每日复习 — 2026-05-01

1. 如何从手册 E_on/E_off 外推到实际工况？

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来自 MOSFET 技术

E_on,actual = E_on,datasheet × (V_CC/V_CC,test) × (I_C/I_C,test) × f(T_j, R_G)。四个缩放因子：(1) V_CC 线性（母线翻倍，损耗翻倍）；(2) I_C 近似线性（电流翻倍，重叠区翻倍）；(3) f(T_j) —— MOSFET 从 25°C 到 150°C 约 +2040%，IGBT 约 +50100%；(4) f(R_G) 近似线性，但 R_G,int 不能忽略，必须按 (R_G,ext+R_G,int)/(R_G,test+R_G,int) 修正。SiC 的 R_G,int 可达 5~10 Ω。

2. 为什么 Bessel 滤波器对时域波形保真？

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来自 运算放大器与模拟设计

Bessel 滤波器的特点是线性相位——所有频率分量被延迟相同的时间（恒定群延迟），时域波形形状不变只是整体延后。方波由无穷多正弦分量组成，Butterworth 等滤波器对不同频率延迟不同 → 各分量在时间上错开 → 方波上升沿出现过冲和振铃；Bessel 对所有频率延迟相同 → 方波只是圆滑了一点，没有过冲。选 Bessel 的典型场景：采集方波或脉冲信号、数字通信接收端（保持眼图清晰）、音频瞬态保真。代价：过渡带比 Butterworth 缓慢，陡截止要求下不如 Chebyshev。选择标准：更在乎频域（Butterworth/Chebyshev）还是时域（Bessel）。

3. 三段式驱动为什么能兼顾速度和 EMI？

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来自 栅极驱动（Gate Driver）

单一 R_G 的矛盾：小 R_G 快（损耗低）但过冲和 EMI 大；大 R_G 反。三段式把关断分三阶段用不同 R_G：阶段1（V_GS 从高降到 Miller 平台，V_DS 未动）用小 R_G 快快快；阶段2（Miller 平台 + V_DS 上升段，dv/dt 主战场）用大 R_G 压 EMI；阶段3（I_D 下降段）用中等 R_G。典型 SiC 实测：固定 10Ω 的 dv/dt 25 kV/μs 过冲 250V；三段式 5/47/10Ω 的 dv/dt 8 kV/μs 过冲 95V，E_off 只增 50%。

ADC 与混合信号设计 — ADC 的三难困境是什么？四大架构如何分配？

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速度 × 精度 × 功耗——任何架构都必须牺牲其中一个。SAR（逐次逼近）：中速（0.15 MSPS）、中高精度（1218 bit）、低功耗，适合传感器和多通道低速高精度。Σ-Δ（Sigma-Delta）：慢（< 1 MSPS）、极高精度（1624 bit，靠过采样 + 噪声整形绕开电容匹配限制）、中功耗，适合音频、称重、精密仪器。Pipeline（流水线）：高速（10500 MSPS）、中精度（1016 bit）、高功耗，适合通信、雷达。Flash（全并行）：极快（> 1 GSPS）、低精度（68 bit，需要 2^n 个比较器）、极高功耗，只用于超高速雷达和 RF。没有全面最优的 ADC。

MOSFET 技术 — Spirito 效应是什么？为什么 MOSFET 线性应用比导通区更危险？

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Spirito 效应：在高 V_DS + 中等 I_D 的线性区，V_th 的负温度系数主导，温度反馈方向反转。芯片某处略微过热 → V_th 降低 → 同样 V_GS 下该处电流增大 → P=V_DS·I 增大 → 温度继续升高 → 正反馈热集中 → 热失控。与导通区 R_DS(on) 正温系数（电流自动均衡）相反，线性区是发散的。这就是为什么多个 MOSFET 并联做开关完全安全，并联做线性应用必须专门均流。