DAB 双有源全桥 — 双向能量路由的标准方案

功率级L4别名 DAB · Dual Active Bridge · 双有源全桥 · 双向 DC/DC · SPS · Single Phase Shift · DPS · Dual Phase Shift · TPS · Triple Phase Shift · V2G DAB · 储能 DAB · solid state transformer · SST · CLLLC

本质与导读

本质 DAB 是双向隔离 DC/DC 标准方案:原副边两个全桥靠变压器隔离,移相 φ 决定能量方向与大小(φ > 0 原边送能,φ < 0 反向)。它比 PSFB 能真双向、比 LLC 能宽电压变化,代价是控制复杂——单移相低负载效率差,逼出多移相控制来保住全工况 ZVS。

主线坐标:旁支 · 低压控制域 · ↑ 全景主线

1. DAB 拓扑

1.1 结构

先把结构看成一个“两个全桥通过高频变压器和漏感耦合”的能量路由器,再看下面的简图就不会把它误读成普通单向 PSFB

双有源桥 DAB — 原副边全桥 + 高频变压器 + 串联电感,单移相 phi 控制双向功率传递 P 正比 phi(1-|phi|/pi)

双有源桥 DAB 拓扑:左侧 V1 全桥 H1(Q1A/Q1B/Q1C/Q1D 四开关接在 V1 母线与中点母线之间),右侧 V2 全桥 H2(Q2A/Q2B/Q2C/Q2D 接在中点母线与 V2 母线之间),两全桥中点经高频变压器 T 与串联漏感 Llk 相连,构成对称双向隔离 DC/DC 能量路由器。

  • 两个全桥 H1(Q1A/B/C/D)+ H2(Q2A/B/C/D)
  • 中间高频变压器 T(隔离 + 升降压比 n)
  • 漏感 Llk(变压器漏感 + 外加电感)
  • 两个全桥都用 MOSFET(SiC 750V/1200V 主流),没有二极管 → 双向

1.2 关键差异 vs PSFB

PSFB 副边是二极管整流(单向),DAB 副边是 MOSFET 全桥(双向)。这就是为什么 V2G 必须 DAB——能量从车反送到电网时,PSFB 副边二极管阻断。

2. SPS 单移相控制

2.1 控制变量

H1 全桥用方波电压 ±V1 驱动变压器原边,H2 全桥用方波电压 ±V2 驱动副边,两者相对相位 φ 决定功率。

  • φ > 0: H1 超前 H2 → 原边送能到副边(正向)
  • φ = 0: 无功率传输
  • φ < 0: H2 超前 H1 → 副边送能到原边(反向)

2.2 功率传输公式

SPS 的关键不是“有公式”,而是这个公式直接说明了 DAB 为什么能只靠相位差就决定功率方向和大小。

  • 最大功率在 φ = π/2:
  • φ ∈ [-π/2, π/2] 是常用工作区
  • 双向能力:仅改 φ 符号即换方向

2.3 ZVS 条件

DAB 的 ZVS 来自原边电流通过 Llk 给 Coss 充放电,与 PSFB 类似但双边都需要 ZVS:

  • 原边 ZVS:Ip 在 H1 换流瞬间足够大 + 极性正确
  • 副边 ZVS:Is 在 H2 换流瞬间足够大 + 极性正确

全负载 ZVS 的关键条件: V1 = n · V2(电压完美匹配)。失配时:

  • V1 > n·V2: H1 失 ZVS
  • V1 < n·V2: H2 失 ZVS
  • 偏离越多,丢 ZVS 区域越宽

实务:EV 应用电池电压 V2 在 250-450V(SOC 影响)变化,电压完美匹配几乎不可能 → SPS 在轻载 + 电压失配时丢 ZVS 严重 → DPS / TPS 解决这个问题。

3. DPS / TPS / EPS 进阶移相

SPS 的最大问题是电压失配下轻载丢 ZVS + 大无功电流。DPS / TPS / EPS 通过引入额外移相变量优化这两点。

3.1 DPS 双移相

DPS 双移相控制策略通过引入两个独立的移相角度,显著扩展了系统的控制自由度。这使得在实现全桥内部的 ZVS 软开关的同时,还能灵活调节两全桥之间的功率传输,从而优化整体效率和动态响应。

  • 一个内移相 φ_1(全桥内上下管)
  • 一个外移相 φ_2(两全桥之间)
  • 共 2 个变量 → 解空间扩大,可以同时调功率和 ZVS 边界

效果:轻载 ZVS 范围扩大约 3 倍。

3.2 TPS 三移相

TPS 的本质是继续增加控制自由度,把“传多少功率”和“在哪个换流点保住 ZVS”拆开处理。

  • 原边内移相 φ_1
  • 副边内移相 φ_2
  • 两全桥外移相 φ_3
  • 共 3 个变量 → 全负载 ZVS + 最小无功电流

效果:DAB 全工况最优,但优化算法复杂(实时计算 3 个变量)+ 控制带宽降。

3.3 EPS 扩展移相 + 优化

工程实务:用预计算 LUT(查找表)替代实时优化——根据 V1, V2, P_target 查表得到 φ_1, φ_2, φ_3。控制简化,效率与 TPS 接近。

3.4 选型权衡

如果把这些移相策略放到量产项目里看,真正需要比较的不是“谁最先进”,而是效率收益是否值得那一层控制复杂度。

方案变量数全负载 ZVS控制复杂度适用
SPS1仅电压匹配简单低成本 + 电压稳
DPS280% 范围中端
TPS3全范围EV V2G + 储能高端
EPS-LUT3(LUT)全范围量产 EV(LUT 离线优化)

4. CLLLC — DAB 谐振变体

4.1 拓扑

DAB 的变压器原副边都加 LC 谐振 → 共 5 个谐振元件(C-L-L-L-C),即 CLLLC。

  • 原边 Lr1 + Cr1
  • 变压器 + 励磁电感 Lm
  • 副边 Lr2 + Cr2

4.2 优势

CLLLC 的优势主要来自谐振网络把换流过程变得更柔和,因此它赢的不是某一个指标,而是一整组高频工作条件下的系统表现。

  • 全负载 ZVS / ZCS(谐振换流,比 SPS 的纯漏感谐振更广)
  • EMI 改善(谐振电流近正弦)
  • 功率密度提升(谐振参与升降压,降低变压器尺寸)

4.3 代价

代价也必须成组看:元件数、调试难度和控制带宽是一起上升的,不是只多两个电容这么简单。

  • 5 个谐振元件,双向对称设计 → 元件成本 + 调试复杂
  • 控制变频(类 LLC),频率范围 100-300 kHz

4.4 vs DAB-TPS

CLLLC 是硬件优化(加谐振元件简化控制),DAB-TPS 是控制优化(算法补偿)。EV V2G 高端方案两者都有,中端一般 DAB-EPS-LUT。

5. EV V2G / 储能 / SST 主流应用

DAB 在 2020s 之后随三大需求爆发:V2G(电网侧双向)、储能(PCS)、SST(固态变压器)。这三个场景都要求"双向 + 电压宽变化 + 高效率"——正好是 DAB 强项。

5.1 EV V2G OBC

V2G OBC 是 DAB 最典型的量产场景,因为它同时要求双向潮流、隔离和宽电池电压范围。

  • 典型规格:7-22 kW 双向,V1 = 800V (DC bus), V2 = 250-450V (battery)
  • 拓扑:PFC + DAB(无 LLC,直接 DAB)
  • 代表量产:Tesla Powerwall 充电桩、比亚迪 V2X-LITE、福特 F-150 Lightning 双向充电
  • 控制:DAB-EPS-LUT(成本敏感)或 CLLLC(高端)

5.2 储能 PCS(Power Conversion System)

储能 PCS 选择 DAB 的原因和车载不同,它更看重模块化并联之后的双向调度能力和中高压适配性。

  • 典型规格:50-500 kW,V1 = 1500V (PV+电池), V2 = 400V (LV 母线 / AC 输出前级)
  • 拓扑:多模块 DAB 并联 + 后级三相逆变器
  • 控制:DAB-TPS + 模块均流

5.3 SST 固态变压器

SST 场景把 DAB 的优势放大得最明显,因为这里对隔离、双向和高频小型化的需求是同时成立的。

  • 典型规格:25 kV / 1500V 高压侧 ↔ 800V/400V 低压侧
  • 拓扑:高压侧 MMC(模块化多电平)+ DAB 隔离级 + 低压侧逆变器
  • 代表项目:ABB SST、ETH FREEDM
  • 优势:体积比传统 50/60Hz 变压器小 70-80%,频率响应快

6. 工程实战陷阱

6.1 SPS 在 V 失配下的"无功电流"

V1 ≠ n·V2 时,SPS 控制下变压器原副边方波电压幅值不匹配 → 漏感上电流不再是纯三角波,而是有直流偏置 + 大无功分量。这导致:

  • 原边 / 副边电流峰值大 → 器件应力大
  • 同样输出功率下 RMS 电流大 → 铜损 + 开关损耗都大

实务:V1 / V2 偏差超 ±10% 必须 DPS 以上。

6.2 死区时间影响 ZVS 边界

DAB 死区设计与 PSFB 类似但更严:

  • 死区不够 → 桥臂直通(SiC 反向恢复仍非零)
  • 死区过长 → 反向激励 + 体二极管导通损耗
  • 实务:SiC DAB 死区 200-300 ns,带自适应

6.3 变压器漏感的双重角色

Llk 同时是:

  • ZVS 谐振电感(必须有 + 越大越好 ZVS)
  • 功率限流元件(P ∝ 1/Llk → 越大功率越小)

这是矛盾的——所以 Llk 不能"自然漏感",必须在变压器外加专用电感 精确设计。典型 5-50 µH。

6.4 双向潮流下的电流方向检测

DAB 双向工作,电流方向检测必须高速准确——用于:

实务:用霍尔电流传感器 + 高速 ADC,采样率 ≥ 5 × fsw。

6.5 启动浪涌

冷启动 V1 = Vbus, V2 = V_battery,但变压器中点电压瞬态可能超 Vmax → 必须预充电 + 软启动相位 ramp(φ 从 0 缓慢升到稳态)。

7. 与其它隔离拓扑的边界

DAB 不是万能,在某些场景被 LLC / PSFB / CLLLC 占主导。本节给出选型边界。

应用推荐理由
单向 OBC 6.6kWLLC(后级)全负载 ZVS + 简单 + 成本低
双向 V2G OBCDAB-EPS / CLLLC必须双向
储能 PCSDAB-TPS双向 + 模块化
SST(固态变压器)DAB双向 + 高隔离
通信电源 48V/100A 单向PSFB中重载 ZVS + 控制简单
服务器 PSU 12V/200A 单向LLC全负载 ZVS
800V → 400V 升压(单向)Boost(非隔离)/ LLC不需双向

核心要点

  • DAB 是双向隔离 DC/DC 标准:两个全桥 + 变压器,移相 φ 控功率方向和大小
  • SPS 控制简单但 V 失配下轻载丢 ZVS + 大无功电流
  • DPS(2 变量)/TPS(3 变量)/EPS-LUT(3 变量预计算)逐步优化全负载 ZVS
  • ZVS 全工况要求 V1 = n·V2,实际 EV 电池电压变化必用 DPS+
  • CLLLC 是 DAB 谐振变体,5 元件全负载 ZVS,EV V2G 高端方案
  • DAB 在 EV V2G OBC / 储能 PCS / SST 三大场景占主导
  • Llk 同时是 ZVS 谐振电感 + 功率限流,典型 5-50 µH 外加
  • 单向场景仍用 LLC / PSFB(成本 + 简单),双向场景必 DAB / CLLLC

Engineering Objects

引用此页的结构化 Engineeri…

引用此页的结构化 Engineering Object(v2.0 Copilot 自动生成,不要手动编辑此段)。

  • mechanism · mechanism_dual_active_bridge — Dual Active Bridge (DAB)

Cross-references