每日学习卡片 — 2026-04-12

$E_{on}$,actual = $E_{on}$,datasheet × ($V_{CC}$/$V_{CC}$,test) × ($I_C$/$I_C$,test) × f($T_j$, $R_G$)。四个缩放因子：(1) $V_{CC}$ 线性（母线翻倍，损耗翻倍）；(2) $I_C$ 近似线性（电流翻倍，重叠区翻倍）；(3) f($T_j$) —— MOSFET 从 25°C 到 150°C 约 +20～40%，IGBT 约 +50～100%；(4) f($R_G$) 近似线性，但 $R_G$,int 不能忽略，必须按 ($R_G$,ext+$R_G$,int)/($R_G$,test+$R_G$,int) 修正。SiC 的 $R_G$,int 可达 5～10 Ω。

.step 参数扫描 + .meas 自动测量是 LTspice 的自动化利器。例子：扫描 Buck 的栅极电阻 $R_G$ = 5/10/22/47 Ω，对比效率。.step param Rg list 5 10 22 47 指示 LTspice 运行 4 次仿真，每次用不同的 Rg 值。.meas TRAN Pin AVG -V(vin)*I(Vin) FROM 90u TO 100u、.meas TRAN Pout AVG V(vout)I(Rload) FROM 90u TO 100u、.meas TRAN Eff param (100Pout/Pin) 在每次仿真完自动计算效率。一次运行得到 4 条效率曲线，可视化对比选择最佳 $R_G$。结合 PyLTspice（Python 接口）可以做更复杂的自动化：批量修改网表、运行 Monte Carlo、Python 读 .raw 文件后处理。非常适合参数优化和良率分析。

机制完全不同：雪崩是载流子在强场下被加速碰撞电离产生新载流子倍增，发生在低掺杂（宽耗尽区）；齐纳是量子隧穿，电子直接穿过薄势垒，发生在高掺杂（窄耗尽区）。特点：雪崩 BV > 6V 为主，有正温度系数——温度升高晶格散射加强，载流子更难获得临界能量，BV 略升高，所以雪崩是自限流的（热点被压制）；齐纳 BV < 6V 为主，负温度系数。工程含义：功率器件的 $B{V}_{DSS}$ 几乎都是雪崩击穿，这就是为什么 MOSFET 在雪崩状态下也能短时承受大能量（EAS），不会立即炸（虽然不推荐）。