Safety Manual 写作模板 — IC Supplier 给客户的合规交付物
本质与导读
本质 Safety Manual 是 SEooC IC supplier 给客户的合规交付物:datasheet 描述芯片正常做什么,它则规定客户必须做什么、必须假设什么(AoU + 内置 SM 及其 DC + HSI 责任划分),芯片的 ASIL claim 才在客户系统里成立。写得好客户可直接 reuse 缩短开发,写得差则 SEooC 价值归零。
1. Safety Manual 与其它文档的关系
1.1 三类文档区分
这一节先把“三类文档区分”的判断维度收拢到同一视图里,后面的表格用于横向比较各选项的边界。下图先给出 Safety Manual 整体内容骨架,后面各章逐项展开。
| 文档 | 角色 | 受众 |
|---|---|---|
| Datasheet | 描述芯片正常功能、电气参数 | 任何工程师 |
| Safety Manual | 描述安全相关 SM + AoU + DC + 限制 | 客户的 Safety Engineer |
| Application Note | 描述具体使用场景的设计建议 | 系统工程师 |
实务:Safety Manual 是受控文档(版本 / 签字 / change history),Application Note 是不受控的指导。
1.2 与 Safety Case 的关系
IC supplier 自己有内部 Safety Case(论证芯片本身合规);Safety Manual 是给客户的输出——客户用它支持他们自己的 Safety Case(整车 / Tier 1 ECU 级)。
2. 8 章必含内容
2.1 Chapter 1: Scope and Purpose
明确:
2.2 Chapter 2: Functional Description
简版功能描述,聚焦安全相关功能:
- 芯片内有哪些安全相关 sub-element(MCU 核 / FCCU / ECC 单元 / 时钟监控 等)
- 各 sub-element 的工作原理简介(详细在 datasheet)
- Block diagram 标注 safety-related 部分
2.3 Chapter 3: Safety Architecture
更深一层的安全架构:
- 安全相关 sub-element 之间的关系
- 信号流 + 故障传播路径
- 哪些 sub-element 共用资源(DFA 关键)
- 内置的隔离 / 冗余措施
2.4 Chapter 4: Safety Mechanisms List(核心)
最重要的章节。每个 SM 一行:
| SM ID | 描述 / 覆盖故障 | AoU 满足 / 违反 | Reaction time |
|---|---|---|---|
| SM-CPU-LS-001 | Lockstep dual-core / CPU stuck-at、transient | 99% / N/A(AoU 必满足) | 2 cycles |
| SM-RAM-ECC-001 | RAM ECC SECDED / 1-bit、2-bit SEU | 1-bit:100%,2-bit:99% / 退化到 0%(若不读 ECC flag) | 1 read cycle |
| SM-WDT-001 | Internal Watchdog / Hang、跑飞 | 99% / 60%(若客户软件不正确喂狗 Q/A) | < FTTI |
| SM-CLK-MON-001 | Clock monitor / 时钟停、漂移 | 95% / 50% | < 1 ms |
| ... | ... | ... | ... |
双数字 "if AoU met / violated" 是 Safety Manual 的灵魂——它告诉客户"如果你不按 AoU 用,SM 失效会退化到这个数"。
2.5 Chapter 5: Assumptions of Use(AoU)
每条 AoU 标准格式:
| 字段 (AoU-MCU-001) | 内容 |
|---|---|
| Description | 客户软件必须每 10ms 周期内向 watchdog 发 Q/A 协议响应 |
| Verification | 客户在 system-level test 用 SBFI 注入"无响应"和"错误响应",验证 reset 在 100ms 内触发 |
| Violation impact | SM-WDT-001 DC 从 99% 退化到 60%,FTTI 可能超 |
| Trace | 关联到 SM-WDT-001 |
每条 AoU 必含 4 件:描述 / 验证方法 / 违反后果 / 关联 SM。
2.6 Chapter 6: Hardware-Software Interface(HSI)Responsibilities
明确客户软件必须做什么:
- 哪些 register 必须被初始化(地址 + 值 + 时序)
- 哪些 fault flag 必须被周期读取(地址 + 周期 + 反应)
- 哪些 SM 需要客户软件配合(例:ECC 错误中断必须挂 handler)
- 哪些参数必须按特定值配置(主频 / 电压级 / DMA priority)
2.7 Chapter 7: Fault Reporting Mechanism
告诉客户出错时怎么知道:
- 故障状态寄存器地址(MCU 内部 / SBC 通过 SPI)
- Pin 输出(FCCU pin / Error pin 时序)
- 中断向量(向哪个 ISR 跳)
- 故障码定义(每个 fault 对应哪个 code)
2.8 Chapter 8: Integration Guidance
具体集成步骤:
- 上电时序(给上游 SBC 的握手)
- 启动 self-test 流程(BIST 调用顺序)
- 运行时定期诊断的最小集
- 关机时序(进 safe state 的步骤)
3. AoU 写作的常见错误
3.1 太宽泛(无 trace)
❌ 坏:"客户应当合理使用本芯片"——空话,无 verification 方法。
✓ 好:"客户软件必须在 10ms ± 1ms 周期内调用 wdt_kick(),Q 由 wdt_get_question() 读出,A = f(Q) 由客户实现 f"——具体 + 可测。
3.2 隐含假设没写出来
例:芯片假设客户系统级有"主控 SBC 监控本 MCU 的 FCCU 输出",但 Safety Manual 没明说。客户没接 FCCU 输出 → 主 MCU 出错没人知道 → SG 违反。所有依赖客户系统的假设都要在 AoU 显式列出。
3.3 没分类(use case 限制不明)
例:芯片在 ASIL B 用 case 下 SM-X 的 DC 是 95%,但在 ASIL D 用 case 下需要 99%——必须各自标 AoU。一份 Safety Manual 可能要分多个章节按 ASIL 等级覆盖。
4. 双数字 DC 表的工程价值
这一节先把“双数字 DC 表的工程价值”的判断维度收拢到同一视图里,后面的表格用于横向比较各选项的边界。
| 场景 | DC if AoU met | DC if AoU violated | 客户行为 |
|---|---|---|---|
| 客户严格按 AoU | 99% | (无关) | 直接使用 |
| 客户违反 AoU | (无关) | 60% | 必须自己补 SM到达 99% |
这是 IC supplier 与客户责任界限的"硬证据":
- 客户拿到 AoU 后选择遵守 → SM 99% 是 IC supplier 保证
- 客户违反 AoU(可能为了性能 / 成本) → 60% 是 IC supplier 保证,客户必须用自己 system-level SM 补回 99%
DIA(Distributed Development Interface Agreement)里直接引用这两个数字。
5. 三家头部 IC supplier 的 Safety Manual 风格对比
这一节先把“三家头部 IC supplier 的 Safety Manual 风格对比”的判断维度收拢到同一视图里,后面的表格用于横向比较各选项的边界。
| Supplier | 风格 | 价值 |
|---|---|---|
| NXP(MPC57xx, S32) | 详尽工业风,~300 页,trace 严谨 | 适合 ASIL D 量产 |
| Infineon(AURIX TC3xx/4xx) | 模块化,按 sub-element 拆 | 适合复用 IP-by-IP |
| TI(TMS570 / Hercules) | 表格 + 实例,工程师友好 | 适合 onboard 学习 |
| ROHM / 国内厂 | 较简略,主要给 ASIL B/QM 应用 | 中低端市场 |
OEM 选 IC 时,Safety Manual 质量是隐藏指标——同样硅水准,Safety Manual 详尽的 IC 能让 Tier 1 项目周期缩短 6 个月。
6. Safety Manual 维护节奏
版本控制:
- 每次芯片 silicon 改版 → Safety Manual 必更新(尤其 SM 列表)
- 每次 errata 发布 → 加入 known issues + 客户 mitigation
- 每次新发现的 fault mode → AoU 可能加新条
- 大型客户反馈集成痛点 → Application notes 补充
典型版本:Rev A(初版)→ Rev B(silicon 改版)→ Rev C(发现 errata)→ Rev D(加新 use case)。
7. 完整 Safety Manual 大纲模板
这一节先把“完整 Safety Manual 大纲模板”对应的对象关系说清,后面的结构块用于快速定位各部分之间的连接。
| 章节 | 子节 / 内容 |
|---|---|
| Cover Page | P/N, version, ASIL claim, signing authorities |
| Revision History | — |
| Chapter 1 Scope and Purpose | 1.1 Applicable products;1.2 ASIL claim;1.3 Assumed use case (system context);1.4 Compliance with ISO 26262 |
| Chapter 2 Functional Description (safety relevant) | 2.1 Block diagram;2.2 Sub-element list |
| Chapter 3 Safety Architecture | 3.1 Sub-element relationships;3.2 Fault propagation paths;3.3 Built-in isolation / redundancy |
| Chapter 4 Safety Mechanisms | 4.1 Summary table (with double DC numbers);4.2 Per-SM detailed description |
| Chapter 5 Assumptions of Use | 5.1 AoU summary list;5.2 Per-AoU detailed specification (4-field format) |
| Chapter 6 HSI Responsibilities | 6.1 Configuration requirements;6.2 Periodic diagnostic requirements;6.3 Software callbacks |
| Chapter 7 Fault Reporting | 7.1 Fault status registers;7.2 Output pins;7.3 Interrupt vectors;7.4 Fault code definitions |
| Chapter 8 Integration Guidance | 8.1 Power-up sequence;8.2 BIST sequence;8.3 Runtime diagnostic minimum set;8.4 Power-down sequence |
| Annex A | ISO 26262 work product mapping |
| Annex B | FMEDA summary (or reference to FMEDA report) |
| Annex C | Known errata + workarounds |
| Annex D | References |
8. Worked Design — 1EDI3035AS 栅极驱动 IC Safety Manual 分析(400V/100kW EV 逆变器)
这一节把前 7 章的抽象模板落到一颗真器件上,展示一份 SEooC 栅极驱动 Safety Manual 的 SM 表 / AoU 表 / HSI 责任如何逐条成立。目标系统:TC397(MCU,ASIL D lockstep)+ TLF35584(安全 SBC)+ Infineon 1EDI3035AS EiceDRIVER(隔离栅极驱动 IC,单通道,6 开关逆变器用 6 颗)+ ROHM SCT3080AL 650V/80mΩ 三代 Trench SiC MOSFET,400V 直流母线,100kW 三相逆变器。数据锚 Infineon 1EDI3035AS DataSheet v01_00-EN,与 ISO 26262-10 应用指南 第 9 节、栅极驱动保护链、SEooC 工程深度 的既有核验一致。注意 1EDI3035AS 是 Infineon 器件、单通道隔离,常被误记为 TI 双通道——SEooC 集成第一步就是认准 supplier 与通道数,否则 6 颗 vs 3 颗的 BOM 与冗余边界都算错。
8.1 工程不变量
Safety Manual 保护的核心不变量:短路检出到软关断的整链时延必须收在功率管短路耐受窗 SCWT 内。SiC 代表性 SCWT 约 3 μs;1EDI3035AS 的 DESAT 链给出 tblank = 816 ns 消隐 + tDESAT2SOFTOFF = 210 ns(DESAT 阈值至 SOFTOFF 引脚激活,1EDI3035AS datasheet max)+ tSOFTOFF = 304 ns 软关断,合计 1330 ns,对 3 μs 裕量约 56%。一旦 CDESAT 选值让 tblank 变长、或负轨方向配错让保护静默,这个裕量瞬间归零 → 模块炸桥。Safety Manual 的价值就在于把"哪些参数由器件内部固定、哪些必须集成商核算"逐条钉死,不给"大概监测一下 VEE2"这种无可测的写法留空间。
8.2 SM 表(双数字 DC,核心章节)
Chapter 4 的 SM 表对本器件展开如下。阈值 / 时序 / 器件参数(tblank、VDESAT2、IDESATCS、RGint、VGSS)为 datasheet 锚定值;双数字 DC 为该 worked example 的代表性诊断覆盖,用于说明 AoU 满足 vs 违反的责任落差,不代表 datasheet 精确 DC。
| SM ID | 机制描述 | 覆盖故障模式 | DC if AoU met | DC if AoU violated | 反应时间 | ISO 26262-5 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| SM-DESAT-001 | DESAT 去饱和检测,IDESATCS = 500 μA 恒流充 CDESAT 到 VDESAT2 = 6 V 判去饱和 | 短路 Type I(导通即过流) | 97% | 5%(若 CDESAT 过大使 tblank 吃穿 SCWT) | tblank + tDESAT2SOFTOFF = 1026 ns | SPF |
| SM-UVLO-RAIL-001 | 输出侧 VCC2−VEE2 单 rail 欠压锁定(SCT3080AL 单极 0/+18V 时监此窗) | 驱动欠压致 SiC 半开、导通电阻失控 | 98% | 20%(若客户禁用 UVLO) | < 1 μs | SPF |
| SM-VEE2-UVLO-001 | 负轨 VEE2 独立 UVLO(VUVLO3L_1 = −7.2 V),仅在配负轨的宽窗器件上生效 | 负偏不足致 Miller 串扰误开 | 95% | 0%(若极性/方向理解反而禁用) | < 1 μs | SPF |
| SM-SOFTOFF-001 | 两级软关断,经独立 SOFTOFF 引脚 + RSOFTOFF 受控降 di/dt | SC Type I 关断过压(控 VDS 峰值 ≤ 585 V) | 90% | 60%(若 SOFTOFF 与 Rgoff 共路) | tSOFTOFF = 304 ns | MPF |
| SM-NFLT-001 | NFLT 实时引脚在 DESAT 事件后 tDESAT2NFLT ≈ 1.5 μs 内拉低上报 | 保护动作后告知 MCU | 85% | 5%(若 MCU 仅靠 DATA 帧轮询不读 NFLT) | ≈ 1.5 μs | MPF |
| SM-RDY-001 | RDY 引脚指示器件内部上电自检通过 | 内部振荡 / 参考电压就绪 | 70% | 0%(RDY 不等于外部 DESAT 保护链正常) | — | MPF |
本表最高危项是 SM-VEE2-UVLO-001:负轨 UVLO 方向反直觉(见 §9 G1),客户一旦理解反、把 UVLO 屏蔽,DESAT 之外的负偏保护同时失效。而对 SCT3080AL 这颗窄负压窗器件,正确设计根本不上负轨(§9 G0),此行的负轨 UVLO 不作为其 SM——这正是 SEooC 里"AoU 与实际器件配对"的核心张力。
8.3 AoU 表(客户必须做的,5 条)
Chapter 5 的 AoU 对本配对展开为 5 条,与 Part 10 Clause 9 模板一一对应。每条 4 件齐全:描述(含数值)/ 验证方法 / 违反后果 / 关联 SM。
| AoU ID | 描述 | 验证方法 | 违反后果 | 关联 SM |
|---|---|---|---|---|
| AoU-GD-01 ★ | VEE 轨必须落在功率管门极负压绝对最大内。SCT3080AL VGSS,neg absmax = −4 V → 正确解是单极 0/+18V 关断(VEE2 = GND2 = 0 V),禁止 −5V/−8V 负轨;此时 UVLO 监 VCC2−VEE2 单 rail。仅当换宽窗器件(如 Wolfspeed C3M0021120K,门极窗 −8V)才用负轨 ≤ −4 V,VUVLO3L_1 = −7.2 V 方生效 | 核 datasheet VGSS,neg;bench 测实际栅极负压最差角(纹波+温度+上电斜率)不越 absmax;单极设计确认 UVLO 配单 rail 阈值 | −5V 加在 −4V absmax 器件上=栅氧击穿(最高危);或误配双极阈值使 VEE2=0 被判 UVLO 锁死输出 | SM-UVLO-RAIL-001 / SM-VEE2-UVLO-001 |
| AoU-GD-02 | CDESAT 选值使 tblank 收在 SCWT 内。IDESATCS = 500 μA、VDESAT2 = 6 V 为器件内部固定,不可调;取 CDESAT = 68 pF → tblank = 816 ns。CDESAT 必须含布线 parasitic 一起核 | FI:增大 CDESAT(如 220 pF)验证 tblank 仍在 SCWT 裕量内 | tblank 吃穿 SCWT → SM-DESAT-001 DC → 0% | SM-DESAT-001 |
| AoU-GD-03 | 短路上报必须读 NFLT 实时引脚(tDESAT2NFLT ≈ 1.5 μs),非仅 SPI/DATA 帧轮询;NFLT ISR 优先级要高于 SPI ISR 且配足够快响应 | HiL:注入 SC Type I,验证 MCU 在 FTTI 内经 NFLT 进 safe state | SM-NFLT-001 DC 85% → 5%;高负载时 DATA 帧延迟超 FTTI | SM-NFLT-001 |
| AoU-GD-04 | SOFTOFF 软关断路径(SOFTOFF 引脚 + 独立 RSOFTOFF = 100 Ω)必须与普通关断路径(Rgoff)独立布线,不可共享 | 原理图 DRC;bench 验证 SC Type I 时 VDS 峰值 ≤ 585 V(SCT3080AL 650V × 90%) | SOFTOFF 失效、硬关断 di/dt 尖峰打穿母线过压裕量;SM-SOFTOFF-001 DC 90% → 60% | SM-SOFTOFF-001 |
| AoU-GD-05 | 栅极回路总电阻 Rgtotal = Rgext + Rgint,其中 RGint = 13 Ω 是 SCT3080AL 功率管内部栅阻(datasheet 值),不是驱动 IC 参数;计算 di/dt / 开关速率必须代入器件真值,不得默认 1 Ω | datasheet 核 RGint;驱动环路振荡 + di/dt 测试 | 误用小 RGint → di/dt 偏高、过压裕量核算失效;损耗超热预算 | SM-DESAT-001 间接 |
8.4 HSI 职责(Chapter 6 工程细化)
客户软件上电初始化到运行时的动作序列(顺序关键):
- t = 0:TLF35584 SBC 与 TC397 握手,INIT_OK 拉高。
- t < 1 ms:TC397 经 SPI 初始化 6 颗 1EDI3035AS,配置 VCC2 = +18V、VEE2 = GND2(SCT3080AL 单极)。
- t < 5 ms:读 RDY 引脚。RDY = 1 仅表示器件内部自检通过,不代表外部 DESAT 链(CDESAT / RDESAT / 二极管)正确——集成商须另经 FI campaign 验证 DESAT 门限(见 §9 G4)。
- 运行时:读 NFLT 实时引脚 + SPI 诊断寄存器(UVLO / DESAT / OT 状态位);NFLT ISR 优先级高于 SPI ISR。
- 进 safe state:NFLT 有效 → 立即关断全部 PWM → FS0B 同步拉低,TLF35584 关全部栅驱电源 → 记 fault code 到 NVM → 等 WdgM 复位。
8.5 SCSOA 时序总预算(交叉核)
Safety Manual 必须列出短路总时延等式及各段来源,这是 TÜV assessment 常查项:
SCWT 取 SiC 代表值 3 μs(SCT3080AL @400V);裕量 56%(tDESAT2SOFTOFF = 210 ns max)。注:HV 逆变器安全概念 §4.3 旧预算以 tfilter = 100 ns 计算为 59%,待该页升级时统一。这条链是集成商反算 FTTI 的地基,任何一段被 parasitic 或配置改变都要重算。
9. 7 条 Gotcha 链
这一节把 SEooC 栅驱 Safety Manual 集成中反复出的坑按危害排序,每条给现象 / 物理本质 / 正确写法。
G0 — 负轨越界:−5V/−8V 加在 SCT3080AL 上打穿栅氧 ★最高危★
现象:工程师按 IGBT 习惯给 SiC 上 −5V/−8V 负偏"买抗扰裕度"。物理本质:SCT3080AL 门极负压 absmax = −4 V,−5V 直接越界、栅氧 TDDB 指数加速,即便 −4V 也是坐在绝对最大轨上零 derating。正确写法:AoU-GD-01 明确 SCT3080AL 走 0/+18V 单极 + 强 active Miller clamp + 抬 Rg(on) 限 dV/dt ≤ 10 V/ns;深负偏只对宽窗器件(Wolfspeed C3M0021120K,−8V 窗、off 态 −4V)才成立。详见 负偏关断深度 §13。
G1 — VEE2 负轨 UVLO 方向理解反(仅配负轨时)
现象:配负轨的设计里,工程师看到"VEE2 UVLO"按 +5V 逻辑理解成"电压低于阈值触发"。物理本质:VEE2 是负压,VUVLO3L_1 = −7.2 V 意为 VEE2 比 −7.2 V 更正(负得不够深,如 −5V > −7.2V)时触发禁能——对应绝对值减小。电源失效时 VEE2 先升向 0 V,UVLO 抓这个趋势。后果:客户按绝对值理解则不等式方向搞反,UVLO 在正常时误报 → 屏蔽 FAULT 或禁 UVLO → SM-VEE2-UVLO-001 DC = 0%。正确写法:Safety Manual 明写 "UVLO triggers when VEE2 rises above −7.2 V" 并附时序图。
G2 — RGint 未读就默认 1 Ω
现象:按 RGint = 1 Ω 估开关损耗与驱动电流,实际 SCT3080AL RGint = 13 Ω,总关断阻抗被低估一个量级,开关波形 / VDS 峰值与计算脱节。正确写法:AoU-GD-05 明列 RGint 参考值及测量条件,要求集成商选型核实——RGint 在 die 内,active Miller clamp 只钳外部节点,die 栅仍被 Vspike = RGint × Crss × dVdt 抬起。
G3 — SOFTOFF 与 Rgoff 共路
现象:为省器件把 SOFTOFF 路径并到 Rgoff 节点 → SC 时实际用 Rgoff(如 10 Ω)硬关而非 RSOFTOFF = 100 Ω 软关。后果:di/dt 尖峰叠加母线,VDS 峰值逼近或超 585 V 上限,量产温漂下失效。正确写法:AoU-GD-04 要求 SOFTOFF 独立引脚 + 独立电阻,附推荐拓扑图。
G4 — RDY 被误认为保护链健康
现象:上电见 RDY = 1 即认为"安全就绪",未验证 DESAT/UVLO 实际动作。物理本质:RDY 只报芯片内部上电自检(振荡器、参考电压),不覆盖外挂 DESAT 电路是否正确。正确写法:Chapter 6 HSI 明写 "RDY = 1 does not imply DESAT protection chain integrity — customer shall verify DESAT threshold via FI campaign"。
G5 — DATA 帧延迟吃掉 NFLT 响应
现象:MCU 正发 SPI DATA 帧时 SC 发生,若只靠 DATA 帧轮询则 fault 上报落后于实时 NFLT 引脚,超 FTTI。正确写法:Chapter 7 说明 NFLT 引脚中断优先级高于 SPI ISR,推荐 NFLT 实时引脚 + DATA 帧诊断双机制(AoU-GD-03),不能只轮询 DATA 帧。
G6 — Safety Manual 版本与硅版本不绑定
现象:用 Rev B Safety Manual 集成 Rev C 硅,而 Rev C 改了内部时序精度,实际 tblank 与文档偏差 → SCSOA 余量计算失效。正确写法:Cover Page 明确 "applies to silicon revision X.Y only";Revision History 列每次硅版本变更对 SM 参数的影响。
G7 — AoU 缺 Verification(无可测)
现象:AoU 写"客户应合理配置 CDESAT"却无数值 + 无验证方法 → TÜV 驳回:非 testable requirement。正确写法:每条 AoU 4 件齐全——Description(含数值)/ Verification(FI campaign 或 bench)/ Violation Impact(定量 DC 退化)/ Trace to SM ID。
10. Corner 分析
这一节挑三个 Safety Manual 常漏的极端工况,说明 AoU 如何补足。
C1 — −40°C 冷启动:栅极供电稳定时间延长
低温下辅助电源建立目标栅压(+18V 或负轨)的时间延长,上电窗口内 UVLO 可能持续触发。若 MCU 初始化过快发 PWM,栅极供电未就绪 → SiC 门极欠驱 / Miller 串扰失控。Safety Manual 对策:AoU-GD-01 补低温软启动时序——栅极供电稳定确认(UVLO 解除)后再等 ≥ 5 ms 才允许 PWM;附温度对供电建立时间的参考曲线,datasheet 无则由 AoU 要求客户自测。
C2 — OTA 升级触发 Safety Manual 版本不匹配
OTA 推新 MCU 固件改了 DESAT 采样 / NFLT 处理周期,而 Safety Manual 的 AoU 基于旧固件假设 → SM-NFLT-001 DC 声明失效。Safety Manual 对策:Safety Manual 绑定 SW 版本范围;OTA 变更经变更管理(ISO 26262-8 Clause 8)+ 软件更新工程(ISO 24089)触发 impact analysis,重新确认 AoU-GD-03 的响应预算仍满足。
C3 — 并联 SiC 时 RGint 批次散差压缩 SCSOA 余量
4 管并联时各 SCT3080AL 的 RGint 批次散差 ±20%,开关时序偏差致 SC 电流分配不均,最热管电流可达设计均值 1.3× → SCSOA 余量从 56% 压到约 30%。Safety Manual 对策:AoU-GD-05 对并联应用补不均流测试(DPT 双脉冲记录各管 VDS 波形),确认最坏不均流 < 20% 时 SCSOA 仍留 30% 余量。
核心要点
- Safety Manual 是 SEooC IC supplier 给客户的合规交付核心文档,不同于普通 datasheet
- 8 章必含:Scope / Functional Desc / Safety Arch / SM List / AoU / HSI / Fault Reporting / Integration
- SM 表标双数字 DC(if AoU met / if AoU violated),是责任界限硬证据
- AoU 标准格式 4 件:描述 / 验证方法 / 违反后果 / 关联 SM
- 写得好的 Safety Manual 让 Tier 1 项目周期缩短 6-12 月,是 IC 销售护城河
- 三家头部(NXP / Infineon / TI)风格各异,OEM 选 IC 时 Safety Manual 质量是隐藏指标
- 版本与硅版本绑死,errata + 新发现 fault mode 触发更新
Cross-references
- ← 索引
- SEooC:Safety Manual 是 SEooC 主要交付物
- ISO 26262-11 半导体细化:AoU 概念来源
- ISO 26262-8 支持过程细化:DIA 引用 Safety Manual 数字
- ISO 26262-5 硬件层细化:DC / SPFM / LFM 计算
- Fault Injection 实战案例:AoU 验证用 FI campaign
- Fault Injection 测试方法:FI 方法论
- 安全机制目录:SM 库
- 硬件元件评估:评估流程
- 汽车 MCU:各家 MCU Safety Manual 对比
- SBC / 伴随 IC:SBC Safety Manual 范例
- MCU + SBC ASIL D 集成:MCU + SBC 双 Safety Manual 集成
- Safety Case:客户用 Safety Manual 拼自己 Safety Case