
ISO 6469-3 §6.2绝缘监测、双重绝缘、HVILIMD / HVIL 配套要求
UN R100 Annex 8主动放电 + 手动放电流程Active discharge 时序+ Vdc 监测
电流采样诊断错了一般"只是" UT;…

电流采样诊断错了一般"只是" UT;电压采样诊断错了可能直接违反 UN R100 强制残压条款——这是不可豁免的法规罚则。


3. 失效模式 vs SM 覆盖矩阵

HV 电压采样链 = HV 分压电阻 → 隔离运放(iso-amp,如 AMC1300 / ACPL-C87B)→ 模拟滤波 → ADC → DSP。由于强制电气隔离,链路比电流采样更复杂,fault model 更多,至少 10 类。

#Fault model物理原因主要 SMDC 等级
1分压电阻断 / 短电阻烧毁、PCB 焊裂、机械振动Range check + 启动自检High
2隔离运放隔离层击穿老化 / 过压 / 共模冲击双独立 iso-amp 冗余High
3iso-amp offset / gain 漂温漂、CMTI 退化Plausibility + 启动自检Medium
4iso-amp 输出 stuck内部失效、Vcc 失常Range + frozen 检测Medium
5ADC stuck-at / drift同电流链Range + ADC ABISTMedium
6Vref 漂老化Vref monitor + 双 ADCMedium~High
7Frozen valueDMA / trigger 卡Time-monitoringMedium
8共模噪声(PWM 耦合)iso-amp CMTI 不够滤波 + plausibilityLow~Med
9极性 / 标定错量产装错、EOL 校准漂启动自检 + 接触器闭合时 jump 校验Medium
10Common cause(一颗 die 全瘫)iso-amp + ADC 共用 die / 电源双独立通道 + DFAHigh

HV 电压采样链 6 节点 + 10 类 fault 分布


4. Range Check(HV 过欠压门槛)

Range check 在 HV 链有多重门槛——不只是 ADC out-of-rail,还要按 HV 系统的 4 个工作区段切阈值。每个区段的反应也不同。

阈值典型值(800 V 系统)反应
HV out-of-rail(ADC ≈ 0 或 ≈ Vref)< 5 V 或 > 1000 V立即 fail-safe,分压电阻或 iso-amp 断
OVP hard trip> 920 V立刻 ASC + 报 OV DTC
OVP warning> 880 V限功率,连续 N 次报 DTC
UVP warning< 600 V降功率
UVP hard trip< 500 Vfreewheel + 报 UV DTC
Discharge target< 60 V (UN R100)放电完成确认

4.1 阈值的依据

OVP 上限不是器件 datasheet 的 Vds_max,而要预留关栅瞬间的 di/dt × ESL 尖峰,所以 trip 通常 ≤ 0.85 × Vds_max。UVP 下限要保证 ASC 短路电流可以建立——低于一定 Vdc 后 ASC 进入"放电不收敛"状态,反而更危险。

4.2 阈值不能只看 ADC count

Range check 必须做在物理电压上(已乘分压比),不要在 ADC raw count 上设。原因:分压比标定漂移会让"raw count 在 range 内但实际电压超限",这个组合最危险。


5. 系统级 Plausibility——Vdc 必须和系统状态自洽

电压链最强的 SM 不是单点检查,而是 Vdc 与系统其它状态的联立约束——这是电压采样诊断比电流采样多出来的一层

5.1 Vdc vs 接触器状态

接触器是 HV 上下电的物理开关,Vdc 必须跟接触器状态严格对应。任何不一致都是硬故障。

接触器状态期望 Vdc异常组合含义
关 + 已放电< 60 VVdc > 60 V放电失败 / Vdc 读数 frozen
关 + 未放电(刚关)缓慢下降至 < 60 V不下降放电电路失效或读数 frozen
闭合(pre-charge 后)≈ V_battery ± 5%偏差大分压标定漂 / iso-amp 增益错
Pre-charge 中RC 充电曲线不符曲线pre-charge 电阻烧 / Vdc 读数错

5.2 Vdc vs 充电 / 放电模型

工程上把"Vdc 与时间的关系"做成期望模型,实测值偏离模型超阈值就报 fault。这是 D.2.4 plausibility 在系统级的应用。

系统状态机 + 期望 V(t) 模型 vs 实测 Vdc 的 plausibility 比较

5.3 Vdc vs PWM × duty(重构 Vphase 反推)

在不直接装相电压传感器的设计里,可以用 PWM 占空比 × Vdc 反推三相平均相电压,再和电机方程算出来的反电动势对比——一致说明 Vdc 测得对,不一致说明 Vdc 漂或 PWM 链有问题。这是 ASIL D 主驱常用的"无相电压传感器"plausibility。

5.4 Vdc vs 电池 BMS 报上来的电压

整车 CAN 上 BMS 周期性广播 V_battery,逆变器把自己的 Vdc 和 BMS 的 Vbat 比较——一致说明读数都对,差异大说明至少一方在漂。这是跨 ECU 冗余,DC 很高,但要靠 CAN E2E 保护数据完整性(详见 安全机制目录 §6)。


6. 时间域诊断(Frozen Vdc 是触电直接原因)

Vdc frozen 是电压链最危险的 fault——放电完成后控制器以为还在 HV 不开放维修是浪费时间;反过来 HV 实际还在但读数显示已放电,直接通往维修触电事故。所以 Vdc frozen 检测必须做且 DC 要高。

6.1 三种 Frozen 检测策略

这一节先把“三种 Frozen 检测策略”的判断维度收拢到同一视图里,后面的表格用于横向比较各选项的边界。

方法实现适用
Sample counterADC 计数 + 慢任务校验必有
Variance windowVdc 长时间方差注意 standstill 时电池电压真的稳 → 用其它 SM 兜
Active perturbation接触器关 + 放电期间 Vdc 必须下降放电流程内置自检
Cross-check 双独立通道主 + 安全两路 ADC 读数偏差监控DC ≥ 99%

6.2 放电流程是免费的 frozen 自检

每次下电触发主动放电,Vdc 必然按 RC 曲线下降到 < 60 V。如果实测不下降或下降曲线异常,说明分压链断、iso-amp 卡死或 ADC 卡死——这是天赐的 active perturbation 自检窗口,必用。

Active discharge 期间 Vdc 曲线匹配 = 免费 frozen 自检


7. ADC 自检 + 隔离运放自检

7.1 ADC 侧

ADC 自检和电流链一致,参考 电流采样诊断 §8:启动 BIST、运行 BIST、Vref 监控、双独立 ADC 比较。FMEDA 直接引 MCU safety manual

7.2 隔离运放(iso-amp)侧

iso-amp 是电压链特有的关键器件,自检手段:

SM实现覆盖
内置零点 / 满量程参考高级 iso-amp(AMC1311-Q1)输出端有 self-test mode pin,注入已知信号整链增益 / offset
CMTI 监控iso-amp 自带共模事件计数器CMTI 退化
断线检测输入端弱上拉 / 下拉,断线时输出固定一次侧分压断
双独立 iso-amp两颗不同 vendor / 不同隔离技术(电容 vs 磁)Common cause 失效

7.3 双独立通道是 ASIL D 的硬要求

Vdc 在主驱和 BMS 都至少有两路独立测量是行业事实标准——control 通道 + safety 通道

  • Control 通道:高带宽(100+ kHz),用于 modulation 和过流保护协同
  • Safety 通道:中带宽(1~10 kHz),用于 OV/UV 监控、放电完成判定,独立电源 + 独立 ADC + 独立 MCU pin

两路读数偏差超阈值(> 2%)报硬故障。这是 D.2.10.4 input comparison 的典型实施。


8. 启动 / 上下电时序中的诊断

电压链有很多只能在特定时序窗口做的诊断,不能在运行中做。下表把这些窗口整理出来。

时序窗口自检项期望
冷上电(接触器全关)Vdc ≈ 0 ± offset分压链 + iso-amp offset 标定
Pre-chargeVdc 按 RC 曲线上升分压链增益、pre-charge 电路
接触器主合闸Vdc 跳变到 V_battery分压标定准确性、跨 ECU 一致性
稳态运行Vdc 缓慢漂移 ≤ 5%/miniso-amp 增益漂
接触器主断开 + active dischargeVdc 按 RC 下降 < 60 V in T放电电路 + 分压链 frozen 自检
接触器全关 + 放电完成Vdc < 60 V 维持维修通行证

每个窗口都是一次免费 SM——不利用这些窗口就是浪费 DC


9. 与 HVIL / IMD / Active Discharge 的协同

电压采样不是孤岛——它是 HV 安全闭环里的"传感层",和 HVIL(互锁)、IMD(绝缘监测)、active discharge(主动放电)配合才完整。

系统角色与电压采样的关系
HVIL监测高压连接器是否完整HVIL 断 → Vdc 必须立刻 < 60 V,否则触电;用电压采样验证 HVIL 触发后的放电
IMD监测 HV+/HV- 对底盘绝缘IMD 异常时 Vdc 读数可能受漏电流污染 → plausibility 要联立
Active discharge触发后必须 < 5 s 把 Vdc 降到 60 V 以下Vdc 是放电完成的唯一判据,没有 Vdc 就没有"安全"信号
Pyro fuse物理切断,电池侧仍有电切断后 inverter 侧 Vdc 必须看到下降

这层联立约束的本质就是 plausibility 在系统级的极致 —— 详见 HV 安全


10. FTTI 反应链

电压链有两套不同时效的反应——control loop 内的反应(µs 级)和 HV 系统级反应(s 级)。

反应类型FTTI对应 faultSafe state
OVP hard trip< 100 µs(瞬时过压会击穿器件)Vdc > OVP_trip立即关 PWM + ASC(看转速)
UVP(control 侧)< 1 msVdc < UVP_tripfreewheel
Vdc plausibility 失效< 50 ms读数不自洽限功率 + 报 DTC,可能进 limp home
Discharge timeout5 s(UN R100 强制)放电后 Vdc 仍 > 60 V拒绝维修信号,报严重故障
Frozen Vdc< 100 ms长时间未更新同 plausibility 失效
OVP 反应必须是纯硬件链——单独的…

OVP 反应必须是纯硬件链——单独的 comparator 直接拉 STO,不经 MCU 软件路径,因为软件 ISR 不一定能在 100 µs 内完成。


11. FMEDA 简化实例

下面是一个 ASIL D 主驱 Vdc 采样链的 FMEDA 骨架,演示数字怎么落。

Element: HV Vdc 采样链(HV 分压 + 双 AMC1311 iso-amp + 双 ADC, 一控一保)
Total FIT = 40
其中 safety-related FIT = 38
Fault groupFITSMDCresidual FIT
分压电阻 short / open6Range + 启动自检 + plausibility99%0.06
iso-amp 隔离击穿5双独立 iso-amp + DFA99%0.05
iso-amp 漂 / stuck8双 ch 比较 + plausibility99%0.08
ADC stuck / drift6Range + ABIST90%0.6
Vref drift3Vref monitor95%0.15
Frozen value4Time + 放电期间 active perturbation99%0.04
标定 / 极性2启动 + 接触器合闸时跳变校验95%0.1
Common cause4双独立电源 / 时钟 / die + DFA99%0.04

差点到 ASIL D 99%。提升办法:

  • ADC ABIST + 运行 BIST 升到 99%(用 datasheet 数字)
  • 加 BMS CAN 上的 V_battery 跨 ECU 比较
  • ASIL decomposition (D = B(D)+B(D)),把要求摊到 control 通道和 safety 通道

12. 安全反模式与横向对比

电压采样诊断最常踩的 5 个反模式——这些坑在量产 OBC / 主驱中反复出现,识别它们比堆 SM 更重要。

反模式表现修法
只在 ADC raw count 上做 range分压标定漂移导致"读数在 range 内但实际过压"range check 必须在物理电压上做
双通道共用一颗 iso-amp隔离击穿是 common cause,"冗余"形同虚设两颗不同 vendor / 不同技术(电容 + 磁)
依赖单一 Vdc 判定放电完成Vdc 读数 frozen 时直接放维修信号 → 触电必须双独立通道一致 + 时间窗口监控
Plausibility 无接触器状态分支接触器关时 Vdc < 60 V 报"UV 故障"plausibility 要按系统状态机切阈值
OVP 走纯软件路径ISR 抖动让 100 µs FTTI 兜不住OVP 必须独立硬件 comparator + STO 直拉

12.1 电流 vs 电压采样诊断对比表

把两条诊断链并排放在一起看,规律就清楚了——电流抓控制层 fault,电压抓控制 + HV + 维修三层 fault

维度电流采样诊断电压采样诊断
Hazard 范围UT / LoTUT / LoT + HV 失控 + 触电
物理冗余 SMKCL sum-to-zero接触器状态 / 充放电曲线 / BMS Vbat 跨 ECU
隔离要求一般非隔离(共地 shunt必须强制隔离
主要器件shunt + CSA + ADCHV 分压 + iso-amp + ADC
自带的免费 SM 窗口静止时 Iph ≈ 0 校零上电 + pre-charge + 放电三段曲线
FTTI10 ~ 50 ms(traction)100 µs(OVP 硬反应)~ 5 s(放电完成)
法规约束ISO 26262+ UN R100 / ISO 6469-3 强制残压条款

核心要点

  • 电压错的危险面比电流大 —— 控制 + HV + 维修三层 hazard,所以诊断更全面
  • 依据:ISO 26262 同电流,外加 UN R100 §5.1.4 / ISO 6469-3 强制残压判据
  • 系统级 plausibility 是电压链最强 SM —— Vdc 必须和接触器状态、充放电曲线、PWM × duty、BMS Vbat 全部自洽
  • Frozen Vdc 是触电直接原因 —— 必须双独立通道 + 放电期间 active perturbation 自检
  • 强制电气隔离让链路比电流更复杂,双独立 iso-amp(不同 vendor / 不同技术) 是 ASIL D 标配
  • 三段免费 SM 窗口:冷上电 offset 校准、pre-charge 增益验证、active discharge frozen 自检——必用
  • OVP 必须硬件路径:100 µs FTTI 软件 ISR 不可靠,独立 comparator + STO 直拉
  • 与 HVIL / IMD / active discharge / pyro fuse 联立形成 HV 安全闭环,电压采样是其中"传感层"
  • 5 反模式戒除:range 在 raw count 上 / 双通道共用 iso-amp / 单点判放电完成 / plausibility 不分系统状态 / OVP 走软件

Engineering Objects

引用此页的结构化 Engineeri…

引用此页的结构化 Engineering Object(v2.0 Copilot 自动生成,不要手动编辑此段)。

  • diagnostic · diagnostic_voltage_sensing — HV Voltage Sensing Diagnostic

Cross-references