Daily Review Card — 2026-05-19

GBW（增益带宽积）是硬约束：实际带宽 = GBW / 闭环增益。GBW = 10 MHz 的运放，闭环增益 100 → 带宽只有 100 kHz（高增益严重限带宽）。SR（压摆率）限制大信号：输出正弦 V = A·sin(2πft) 最大 dV/dt = 2π·f·A。当 2π·f·A > SR，输出无法跟上波形从正弦变三角（SR 失真）。全功率带宽 FPBW = SR/(2π·A_peak)。典型选型：需要放大增益 50、带宽 50 kHz、输出摆幅 5V → GBW ≥ 50 × 50k × 2 = 5 MHz，SR ≥ 2π × 50k × 5 × 2 = 3.1 V/μs。两者都要满足。GBW 限制小信号带宽，SR 限制大信号带宽。

电荷泵的等效输出阻抗 R_out ≈ (R_on,1 + R_on,2 + ESR) × N + 1/(f_sw × C_fly)。第一项是开关导通损耗累积（N 个开关串联），第二项是由有限充电时间造成的'电荷传递不足'损耗（每个周期 C_fly 只能传递有限电荷）。实际输出：V_out = V_out,ideal − I_load × R_out。大电流时 I_load × R_out 的压降让输出电压严重跌落 → 效率急剧下降。典型电荷泵输出电流上限 100~200 mA，很少超过。甜蜜点：小功率（几十 mA）低噪声场景——从 +3.3V 产生 −3.3V 给运放、LCD 偏置电源、Bootstrap 驱动等。大电流必须换开关电源（有电感存储能量而不是电容）。

三难困境：R_DS(on) × Q_g × BV_DSS。降低 R_DS(on) 需要加大芯片面积，但会让 Q_g 变大；提高 BV_DSS 需要加厚漂移区降低掺杂，但会让 R_DS(on) 暴涨（硅限 R_DS(on)·A ∝ BV^2.5）。任何两个目标可以同时达到，第三个必被牺牲。所有工艺革新（Trench、SJ、SiC、GaN）本质上都是在绕开这个困境。