Daily Review Card — 2026-05-16

MOSFET 的沟道是反型层——用栅极电场把 P 型衬底表面'反型'成 N 型（强依赖 V_GS），载流子来自掺杂的少数载流子，受掺杂散射限制，迁移率低。GaN HEMT 的沟道是 2DEG（二维电子气）——来自 AlGaN/GaN 异质结界面的压电和自发极化束缚的电子（不是掺杂来的），浓度 ~10^13 cm⁻²，没有掺杂散射，迁移率可达 2000 cm²/V·s（比 Si 的 1450 还高）。代价：V_GS,max 只有 ±7V（p-GaN 栅），极易击穿栅氧；V_DSS 上限 ~650V；动态 R_DS(on) 随开通历史变化。

LLC 的 ZVS 由谐振电流提供，而谐振电流主要由 V_in 和 L_r/C_r 决定，相对独立于负载电流。开关管关断后，谐振电流继续流动（感性）→ 反向充电对侧管的 C_oss → 对侧管 V_DS 降到零 → 此时开通对侧管 → ZVS 实现。整个过程自然发生，不需要辅助电路。对比移相全桥：ZVS 依赖换流电感的能量 ½·L_r·I²，轻载时 I 太小能量不足，ZVS 失效 → 开通时 ½·C_oss·V² 能量短路损失，轻载效率急剧下降。这就是 LLC 取代移相全桥成为中等功率主流的核心原因。

可靠性看'多久会失效'（MTBF），功能安全看'失效时会不会伤人'。反直觉的例子：系统 A 的 MTBF = 100 万小时（极其可靠），但某失效模式会输出错误刹车指令；系统 B 的 MTBF = 1 万小时（差 100×），但任何失效都安全停机。从可靠性看 A 完胜，从功能安全看 B 完胜——因为 A 失效会造成事故，B 不会。功能安全管理的是'失效 → 危害'的风险路径，不是失效频率本身。所以不能只看 MTBF，要分析失效模式和失效后果。