每日学习卡片 — 2026-04-10
自动生成 | 来自 wiki/srs 间隔复习系统
📝 今日复习题（回忆练习）
题 1（来自 半导体器件物理）
MOSFET 的阈值电压 Vth 由哪几项构成？哪些可以通过工艺调整？
💡 提示：翻到 wiki/pages/topic-semiconductor-physics.md 查找答案
复习后请回答：答对 / 答错，更新 SRS 进度题 2（来自 EMC 与绝缘配合）
开关电源的共模 EMI 是如何产生的？Y 电容应该接哪个点才能有效抑制共模电流？
💡 提示：翻到 wiki/pages/topic-emc-insulation.md 查找答案
复习后请回答：答对 / 答错，更新 SRS 进度题 3（来自 栅极驱动（Gate Driver））
三段式驱动中，第二段（Miller 平台期）放慢速度的目的是什么？对损耗有什么影响？
💡 提示：翻到 wiki/pages/topic-gate-driver.md 查找答案
复习后请回答：答对 / 答错，更新 SRS 进度🎯 今日核心要点（快速回顾）
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功能安全（Functional Safety）：研究表明：44% 的危险失效源自规范（需求）阶段，强调功能安全必须从概念设计阶段就介入，HARA 是起点
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电路仿真工具（Circuit Simulation）：功率 MOSFET 优先使用厂商提供的行为模型：包含精确的非线性 C-V 特性、体二极管和温度相关性，比 Level 1～3 更准确
📊 学习统计
- 待复习题目：85 题 + 64 核心要点
- 总知识点：149 个
- Box 1（新/待复习）：149 个
- Box 5（长期记忆）：0 个