📰 技术文档 Feed — 2026-04-18 09:41

Power stage reference design for <100-VIN DC/DC converters

• 来源: ti-e2e-gate-driver-faq | 评分: 40

Silicon Carbide CoolSiC™ MOSFET modules

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🤖 AI 要点：英飞凌的 CoolSiC MOSFET 功率模块采用碳化硅技术，可通过不同的封装和拓扑结构实现更高的效率和功率密度。这些模块具有低开关损耗、本征体二极管和优异的栅极氧化层可靠性等特点，采用沟槽栅设计，并提供各种配置和封装，包括带预涂 TIM 和高性能氮化铝陶瓷的 EasyPACK。

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Silicon carbide CoolSiC™ MOSFETs bare dies

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🤖 AI 要点：英飞凌的 CoolSiC™ MOSFET 裸芯片专为汽车逆变器应用设计，通过提升工作温度和开关频率来提高系统效率和功率密度。该产品有 750V 和 1200V 两种电压等级，提供多种栅极布局和芯片尺寸选择，并具有优异的栅极氧化层可靠性和低开关损耗。

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Can I drive PMOS MOSFETs with TI's half-bridge gate drivers?

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🤖 AI 要点：TI的半桥栅极驱动器通常设计用于驱动NMOS，但可以通过一些配置（如使用电荷泵或自举电路）来驱动PMOS。驱动PMOS需要考虑电平转换问题，确保PMOS的栅极电压正确偏置。

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Automotive high voltage, high power motor driver reference design for HVAC compressor

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🤖 AI 要点：该参考设计面向汽车空调压缩机，提供高压、大功率电机驱动方案。资源包括软件和硬件设计，目标是加速相关产品的开发。

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High Efficiency, High Power Density Active Clamp Flyback Adapter with SJ FET Reference Design

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🤖 AI 要点：该参考设计展示了使用 UCC28780 和 UCC24612-2 实现的有源钳位反激式适配器方案，目标是高频、高功率密度应用。其输出为 9V/5A，满载效率可达 90%。

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什么是GaN功率器件（GaN HEMT）？

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什么叫SiC功率器件？

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🤖 AI 要点：SiC功率器件由碳化硅材料制成，其绝缘击穿场强和禁带宽度远高于硅，更适合制造高耐压、低导通电阻的功率器件，尤其适用于SBD和MOSFET。SiC 功率模块能显著降低开关损耗。

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什么是GaN功率器件（GaN HEMT）？

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🤖 AI 要点：GaN HEMT 是一种基于氮化镓（GaN）材料的高电子迁移率晶体管，相比传统硅器件，具有更低的导通损耗和更高的开关速度，从而能够提高功率转换效率并实现小型化。要充分发挥 GaN HEMT 的性能，需要搭配高速栅极驱动器和控制器 IC。

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什么是GaN功率器件?

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🤖 AI 要点：GaN功率器件(GaN HEMT)由于其低导通电阻和高速开关特性，在高频和中等耐压应用中越来越受欢迎，尤其是在通信基站、数据中心服务器电源和AC适配器等领域，能有效提升功率转换效率并实现小型化。罗姆还提供集成了GaN HEMT和栅极驱动器的Power Stage IC，进一步优化了GaN器件的性能。

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如何用好GaN功率器件

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🤖 AI 要点：一体化封装GaN HEMT和栅极驱动器IC的Power Stage IC，简化了GaN器件的使用，无需繁琐的驱动调整即可发挥GaN高速开关性能。该方案还减少了外围元件数量，降低了成本和安装面积。

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Implementing Bootstrap Overcharge Prevention in GaN Half-bridge Circuits [PDF]

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Determining the Minimum On-Time of the Low-Side Transistor

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🤖 AI 要点：文章讨论了半桥驱动芯片UCC27282中，低端MOSFET的最小导通时间与自举电容放电的关系，并给出了计算最小导通时间的公式，以保证自举电容电压足够维持高端MOSFET的开启。

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LM2105: How do I choose the best half-bridge gate driver for DC motor drive applications?

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🤖 AI 要点：选择半桥栅极驱动器时，需根据直流电机驱动的应用需求评估 LM2105 的相关参数，例如驱动能力、死区时间和保护特性以优化性能。具体应用中，应考虑电机电压、电流、开关频率和系统效率等因素来选取合适的器件并配置外部组件。

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Which gate drivers should I select for solar power microinverters?

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🤖 AI 要点：该文讨论了太阳能微型逆变器中栅极驱动器的选型问题，但内容过于宽泛，没有给出具体的技术细节或选型标准。缺乏实质性的功率电子相关信息。

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SiC-MOSFET

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🤖 AI 要点：SiC-MOSFET在高耐压下仍能保持低导通电阻和快速开关速度，尤其在高温下导通电阻上升幅度较小，易于热设计。为了充分发挥其性能，建议使用约18V的栅极驱动电压。

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半导体开关（IPD）

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LAUNCHXL-F28379D: Custom Bootloader works for simple code like Blinky, while the app crashes as soon as some complex RTO

• 来源: ti-e2e-c2000 | 评分: 20

🤖 AI 要点：启动加载器能运行简单代码，但加载复杂RTOS应用时崩溃，可能是启动加载器没有正确配置足够的内存空间或堆栈大小来支持复杂应用的需求。调试方向应集中在内存管理、链接器配置以及中断向量表的正确重定向上。

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OptiMOS™ and StrongIRFET™ family

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🤖 AI 要点：介绍了英飞凌的 OptiMOS™ 和 StrongIRFET™ 系列功率 MOSFET，适用于各种应用，电压范围覆盖 20V 至 300V。重点在于其高性能、高效率以及针对不同应用(如电机驱动、SMPS 等)的优化设计。

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OptiMOS™ and StrongIRFET™ packages

• 来源: infineon-training | 评分: 20

🤖 AI 要点：该文档主要介绍了英飞凌 OptiMOS™ 和 StrongIRFET™ MOSFET 的各种封装形式，包括 DirectFET™、mTOLG (8x8)、PQFN 等，这些封装为电源、电池供电应用和逆变器等提供节省空间和高性能的解决方案。文档鼓励用户登录以访问更多信息和资源。

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