每日复习 — 2026-05-07

充电时间约束：采样电容 C_sample 必须在 t_ACQ 内充电到 N 位精度。公式：t_ACQ ≥ (N+1) × ln(2) × τ ≈ (N+1) × 0.693 × τ，其中 τ = (R_drive + R_series + R_on,sw) × C_sample。对 16 位精度：t_ACQ ≥ 12 × τ。示例：16 位 1 MSPS SAR，C_sample = 30 pF，采样周期 1 μs，t_ACQ = 600 ns（60%）→ τ_max = 50 ns → (R_drive + R_series + R_on,sw) × 30 pF ≤ 50 ns → R_total ≤ 1667 Ω。扣除 R_on,sw ≈ 50 Ω 后，R_drive + R_series ≤ 1617 Ω。常见错误：R_series 选太大（如 10 kΩ）→ τ = 300 ns → 采样不完整 → ENOB 严重下降。

早期思路是把数字地和模拟地完全分开只在一点连接，希望隔离两种电流。问题：高频时单点连接的电感巨大，回流被迫绕远形成大环路，辐射严重；跨越地分割的信号会辐射。现代推荐：单一地平面 + 布局隔离——整块地平面不分割（保证回流总是最短路径），靠布局让数字器件和模拟器件物理分开，数字开关电流的回流路径天然不穿过模拟区域。用电源分割（而不是地分割）隔离模拟和数字电源。ADC 的 AGND 和 DGND 都接到统一地平面。这比分割 + 单点连接可靠得多，是现代混合信号 PCB 的主流做法。

死区时间期间，输出电压不由占空比指令决定，而是由电感电流方向决定。这导致平均输出电压偏离指令值。电压误差 ΔV = t_dead × V_bus × f_sw × sign(I_out)——方向取决于输出电流。对高精度电机控制这是不可接受的噪声源。死区补偿（Dead Time Compensation）算法：软件根据实时测量的相电流方向，动态调整占空比。if (I_out > 0) duty += ΔD_comp; else duty -= ΔD_comp; 其中 ΔD_comp = t_dead × f_sw。必须有快速电流采样。高性能电机控制器（EV 主驱、伺服驱动）几乎都做死区补偿——这是从'能转'到'转得好'的必要步骤。