每日复习 — 2026-05-03

.step 参数扫描 + .meas 自动测量是 LTspice 的自动化利器。例子：扫描 Buck 的栅极电阻 R_G = 5/10/22/47 Ω，对比效率。.step param Rg list 5 10 22 47 指示 LTspice 运行 4 次仿真，每次用不同的 Rg 值。.meas TRAN Pin AVG -V(vin)*I(Vin) FROM 90u TO 100u、.meas TRAN Pout AVG V(vout)I(Rload) FROM 90u TO 100u、.meas TRAN Eff param (100Pout/Pin) 在每次仿真完自动计算效率。一次运行得到 4 条效率曲线，可视化对比选择最佳 R_G。结合 PyLTspice（Python 接口）可以做更复杂的自动化：批量修改网表、运行 Monte Carlo、Python 读 .raw 文件后处理。非常适合参数优化和良率分析。

MOSFET 的沟道是反型层——用栅极电场把 P 型衬底表面'反型'成 N 型（强依赖 V_GS），载流子来自掺杂的少数载流子，受掺杂散射限制，迁移率低。GaN HEMT 的沟道是 2DEG（二维电子气）——来自 AlGaN/GaN 异质结界面的压电和自发极化束缚的电子（不是掺杂来的），浓度 ~10^13 cm⁻²，没有掺杂散射，迁移率可达 2000 cm²/V·s（比 Si 的 1450 还高）。代价：V_GS,max 只有 ±7V（p-GaN 栅），极易击穿栅氧；V_DSS 上限 ~650V；动态 R_DS(on) 随开通历史变化。

Y 电容连接在 L/N 到 PE（大地）之间，给共模电流提供回路。失效模式风险：如果短路失效，地线会带电（L 或 N 直接接到 PE）→ 用户触电。所以 Class Y 电容必须专门设计：失效行为要求必须开路，不能短路——通过 UL/IEC 60384-14 认证。普通 MLCC（X7R、NPO 等）的失效模式可能是短路，绝对不能代替 Y 电容用在这个位置。Y 电容的容量还受限：IEC 60950/62368 规定消费设备的最大对地泄漏电流 < 3.5 mA，所以 Y 电容通常 < 4.7 nF。X 电容（连在 L-N 之间）失效短路只会烧熔丝不会电击，可以相对自由选型。