每日复习 — 2026-05-04

WCA（最差情况分析）：所有误差源同向最大叠加，最悲观 100% 覆盖。公式：总误差 = |ε_1| + |ε_2| + ... + |ε_N|。RSS（方根和）：误差平方和开方，统计均方根。公式：总误差 = √(ε_1² + ε_2² + ... + ε_N²)。如果 N 个独立同分布误差源，RSS ≈ WCA/√N。例：12 位 ADC 前置放大器，V_os = 0.5 mV，温漂 = 0.25 mV，I_b·R = 0.5 mV，LSB = 1.22 mV。WCA = 1.25 mV > 1.22 mV（不过）；RSS = √(0.25+0.0625+0.25) ≈ 0.75 mV（过）。选择：安全关键系统用 WCA（不允许任何失效）；大批量消费品用 RSS（接近统计均方根，良率可接受）；需要良率数字用 Monte Carlo。

通用运放内部在第二级跨接 Miller 电容 C_c。Miller 倍增效应让第一级输出节点看到的等效电容 = C_c × A_v2，把主极点频率从 kHz 降到几十 Hz。次级极点不变。结果：在两极点相遇之前增益已经掉到 0 dB → 相位裕度 PM > 60°，天然稳定。代价：GBW 降低（从几十 MHz 降到几 MHz），大信号 SR 受限（C_c 需要被充放电）。这是'用带宽换稳定'的标准做法。比较器不加 Miller 补偿（开环工作不需稳定），所以比较器比通用运放快 10~100 倍——但反过来，比较器不能用在负反馈配置，阈值附近会振荡。

SiC 的 SCWT 只有 310 μs（vs Si IGBT 的 1015 μs）。两个原因：(1) SiC 芯片面积比同等 I_rated 的 IGBT 小 3~5×，热容少；(2) 短路峰值电流 I_SC 8× I_rated（SiC 的 g_fs 更高，比 IGBT 的 5× 更大），短路功耗密度极高。结果：短路时结温上升速度比 IGBT 快 5×。工程后果：DESAT 保护的总响应时间（blanking + 检测 + 软关断）必须 < SCWT，即 < 25 μs，比 IGBT 的 23 μs 更紧，不能用旧 IGBT 驱动 IC。