Daily Review Card — 2026-05-17

本质与导读

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今日 SRS 卡 (3)

1. [Box 2] MOSFET 技术

❓ 问题:Miller 平台的物理本质是什么？

💡 答案 (点击展开)

Miller 平台是 C_gd 的位移电流反馈。当 V_DS 快速下降时，C_gd 两端电压变化率 dV_DS/dt 在栅极注入一个位移电流 i_Miller = C_gd·dV_DS/dt，这个电流从栅极流出，刚好抵消驱动电路灌入的电流——V_GS 被'冻结'在平台电压上。此时驱动电路灌入的所有电流都在专心给 C_gd 放电，dv/dt = I_G / C_gd。V_Miller ≈ V_th + I_D/g_fs。

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2. [Box 2] 栅极驱动（Gate Driver）

❓ 问题:数字隔离器为什么比光耦快 30~50 倍？

💡 答案 (点击展开)

光耦基于 LED → 光敏晶体管的光电转换，延迟 100~500 ns 来自 LED 上升时间和光敏晶体管响应。数字隔离器基于电容耦合（TI ISO）或磁耦合（ADI ADUM）的 OOK/脉冲调制，延迟 < 10 ns。对 200 kHz SiC 应用，光耦 500 ns 延迟 = 开关周期 10% = 36° 相位误差；数字隔离器 10 ns = 0.2% = 0.7° 误差。CMRR 也从光耦的 15 kV/μs 提升到 > 100 kV/μs。这就是为什么高频高压场合必须用数字隔离器。

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3. [Box 2] 栅极驱动（Gate Driver）

❓ 问题:DESAT 保护的 blanking time 为什么对 SiC 特别难设计？

💡 答案 (点击展开)

blanking time 是开通瞬间屏蔽 DESAT 检测的时间窗口。太短：正常开通被误判为短路（系统瘫痪）；太长：短路发生后保护来不及（器件已损坏）。典型 Si IGBT 的 SCWT 10 μs，blanking 35 μs 有余量；SiC 的 SCWT 只有 310 μs，blanking 必须压到 12 μs，响应窗口只有 1~3 μs。这就是为什么 SiC 需要专用驱动 IC，旧 IGBT 驱动 IC 不能直接用。

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