辅助电源全栈 — Vbat 入口 → ECU 上电流路 + 8 大主题

按 Vbat → ECU 工程师工作顺序,16 篇深度页串成 7 个工程阶段。每条 deep 一句话作用 + 关键数字:

→ 系统级跨多 deep 综合(8 主题 + 隔离拓扑 + EMC):见 §2-9 thematic 展开 + §13 完整索引。★ = 2026-05 新加 deep。

Cranking 核心约束:

• LV124 E-04:Vbat 6V × 100ms,ECU 不允许 reset
• 寒带 E-09:Vbat 4.5V × 50ms
• EV 也按此测(KL15 短跌)

Cranking 必读:

• Cranking Robustness 深度

Load Dump 核心约束:

• ISO 16750-2 Pulse 5b(2011 起由 ISO 7637-2 移入):Us 79-101V → Us* 35V × 400ms,4-50J 能量
• ECU 不损坏 + 不 reset
• TVS + SBC clamp 双重保护

Load Dump 必读:

• Load Dump 深度

Reverse Polarity 核心约束:

• ISO 16750-2 §4.7:-16V × 60s 不损坏
• 3 方案:Schottky / P-MOS / N-MOS smart
• ASIL D 主驱推荐 N-MOS smart (LM74700)

Reverse Polarity 必读:

• Reverse Polarity 深度

Bulk Cap 核心约束:

• Polymer 470μF(主流 bulk)
• Aluminum 大容量(但老化)
• MLCC HF 退耦(DC bias 陷阱)
• 寿命 ≥ 8 年(EV 质保期,与各深度页一致;bulk cap @105℃ 是寿命瓶颈)

Bulk Cap 必读:

• Bulk Cap 选型 深度

POR 核心约束:

• 5 rail 顺序:Pre-reg → Core → IO → ADC
• SBC 硬件 sequencer 锁定
• Brown-out 响应 ≤ 100μs
• POR_DELAY 50ms

POR 必读:

• POR Sequencing 深度

Sleep / Wake-up 核心约束:

• 整车 12V Iq 配额 50-100 mA
• 单 ECU ≤ 100 μA
• 6 大 wake 源 (CAN / LIN / KL15 / RTC / 钥匙 / CP)
• selective wake (ISO 11898-2) 降唤醒次数 80%+

Sleep / Wake-up 必读:

• Sleep & Wake-up 深度

12V Battery Monitor 核心约束:

• SOC 算法:Coulomb counting + OCV + Kalman
• SOH 算法:容量衰减 + 内阻 增长
• 精度 SOC ±5% / SOH ±10%
• ASIL B 即可

12V Battery Monitor 必读:

• 12V Battery Monitor 深度

48V mHEV 核心约束:

• LV148 电压窗是分级的:连续工作 36-52V,受限工作向上到约 54V(动态过压),最严电气试验拉到约 70V——器件耐压按 ≥ 60V(典型 80-100V)选,不是按 52V
• 60V SELV 边界:48V 子网压在 60V DC SELV 线以下 → 免 HV 接触防护 / 免爬电隔离障,这是相对 400/800V HV 链最大的简化
• 无 cranking 跌压:48V 起停由 ISG + 双向 DC-DC 完成,12V 侧不再经 6V 冷启动坑;但 48V↔12V 双向 DC-DC 桥成新单点,其失效按 ASIL 评
• 48V 大功率负载:电动增压 / PTC / 主动悬挂 / 电制动助力,峰值 kW 级,PDN 压降与母线纹波预算比 12V 严

48V mHEV 必读:

• 48V Mild Hybrid PDN 深度

12V 输入侧深度页覆盖 5 大瞬态 / 储能 / 涌流场景:

• Cranking Robustness 深度
• Load Dump 深度
• Reverse Polarity 深度
• Bulk Cap 选型 深度
• Inrush / Soft-start 控制深度 — 上电涌流 30 A SPOF + e-fuse / NTC / pre-charge 3 方案

SBC + Sequencing + POL rail 是 ECU 板内电源核心:

• POR Sequencing 深度
• Sleep & Wake-up 深度
• POL DC-DC 选型决策深度 — 7 拓扑 + EV PEU 10 路 rail map worked example

监测 + 高压拓展场景的 2 个 deep:

• 12V Battery Monitor 深度
• 48V Mild Hybrid PDN 深度

EV PEU + 充电桩内部的隔离 DC-DC 取电链,按功率段分两篇 deep:

• HV→12V Flyback 深度 — 5–30 W 段 / 变压器 / RCD / 同步整流 / PSR
• TI LM5180-Q1 wide-Vin PSR flyback 深度 — 12V batt → driver bias ≤ 7W 段 / 65V wide-Vin / AECQ-100 G1 + FS-Capable / sample-on-SW 消 opto + Naux / TIDA-020015 整套 BOM
• Forward + Half-bridge AUX 拓扑深度 — 30 W–1 kW 段 / 复位绕组 / 双向激励 / 拓扑选型
• Isolated Push-Pull 深度 — SiC 栅极电源主流拓扑,对称磁化 + 双管推挽给隔离 +15V/-3V bias
• 主动钳位反激(ACF)深度 — flyback 软开关进阶:辅助 clamp 管把漏感能量回收 + 谐振 ZVS,效率 +3-5%、可高频做高密度,USB-PD / 高端 OBC AUX 主流

AUX 链占 ASIL D ECU 总 FIT 的 50–60%,是 FMEDA 主战场:

• 辅助电源 FMEDA + DFA 深度 — 6 级 AUX 链 SPFM/LFM/PMHF worked example + 7 类 DFI × 6 stage 耦合矩阵 + I3 评审 8 段对标

AUX 拓扑落到 PCB 的工程化层,把隔离障 / Faraday shield / stackup / 热阻一次说清:

• 辅助电源 PCB Layout + 散热深度 — 5 条物理约束(loop / 隔离障 / Faraday / GND 分区 / 散热)+ 4/6/8 层 stackup + EMC fail 4 类修法 + ASIL D PCB DFA checklist

EMC 是辅助电源整车交付的 hidden 5th 主题,CISPR 25 双联两边都要过 Class 5:

• CISPR 25 传导发射(CE)深度 — 150 kHz–108 MHz · LISN + π-filter 5 步
• CISPR 25 辐射发射(RE)深度 — 30 MHz–6 GHz · 6 大辐射源 + PCB 6 防护 + 50 kW worked(4 peak 超 Class 5 +12–38 dB → -10 到 -22 dB)

7 篇浅页是入门基础和子模块速查:

• 辅助电源概述
• SBC 概览
• SBC MC33907 设计
• SBC Watchdog 深度
• SBC 多 rail Sequencing
• 辅助电源变压器
• LV 辅助电源深度

线控底盘 / L3+ 要求单点失效后供电不中断,把单路 12V 升级成双源冗余 + 备份 DC-DC + ORing 选择,这条线两篇 deep 之前只在 §1.1 速查表出现、未进完整索引,本次补齐:

• Fail-Operational 线控供电深度 — 双源冗余 12V / 备份 DC-DC / BPU / ORing 按 ASIL D 拆,5 类隐藏共因 + DFA
• 热插拔 + ORing 控制器深度 — 双电源 OR 冗余 + 反电池阻断 / STPM801 双 N-MOSFET / 30mV 理想二极管 / 7 类外围选型