Frontmatter 迁移 needs-review 清单 — 2026-05-24
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| 页 | 推断 type | 推断 source_quality | 推断 description |
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| topic-12v-battery-monitor-deep.md | concept | vendor | EV / 燃油车 / mHEV 都有 12V 辅助电池(铅酸 / AGM,典型 36 Ah),为 E |
| topic-3-level-npc-tnpc.md | concept | vendor | 3-level 拓扑用 4 个 IGBT 替代 2-level 拓扑的 2 个 IGBT,换来 阶梯 |
| topic-48v-mild-hybrid-pdn-deep.md | concept | primary | 48V Mild Hybrid 是燃油车向纯电过渡的中间方案 — 在 12V 主网络旁加 48V 高 |
| topic-4switch-buck-boost.md | concept | vendor | 4-Switch Buck-Boost 回答的问题是"我的输入电压 (太阳能板 / 电池 / V2G |
| topic-8d.md | concept | primary | 8D 不是工具，是一套把"出问题"这件事做成可复盘流程的纪律框架。它强制工程师走完 8 个台阶——临 |
| topic-accellera-fs-data-model.md | primary | ISO 26262 / IEC 61508 是过程标准,告诉你"FMEDA 需要 SPFM/LFM | |
| topic-active-discharge-design.md | concept | primary | 本页讲 AD MOSFET / R / RC 时间常数 / 控制逻辑细节。AD 在系统级 FSM 是 |
| topic-active-gate-driving-deep.md | concept | primary | 传统栅驱用单值固定 Rg(Rgon / Rgoff 各 1 个),整开关周期不变 — 开关瞬间 vs |
| topic-adc-application-accuracy.md | concept | secondary | Datasheet 标的 ADC 精度(INL/DNL/总未调误差)是理想条件下的上限,实际系统拿到 |
| topic-adc-mixed-signal.md | concept | vendor | ADC 设计的核心矛盾是三难困境——速度 × 精度 × 功耗，没有一个架构能同时最优所有维度。SAR |
| topic-adi-adbms6830-bms-afe-deep.md | concept | primary | 既有 TI BQ79616 BMS AFE 深度页 讲清了 "16 cell + 主 ADC + r |
| topic-advanced-packaging-hub.md | concept | primary | 这是 主线/先进封装 的导航入口,不重讲内容,只把 4 篇技术深页按"模块剖面层"串起来。和既有两页 |
| topic-aec-q.md | primary | AEC-Q 不是"性能更好"的标签，而是"失效模式已被系统筛查"的证明。它通过 1000h 高温工作 | |
| topic-aec-q101.md | primary | AEC-Q101 回答的问题是"我做的分立半导体 (MOSFET / IGBT / 二极管 / Si | |
| topic-aec-q104.md | primary | AEC-Q104 回答的问题是"多芯片模块 (MCM/SiP/Power Module) 能不能上车 | |
| topic-aec-q200.md | primary | AEC-Q100 管 IC,AEC-Q200 管被动元件(电阻 / 电容 / 电感 / 磁珠 / 晶 | |
| topic-apqp.md | concept | secondary | APQP 回答的问题是"从客户提需求到我量产交付,中间应该按什么节奏做什么"——它是 topic-i |
| topic-asil-d-case-studies.md | case | primary | ASIL D 不是"挑几个高 ASIL 器件 + 堆几条 SM" —— 它是一条从 Hazard 倒 |
| topic-asil-decomposition-deep.md | concept | primary | ASIL 分解回答的问题是"我有一条 ASIL D 安全目标 (SG),让一个组件 single-h |
| topic-asil-decomposition.md | concept | primary | ASIL 分解是把"一条 ASIL D 安全需求"拆成"两路独立的更低 ASIL 子需求"的架构技巧 |
| topic-aspice-capability-level.md | concept | primary | ASPICE 评估的输出不是"通过/不通过",而是对每个 Process Area (PA) 打 0 |
| topic-aspice-pa-reference.md | concept | secondary | 这页回答的问题是"ASPICE 16 个 Process Area 各自要交付什么、Base Pra |
| topic-aspice.md | concept | primary | ASPICE 解决的核心问题是 "OEM 怎么相信 Tier-1 写出来的代码能上车？"——它不审代 |
| topic-aurix-tc3xx-asil-d.md | primary | Lockstep 自身的 die-level CCF 风险(同 wafer / 同 fab / 同 | |
| topic-automotive-electronics.md | concept | vendor | 汽车电子不是"消费电子的加强版"——它的每个设计决策都被三个硬约束重新塑造：15 年寿命 / −40 |
| topic-automotive-input-transient-protection-deep.md | concept | primary | 既有 wiki 已经分别拆过抛负载(Load Dump 讲 Pulse 5b)、反接(Reverse |
| topic-automotive-mcu.md | concept | vendor | 汽车 MCU 不是"加了认证的工业 MCU"——它在指令集层面就为实时确定性和功能安全做了架构选择。 |
| topic-automotive-networks.md | concept | primary | 汽车网络不是一种协议，而是按带宽、延迟、成本、可靠性四维分层的生态：LIN（< 20 kbps）扫开 |
| topic-autosar-safety-bsw-deep.md | concept | secondary | AUTOSAR Classic (Adaptive 暂不论) 在 BSW (Basic Softwa |
| topic-aux-cispr25-conducted-emission-deep.md | concept | primary | CISPR 25 是汽车 ECU 传导发射(电源线噪声泄漏到车载天线)的事实标准,Class 5 最 |
| topic-aux-cispr25-radiated-emission-deep.md | concept | vendor | CISPR 25 EMC 双联的另一半 — 传导发射(CE) 测 150 kHz–108 MHz 通 |
| topic-aux-fmeda-dfa-deep.md | concept | primary | AUX 链是 ASIL D ECU 失效率(λ)的 SPOF 集中点 — SBC + POR + D |
| topic-aux-inrush-softstart-deep.md | concept | primary | ECU 上电瞬间 Vin 给 Cbulk 充电的涌流是ECU 的隐形 SPOF — 典型 12 V |
| topic-aux-pcb-thermal-deep.md | concept | primary | AUX 隔离 DC-DC(Flyback / Forward 15–200 W)的 PCB 不是"通 |
| topic-aux-pol-rail-deep.md | concept | vendor | ECU 板内的 POL(Point-of-Load)DC-DC 是 SBC 主 rail(5 V)输 |
| topic-aux-power-fullstack.md | concept | primary | EV / 燃油车 / mHEV ECU 辅助电源设计有完整流程链路:Vbat 12V (KL30/K |
| topic-aux-sleep-wakeup-deep.md | concept | primary | EV 整车 12V KL30 (always-on) 上挂 30-60 个 ECU,IGN-off |
| topic-aux-supply-transformer.md | concept | vendor | 辅助电源变压器的设计不是"查表选磁芯"那么简单——它是功率、频率、隔离、EMI、热、成本六个维度同时 |
| topic-auxiliary-power-supply.md | concept | vendor | 汽车辅助电源的本质矛盾是"混乱的车载电压环境"与"精密数字电路对稳定电源的苛刻需求"之间的对立——设 |
| topic-axial-flux-motor.md | concept | primary | Axial Flux Motor (AFM) 回答的问题是"eVTOL / 高性能 EV / 摩托 |
| topic-balogh-gate-drive-fundamentals.md | concept | vendor | Laszlo Balogh 的栅极驱动设计指南是行业 20 年里唯一被三大半导体厂(Power In |
| topic-basic-components.md | concept | primary | 主驱逆变器里 90 % 的失效不是功率器件炸管，而是一颗选错的基础元件——错配的 X7R 电容容值在 |
| topic-bms-overview.md | concept | primary | BMS 是 EV 系统里功能密度最高的 ECU — 在一个 ASIL D MCU 上同时跑 5 套独 |
| topic-bms-safety.md | concept | primary | BMS 是 HV 系统里"信息密度最大、失效后果最严重"的 ECU——单次过充让 cell 进入 t |
| topic-bootstrap-circuit.md | concept | vendor | Bootstrap 回答的问题是"半桥的 High-Side MOSFET 的 source 在工作 |
| topic-bulk-cap-selection-deep.md | decision | vendor | ECU 12V input 上 bulk cap 用于:(1) cranking 维持 (Vbat |
| topic-busbar-design-deep.md | concept | primary | EV 主驱 HV 铜排(busbar)连接 电池 → DC link cap → SiC 模块 → |
| topic-bv.md | concept | secondary | BV 回答的问题是"我用正式产线试制一小批,能不能稳定复制设计"——它是 OTS 之后、PPAP 之 |
| topic-can-bus.md | concept | secondary | 汽车总线不是冗余，而是按速率、成本、拓扑三维分工——CAN 覆盖动力/底盘鲁棒通信，CAN FD 支 |
| topic-can-e2e-secoc.md | concept | primary | CAN/CAN-FD/Ethernet 是裸的、不可信的传输层——任何位翻转、ECU 错发、消息重放 |
| topic-ccm-dcm-bcm.md | concept | vendor | CCM/DCM/BCM 回答的问题是"我的 Buck 设计的电感放在哪个工作模式,这选择决定了控制难 |
| topic-cell-balancing.md | concept | secondary | 电池均衡回答的问题是"我串联 96 个 Li-ion cell,容量自然差异 ±5%,长期不均衡导致 |
| topic-ceramic-capacitors.md | concept | secondary | 陶瓷电容的价值不在于“它是一种常见被动件”，而在于它用不同介质体系把容量密度、频率特性、温度稳定性和 |
| topic-ceramic-substrate-dbc-amb-deep.md | concept | vendor | 陶瓷基板是功率芯片和散热器之间那块"既要导热、又要绝缘、还要承受冷热循环不开裂"的夹心板。它被三个互 |
| topic-charge-pile-overview.md | concept | primary | EV 充电桩是电网到 EV 电池的能量桥,典型 350 kW DC 超充架构:Grid 三相 380 |
| topic-charge-pump.md | vendor | 读完本页后，你应该能够： | |
| topic-circuit-simulation.md | concept | secondary | 没有一款仿真工具能在所有任务上都最优——仿真工具的选择是收敛性 × 精度 × 速度的三难困境。SPI |
| topic-cispr-25.md | concept | secondary | CISPR 25 回答的问题是"这个 ECU 自己发出来的电磁噪声会不会干扰车载接收机"——它和 t |
| topic-common-cause-failure-deep.md | concept | secondary | CCF (Common Cause Failure) 不是"分解视角的子话题",而是整个功能安全体系 |
| topic-comparator.md | concept | secondary | 比较器是把模拟世界的电压差翻译成数字世界的 0/1的桥梁。三个关键事实串联所有比较器设计：1 比较器 |
| topic-compensator-design.md | concept | vendor | 补偿器设计回答的问题是"我的 Buck 控制环不稳定 → 输出震荡 → 怎么调"——SMPS 不稳定 |
| topic-confirmation-measures-deep.md | concept | primary | Confirmation Measures (CM) 回答的问题是"功能安全 work produc |
| topic-confirmation-measures.md | concept | primary | Confirmation Measures 回答的问题是"我自己写出来的 Safety Case,凭 |
| topic-control-plan.md | concept | secondary | CP 回答的问题是"PFMEA 找到的高 RPN 风险,我打算在量产里怎么压住"——它把 topic |
| topic-cooling-system.md | concept | primary | 冷却系统不是"加个水冷板"那么简单——它是把 die 结上几百瓦热量沿着 5 段串联热阻(die→D |
| topic-cranking-robustness-deep.md | concept | primary | 燃油车 + 混动车启动时,起动机抽 100-400A 电流,12V 电池瞬时跌到 6V (LV124 |
| topic-csr.md | concept | secondary | CSR (Customer Specific Requirements) 回答的问题是"通用 IAT |
| topic-current-sensing-safety.md | concept | primary | 电流是 FOC 闭环的"眼睛"——眼睛瞎了或撒谎，控制器会输出错误扭矩 → 命中 ASIL C/D |
| topic-current-sensing.md | concept | secondary | 电流测量的核心矛盾是四个维度不能同时最优——量程（mA 到 kA）、带宽（DC 到 MHz）、隔离（ |
| topic-dab-dual-active-bridge.md | concept | primary | DAB(Dual Active Bridge) 是 1991 De Doncker 提出、2010s |
| topic-dab-soft-switching-deep.md | concept | primary | DAB 回答的问题是"我要做 双向 + 高功率密度 + 软开关 的 DC-DC,LLC 只能单向不行 |
| topic-dc-link-capacitor-selection-deep.md | decision | primary | EV 主驱 / OBC / 充电桩 / 光伏 都用 DC link 在功率回路里储能 + 滤纹波。选 |
| topic-dc-link.md | concept | vendor | DC-Link 不是"加个大电容"那么简单——它在功率回路里同时承担 4 个互相耦合的角色:① 平滑 |
| topic-dcdc-topology-comparison.md | concept | vendor | DC/DC 拓扑选型不是"谁效率最高",而是给定 Vin / Vout / Pout / 隔离要求 |
| topic-deadtime-tuning-deep.md | concept | vendor | 桥臂(half-bridge)上下管绝不能同时导通 — 否则 Vbus 经两管直接短路,瞬时 kA |
| topic-desat-protection-deep.md | concept | primary | DESAT(Desaturation detection)是 SiC / IGBT 主驱短路保护核心 |
| topic-desat-protection.md | vendor | IGBT 在饱和区 V{CE(sat)} 跟 collector 电流近似线性(线性度差但单调),典 | |
| topic-dfa-fmeda-fta.md | concept | primary | ISO 26262 的 quantitative + qualitative 分析不是单一动作,是三 |
| topic-dia-writing-deep.md | concept | primary | 既有 TSC + HSI + DIA §4-6 讲 DIA 是什么 + 8 类必含条款 + SEoo |
| topic-diagnostic-coverage-categories.md | primary | DC(Diagnostic Coverage)= 在所有"危险硬件失效"里,被诊断机制检出的比例: | |
| topic-diode-conduction-loss.md | concept | vendor | 整流二极管(Schottky / Fast-Recovery / Ultrafast)的导通损耗看似 |
| topic-diode-reverse-recovery-spike.md | concept | secondary | 高 fsw 逆变器里续流二极管的反向恢复尖峰不是稳态参数——稳态 datasheet 给的 只反映" |
| topic-direct-torque-control.md | concept | secondary | DTC(Direct Torque Control)和 FOC(Field-Oriented Con |
| topic-double-sided-cooling-deep.md | concept | primary | 既有 wiki 的 Power Module 热设计 在"热阻链 / Foster RC / 单面 |
| topic-driver-cmti-deep.md | concept | primary | CMTI (Common-Mode Transient Immunity) 测试驱动 IC 在隔离障 |
| topic-driver-ic-6vendor-comparison-deep.md | concept | vendor | 既有 Driver IC selection rubric 讲 怎么用 16 项 rubric 给一 |
| topic-driver-ic-fmeda-worked-deep.md | concept | primary | EV 主驱 ECU 的 FMEDA 报告分主功率链(IGBT/SiC 模块 + driver IC |
| topic-driver-ic-safety-manual-reading-deep.md | concept | primary | EV 主驱用的隔离栅极驱动 IC (Infineon 1ED34xx / TI UCC21750 / |
| topic-driver-ic-selection-rubric-deep.md | primary | 浅页 Gate Driver IC Landscape 把 2026 主流 driver IC 的 | |
| topic-driver-isolation-tech-compare-deep.md | concept | vendor | Gate driver 隔离技术 3 大流派:Capacitive (TI Si826x / UCC |
| topic-driver-pcb-kelvin-deep.md | concept | vendor | SiC 驱动 IC 选对了不等于驱动可靠 — PCB layout 是 SiC 驱动失效的第二大原因 |
| topic-driver-propagation-delay-matching-deep.md | concept | primary | 3 相主驱(6 个 driver IC,或 3 个 dual-channel IC)同步切换时,每个 |
| topic-driver-protection-fullstack.md | concept | vendor | EV 主驱 SiC / IGBT driver 设计是一组互锁约束 — 单点设计错(e.g., Mi |
| topic-driver-short-pulse-propagation-deep.md | concept | vendor | SiC / GaN 主驱高频化 (50-100 kHz PWM) + SVPWM 过零附近 → PW |
| topic-driver-soft-turn-off-design-deep.md | concept | primary | SiC 短路发生时,直接用正常 (4.7Ω)快速关断会引发反向击穿 — 大 在 stray indu |
| topic-driver-supply-ripple-noise-deep.md | concept | vendor | SiC / IGBT driver isolated supply (+15V/-3V) rippl |
| topic-driver-uvlo-deep.md | concept | vendor | UVLO (Under-Voltage Lockout) 是栅极驱动 IC最基础也最关键的保护机制之 |
| topic-driver-vee-negative-bias-deep.md | concept | vendor | Gate driver turn-off 时不能拉到 0V — 会因 Miller 干扰、dv/dt |
| topic-dtc-vs-foc-deep.md | decision | vendor | AC 电机有两条主流闭环控制方案:FOC (Field-Oriented Control) — Cl |
| topic-dv-pv.md | concept | primary | DV 和 PV 把"这颗零件能不能上车"拆成两个独立可证伪的问题：DV 证明设计值得量产（在规格边界 |
| topic-e-gas-architecture.md | concept | primary | e-GAS(德语 Elektronisches GASpedal,电子油门)的 "三层监控" 是德国 |
| topic-ee-architecture.md | concept | primary | E/E 架构的演进路径是从 100+ 个分散 ECU 的"联邦制"→ 按域聚合的"邦联制"→ 按区域 |
| topic-electro-thermal-simulation.md | concept | primary | "热仿真" 听起来需要专门的有限元工具(ANSYS Icepak / Comsol),但对功率半导体 |
| topic-emc-filter-deep.md | concept | vendor | EMI filter 回答的问题是"逆变器 SiC 高 dv/dt + 高 di/dt 必然辐射 + |
| topic-emc-insulation.md | concept | primary | EMC 不是 "PCB 工程师的黑魔法"，而是每一条走线、每一块铺铜、每一个高 dV/dt 节点都在 |
| topic-emi-filter-design.md | concept | vendor | EMI 滤波器不是简单"加颗共模扼流圈"——它是插在功率回路与电网 / 蓄电池之间的频域防火墙,要分 |
| topic-engineering-copilot.md | secondary | LLM Wiki v1 用 234 个 markdown 页堆出散文知识,AI 搜索 + 索引能查" | |
| topic-esd-emc-pcb-design-guide.md | concept | primary | 系统级 ESD 防护不是选一颗 TVS 那么简单 —— IEC 61000-4-2 脉冲的 意味着主 |
| topic-esd-protection-system-level.md | concept | primary | ESD(静电放电)是任何电子产品最常见的瞬态损坏源 —— 一个走在地毯上的人可触发 8-15 kV |
| topic-ev-3level-embedded-module-deep.md | concept | secondary | 800V SiC 主驱正在进入第二代设计:单管 2-level + Al-wire 模块已经摸到天花 |
| topic-ev-component-roadmap.md | vendor | 这不是一张静态百科页，而是一张面向未来 12 到 36 个月的战场页。真正要追的不是“某个器件是什么 | |
| topic-ev-ecu-fmeda-integration-deep.md | concept | primary | 本 session 已经分别 worked AUX 链 FMEDA(120 FIT,SPFM 99. |
| topic-ev-power-up-down-fsm-deep.md | primary | 单个 subsystem 设计正确 ≠ 系统级正确。POR 时序对 / driver UVLO 阈值 | |
| topic-ev-regulations-regional-comparison.md | primary | 读完本页后，你应该能够： | |
| topic-ev-regulations.md | concept | primary | EV 标准不是法规清单，而是「四类事故域 × 三层证据链」的工程合规系统。四类事故是 HV 触电 / |
| topic-ev-safety-development-flow.md | concept | primary | 电动汽车的功能安全开发不是"三个独立工程"(扭矩 + HV + 热各做一遍 ISO 26262),而 |
| topic-ev-traction-inverter-fullstack.md | concept | vendor | EV 主驱(traction inverter)是新能源汽车的"心脏" —— 整合功率器件 / 驱动 |
| topic-fail-operational-architecture-deep.md | concept | secondary | Fail-Operational 不是"做了冗余就完事",真正难的部分都在 shallow page |
| topic-fail-operational-architecture.md | primary | L3 量产实战(Mercedes / Honda / Tesla 三家拓扑对比)+ 3 种内部模式( | |
| topic-failure-mode-summary.md | concept | secondary | 功率电子与汽车电子领域的失效，90% 以上都可以归入六个根因家族——过压（电场击穿）、过流（热积累） |
| topic-failure-types.md | primary | 读完本页后，你应该能够： | |
| topic-fault-injection-examples.md | case | primary | Fault injection 方法论(详见 topic-fault-injection-testi |
| topic-fault-injection-test-deep.md | concept | primary | FMEDA 给出 SPFM/LFM/PMHF 的理论计算值;Fault Injection Test |
| topic-fault-injection-testing.md | concept | primary | 你说"我的 SM 诊断覆盖率 99%",怎么证?靠分析(FMEDA 计算)给的是上界,真值要靠 fa |
| topic-fit-fmeda-calculation.md | concept | primary | FMEDA 数字看起来是"查 SN29500 → 套 Excel 模板 → 算 SPFM/LFM/P |
| topic-flyback-converter.md | concept | vendor | Flyback 回答的问题是"我有一个 AC/DC 适配器,要从 220V → 5V/12V/19V |
| topic-flying-cap-buck.md | concept | vendor | FCML 回答的问题是"48V 数据中心 / 800V EV → 1V CPU 的转换比 48 倍, |
| topic-fmea-practical-guide.md | concept | secondary | FMEA 不是填表，而是把“功能会如何失效、为什么会失效、怎样把风险压下去”提前变成团队共识和行动闭 |
| topic-fmea.md | concept | primary | FMEA 是一组团队在产品/工序细节上做受控悲观推演的纪律——一行一个失效模式,逼工程师把"可能出什 |
| topic-fmeda-deep.md | concept | primary | FMEDA (Failure Modes, Effects and Diagnostic Analy |
| topic-foc.md | concept | vendor | FOC(Field Oriented Control / Vector Control) 是 EV |
| topic-forward-family.md | concept | vendor | Forward 回答的问题是"我有一个 200W-1kW 隔离电源,Flyback 已经太热,LLC |
| topic-forward-halfbridge-aux-deep.md | concept | vendor | Flyback 在 30 W 以上撞墙 — 变压器单端储能、原边峰值电流 ∝ Pout,30 W+ |
| topic-fpga-digital.md | concept | vendor | FPGA 不是"可编程的 CPU"，它是一片可编程的硬件——你在 HDL 里描述的不是"指令序列"， |
| topic-fpga-toolchain.md | secondary | 读完本页后，你应该能够： | |
| topic-freedom-from-interference.md | primary | ISO 26262 Annex E 是 FFI 的官方框架,定义了 4 个必须全部满足的隔离维度。任 | |
| topic-fsar-deep.md | concept | primary | FSAR (Functional Safety Assessment Report) 是 ISO 2 |
| topic-fsr-tsr-writing-deep.md | concept | primary | 既有 Part 3 Concept Phase 讲 FSC 是什么,既有 TSC + DIA 讲 T |
| topic-fta-deep.md | concept | primary | FTA (Fault Tree Analysis) 是 ISO 26262 Part 9 §7 推荐 |
| topic-functional-safety-chip-selection.md | secondary | 功能安全系统需要在满足 ISO 26262 规定的安全目标的前提下，完成硬件选型。选型的关键判断是： | |
| topic-functional-safety-engineer-guide.md | concept | primary | ISO 26262 功能安全是 EV 主驱 / BMS / VCU 项目最大单项投入 — ASIL |
| topic-functional-safety-industrial-vs-auto.md | decision | vendor | 工业(机器人 / 数控 / 电梯)和汽车(EV 主驱 / 转向 / BMS)虽然都按"防止失效造成人 |
| topic-functional-safety-tools-comparison.md | concept | secondary | ISO 26262 V-cycle 全程离不开商用工具 — 18-24 个月项目里至少要 10-15 |
| topic-functional-safety.md | primary | 读完本页（含其指向的 atomic 子页）后，你应该能够： | |
| topic-gan-devices.md | concept | secondary | GaN HEMT 的优势不来自"更厚的氧化层"或"更大的带隙"，而来自 AlGaN/GaN 异质结自 |
| topic-gan-power-stage.md | concept | secondary | GaN Power Stage 回答的问题是"我换了 GaN HEMT 想效率从 95% 提到 98 |
| topic-gate-driver-basics-semikron.md | concept | vendor | SEMIKRON AN 21-002 是把驱动 IC / driver core / plug-an |
| topic-gate-driver-current-design.md | vendor | 读完本页后，你应该能够： | |
| topic-gate-driver-ic-landscape.md | concept | vendor | 本页是 2026 driver IC 市场综述 + 参数表。如果想要5 维 FOM 评分体系 + 4 |
| topic-gate-driver-intro.md | concept | vendor | 栅极驱动存在的唯一理由,是 MOSFET 和 IGBT 都是"电荷控制"的器件,而 MCU 的 IO |
| topic-gate-driver-protection-chain.md | concept | primary | SiC 主驱栅极驱动不只是"把 PWM 信号放大开 MOSFET" — 它是整车 ASIL D 安全 |
| topic-gate-driver-safety.md | concept | primary | 栅极驱动 IC 是 MCU 控制信号 → 功率管栅极这条链的"信使",失效直接导致直通 / 烧管 / |
| topic-gate-driver.md | concept | vendor | 栅极驱动把控制器的微瓦逻辑信号翻译成功率器件所需的纳秒级大电流"指令"。设计艺术在于开关快（损耗低） |
| topic-hairpin-winding.md | concept | primary | Hairpin 回答的问题是"EV 主驱要在乘用车前舱 ~30L 体积内输出 200-500kW,散 |
| topic-half-bridge-gate-driver-l6390.md | concept | secondary | L6390 不是一颗"单纯的半桥驱动器",它是把 栅驱 + 智能保护 + 电流采样运放 + 集成 b |
| topic-halt-hass.md | concept | primary | HALT 和 HASS 回答的是 DV 不回答的问题——"我们离失效有多远?" DV 只证明"规格内 |
| topic-hara-worked-example-deep.md | concept | primary | ISO 26262 Part 3 HARA (Hazard Analysis and Risk As |
| topic-hara.md | concept | primary | HARA 是 ISO 26262 概念阶段的起点——把"这个 item 出错可能伤人"这件模糊的工程 |
| topic-hardware-element-assessment.md | secondary | 功能安全开发必须对所有进入安全相关系统的硬件要素进行符合性论证。评估的核心因果链为： | |
| topic-hardware-element-classification.md | concept | secondary | ISO 26262 把安全相关硬件按"运行状态数量 + 是否有内部安全机制 + 评估是否需要了解内部 |
| topic-high-side-switch.md | concept | vendor | 高侧开关的价值不在于"集成了一颗 MOSFET"——分立式方案也能做到。它的真正价值在于把保护和诊断 |
| topic-hsi-document-writing-deep.md | concept | primary | 既有 HSI Document 基础页 讲 HSI 是什么 / 必含 5 类信息,既有 TSC + |
| topic-hsi-document.md | primary | ISO 26262 把硬件设计(Part 5)和软件设计(Part 6)拆成两本独立标准,两侧靠 H | |
| topic-hv-inverter-iso26262-concept.md | primary | EV HV 主驱逆变器是 ISO 26262 实战最复杂的 item 之一,3 个 ASIL D S | |
| topic-hv-precharge.md | concept | primary | 本页讲 HV 预充 R / 接触器 / 粘连检测电路细节。系统级 FSM 把 Precharge 定 |
| topic-hv-safety.md | concept | primary | 高压安全回答一个问题：HV 母线（400/800 V）能不能在故障或碰撞后 5 秒内降到 < 60 |
| topic-hv-to-12v-flyback-deep.md | concept | vendor | EV PEU(主驱 / OBC / BMS / DC-DC)的 12V 辅助电源从 HV 母线反向取 |
| topic-iatf-16949.md | concept | primary | IATF 16949 回答的问题是"这家供应商有没有资格做汽车零件"——它不是"做好质量的方法",而 |
| topic-iec-60664-edition3.md | primary | IEC 60664-1 是低压设备绝缘配合的"母方法论",不光是"clearance / creep | |
| topic-iec-61508-overview.md | primary | IEC 61508 是 E/E/PE 功能安全的"母标准"——所有行业的具体安全标准(IEC 620 | |
| topic-iec-61800-5-2-stopping.md | primary | IEC 61800-5-2 是 工业 motor drive 功能安全标准(PDS-SR = Pow | |
| topic-igbt-module-datasheet-application.md | component | secondary | 本页是 topic-igbt-module-datasheet 的 §9-15 拆分子页 —— 从 |
| topic-igbt-module-datasheet.md | component | vendor | IGBT 模块 datasheet 不像 MOSFET 那样"VDS / RDS(on) / Qg |
| topic-igbt-structure-evolution.md | vendor | 读完本页后，你应该能够： | |
| topic-igbt-vs-sic-vs-si-decision-tree.md | decision | vendor | 给一个新功率设计选器件,3 个核心问题决定 90% 答案:(1) 电压? |
| topic-igbt.md | concept | vendor | IGBT 是一个天才的工程妥协——用 MOSFET 的栅极控制一个 BJT，靠少数载流子注入（电导调 |
| topic-imd.md | concept | primary | IMD 回答的问题是"800V HV 系统对车身/底盘绝缘下降到 50 kΩ 时,人触碰漏电会被电死 |
| topic-inductor-design.md | concept | secondary | 电感设计回答的问题是"我设计的 Buck 需要 10μH/15A 电感,买现成的 Coilcraft |
| topic-infineon-2000v-coolsic-module.md | secondary | 这一节先把“核心电气参数概览”的判断维度收拢到同一视图里，后面的表格用于横向比较各选项的边界。 | |
| topic-infineon-aurix-tc3xx-fusa-deep.md | concept | primary | 既有 topic-aurix-tc3xx-asil-d 浅讲了 TC3xx 与 MPC5744P 的 |
| topic-infineon-optireg-sbc-safety-deep.md | concept | vendor | 既有 NXP FS65 SBC deep 讲清了"NXP MCU 用户的事实选择",但 AURIX |
| topic-inverter-engineer-roadmap.md | concept | vendor | 这是 wiki 的导航页 + 学习路径——把 130+ 页知识按 6 主线 × 7 层级 组织,给" |
| topic-inverter-gate-driver.md | concept | vendor | 逆变器栅极驱动 IC 不只是"一个隔离缓冲器"——在 800 V / 300 kW / ASIL D |
| topic-iso-11452.md | concept | primary | ISO 11452 回答的问题是"ECU 在真实电磁场下还能不能干活"——和 ISO 7637 互补 |
| topic-iso-15118.md | concept | primary | ISO 15118 回答的问题是"EV 与充电桩之间怎么通讯,实现 Plug & Charge (插 |
| topic-iso-16750.md | concept | secondary | ISO 16750 是 ECU 模块级的"生存测试"——电气、机械、气候、化学四大类环境应力全覆盖。 |
| topic-iso-21434-cybersecurity-deep.md | secondary | ISO/SAE 21434 是汽车 E/E 系统全生命周期网络安全标准,与 ISO 26262 形成 | |
| topic-iso-21448-sotif-deep.md | secondary | SOTIF (Safety Of The Intended Functionality) 回答ISO | |
| topic-iso-7637.md | concept | primary | ISO 7637 回答的问题是"ECU 能不能在真实车辆电源线上活下来"。车辆电源线不是实验室直流电 |
| topic-iso21434-cybersecurity.md | primary | ISO/SAE 21434 是汽车网络安全的 "ISO 26262"——给整车 + ECU + 软件 | |
| topic-iso21448-sotif.md | primary | ISO 26262 处理"系统坏了导致 SG 违反"(malfunctioning behavior | |
| topic-iso26262-part10-guidelines.md | primary | Part 10 是 ISO 26262 series 的"informative 总览"——不强制( | |
| topic-iso26262-part11-semiconductors.md | primary | Part 11 是 2018 修订版新加的 part(2011 版没有),专门给半导体厂用。它解决的 | |
| topic-iso26262-part2-management.md | primary | Part 2 是 ISO 26262 的"组织 + 流程"层,回答"谁在什么时间做什么"——而不是 | |
| topic-iso26262-part3-concept.md | primary | Part 3 是 V-cycle 的最左上端——整个 ISO 26262 项目从 Item Defi | |
| topic-iso26262-part4-system.md | primary | Part 4 是 Part 3(概念)与 Part 5/6(硬件 / 软件)之间的桥梁——把 FSC | |
| topic-iso26262-part5-hardware.md | primary | Part 5 的核心不是 ASIL D 三个目标值(SPFM ≥ 99% / LFM ≥ 90% / | |
| topic-iso26262-part6-software.md | primary | Part 6 的核心不是"代码要怎么写"——MISRA C / 静态分析 / 单元测试 都是手段。真 | |
| topic-iso26262-part7-production.md | primary | Part 7 处理"release for production 之后"的所有阶段——功能安全要求不 | |
| topic-iso26262-part8-supporting-processes.md | primary | Part 8 是 ISO 26262 series 的"管理与方法"part,13 个 clause | |
| topic-iso26262-part9-asil-analyses.md | primary | Part 9 是 4 件套规则书:(1)ASIL Decomposition 把 ASIL D 拆成 | |
| topic-iso26262-v-cycle-fullstack.md | primary | ISO 26262 是车规功能安全唯一权威标准(2018 二版),12 个 Part 但实战核心是 | |
| topic-isolated-amplifier-selection-deep.md | decision | primary | 既有 Isolated Current Sensing 讲 sensor topology(shun |
| topic-isolated-current-sensing.md | concept | primary | EV 主驱 / 工业变频 / 储能 PCS / 充电桩 — 任何"高压侧大电流采样"都必须隔离(高压 |
| topic-isolated-forward-feedback.md | concept | secondary | 本节阐明光耦合器或数字隔离器在隔离式正激（Forward）变换器中的反馈环路如何在负载瞬态下调节占空 |
| topic-isolated-push-pull-deep.md | concept | primary | SiC 主驱的栅极驱动需要每个桥臂一组独立 +15/-3V 双轨,且与低压逻辑隔离 1500V+ r |
| topic-isolated-voltage-sensing.md | concept | primary | EV 主驱 / OBC / BMS / 充电桩等,任何 ≥ 60 V 的电压采样都必须隔离——共模电 |
| topic-isolation.md | concept | secondary | 隔离技术是高压功率电子系统的"护城河"——它在 HV 侧与 LV 侧之间建立一道物理屏障，允许信号和 |
| topic-lfdt-deep.md | concept | primary | ISO 26262 Part 5 §8.4.3 把硬件随机失效分两类:Single Point Fa |
| topic-lfpak-thermal-design.md | concept | secondary | Nexperia LFPAK 家族 4 个封装(LFPAK33 / LFPAK56D / LFPAK |
| topic-llc-resonant-converter.md | concept | secondary | LLC 谐振变换器是中高功率隔离 DC/DC 的主流拓扑(OBC / 服务器电源 / EV char |
| topic-load-dump-deep.md | concept | primary | Load Dump = 抛负载:车辆运行时电池突然断开(线缆脱落 / 电池失效 / 接触器跳开),但 |
| topic-lockstep-core-deep.md | concept | primary | ASIL D 单点 PMHF 要求 ≤ 10 FIT,单核 MCU 物理上做不到 — 一个 alph |
| topic-lv-aux-supply-deep.md | concept | vendor | EV PEU (主驱 / OBC / BMS) 都需要独立 + 多层级低压电源 给 MCU / SB |
| topic-magnetic-core.md | concept | primary | 磁芯是开关电源与逆变器里最定制化、最难选型的元件——不像电阻电容有万通型号,磁芯需要按"频率 × 磁 |
| topic-mcu-sbc-asil-d-integration.md | case | vendor | ASIL D 系统级达成不能靠单芯片硬扛——MCU 自己再"安全"也救不了电源失效 / 时钟失效 / |
| topic-miller-clamp-deep.md | concept | primary | 桥臂上管 turn-on 时,Vds 阶跃 dv/dt 通过 Cgd 灌电流到对管(下管) Vge, |
| topic-misra-c-2012-deep.md | concept | secondary | MISRA-C 2012 (Motor Industry Software Reliability |
| topic-mosfet-avalanche.md | concept | secondary | MOSFET 在 turn-off 瞬间被回路电感反向感应电压逼到 BVDSS 之上时,靠器件内部 |
| topic-mosfet-datasheet-reading.md | component | secondary | MOSFET 数据手册不是参数对照表,而是测试条件的集合——同一颗 die 在不同温度、不同 VGS |
| topic-mosfet-double-pulse-test.md | vendor | 读完本页后，你应该能够： | |
| topic-mosfet-gate-charge-switching.md | concept | secondary | MOSFET 数据手册给出 / / 三个 gate charge 参数,以及 / (Miller p |
| topic-mosfet-lifetime-aging-spice.md | concept | primary | 单做电气仿真 / 热仿真 / aging 实验 / lifetime 计算各自有完整方法,但把这四件 |
| topic-mosfet-loss-decomposition.md | vendor | 读完本页后，你应该能够： | |
| topic-mosfet-rg-selection.md | decision | secondary | 设计阶段提到 Rg 通常只想着"外部那颗几欧的电阻",但 die 里还有一颗 intrinsic R |
| topic-mosfet-soa-engineering.md | concept | secondary | 本页是 topic-mosfet-soa 物理篇的 §7-14 拆分子页 —— MOSFET 在汽车 |
| topic-mosfet-soa-spice-wrapper.md | concept | primary | 标准 L3 MOSFET SPICE 模型(5-terminal:D/G/S/Tc/Tj)只输出平均 |
| topic-mosfet-soa.md | vendor | 读完本页后，你应该能够： | |
| topic-mosfet-vgs-selection.md | decision | secondary | MOSFET datasheet 的 VGS-th(阈值)和 VGS-max(绝对最大栅源)是驱动设 |
| topic-mosfet.md | concept | vendor | 功率 MOSFET 的全部设计艺术，就是在 × × 这个三难困境中为你的工作点找一个平衡点；其余所有 |
| topic-motor-control.md | concept | secondary | 电机控制本质上是一个高速多环实时控制问题——在每个 50 μs 的 PWM 周期内，必须完成三相电流 |
| topic-mpc5744-mc33907-integration.md | concept | vendor | NXP / Freescale AN5099(2015,Tomas Kulig)是把一颗 ASIL |
| topic-msa.md | concept | secondary | MSA 回答的问题是"我测出来的数据到底是真的吗"——任何 Cpk / SPC / PV 报告的前提 |
| topic-mtpa-field-weakening-deep.md | concept | vendor | IPMSM 控制最深的层不是 "id 控磁 / iq 控转矩",而是三条几何约束在 dq 平面的交点 |
| topic-multichannel-driver-thermal.md | concept | primary | 单通道功率器件的热模型用 5 阶 Cauer / Foster ladder 就够(见 topic- |
| topic-multiphase-buck.md | concept | vendor | 多相 Buck 回答的问题是"我要做 100A 的 CPU 供电 (Vcore 0.8V),单相 B |
| topic-naxinmicro-products.md | secondary | 纳芯微（Novosense）是一家专注于汽车模拟及混合信号芯片的公司，已通过 ISO 26262 A | |
| topic-nxp-fs65-sbc-safety-deep.md | concept | primary | 既有 16 个低压辅助电源 deep 都聚焦 单个 DC-DC / LDO 设计(POL / Cra |
| topic-obc-dcdc.md | concept | primary | EV 车上除了主驱逆变器，第二大功率单元就是 OBC + HV DC/DC 二合一总成（Onboar |
| topic-obc-overview.md | concept | primary | 车载 OBC (On-Board Charger) 把交流电网变成电池可吸收的直流,并在 V2G/V |
| topic-observers-sensorless.md | concept | primary | FOC 强依赖转子位置 θe —— 但 resolver/encoder 是成本 + 可靠性 + 体 |
| topic-opamp-analog.md | concept | vendor | 运算放大器是把精度换成带宽、把带宽换成稳定性的器件。三个关键事实把所有运放设计问题串起来：1 负反馈 |
| topic-opamp-cookbook-advanced.md | concept | secondary | 本页是 topic-opamp-cookbook 的 §8-13 拆分子页 —— 高级运放电路:DC |
| topic-opamp-cookbook.md | concept | secondary | 运放电路设计的难点不在"算公式",而在从 50+ 个标准拓扑里挑出最适合当前 source / lo |
| topic-opamp-feedback-stability.md | secondary | 读完本页后，你应该能够： | |
| topic-ots.md | concept | secondary | OTS 回答的问题是"我用正式模具/工装能不能做出符合设计的零件"——它是 PEU 项目里第一次用正 |
| topic-pcb-design.md | concept | secondary | 功率 PCB 不是信号 PCB 的"放大版"——每条走线都是电感，每个回路都是变压器，每片铜都是散热 |
| topic-pcmc-buck-control-loop.md | concept | secondary | Peak Current Mode Control (PCMC) buck 是工业最广 dc-dc |
| topic-peu-deliverables.md | concept | primary | 这页回答的问题是"作为 PEU 项目经理/总师,我手头要管哪些交付物,什么时候交,交给谁"——它不是 |
| topic-peu-development.md | concept | primary | PEU（主驱逆变器 / OBC / HV DC-DC）的"上车证"是一条 24~36 个月的 V 模 |
| topic-peu-regulations.md | concept | primary | 这页回答的问题是"我做主驱 inverter / OBC / DC-DC,要同时满足哪些法规"——不 |
| topic-pfc-power-factor-correction.md | concept | primary | 任何"AC 电网 → DC 母线"接口都必须做 PFC(功率因数校正):不做 PFC 的整流桥后挂大 |
| topic-pi-tuning-methodology.md | concept | vendor | FOC 电流环、PSFB 电压环、PFC 电流环、Buck/Boost 电压环 — 几乎所有功率电子 |
| topic-planar-interconnect-deep.md | concept | primary | 既有 wiki 的 topic-power-module-packaging 把"互连"列为四大矛盾 |
| topic-por-sequencing-deep.md | concept | primary | 本页讲单子系统(MCU + SBC rail sequencing)上电细节。系统级整合(POR + |
| topic-position-sensing-safety.md | concept | primary | 转子角度 θ 是 FOC 的"方向感"——Park 变换里的 sin/cos 用错角度,d-q 轴电 |
| topic-position-sensing.md | concept | secondary | 位置传感器是电机控制系统的"眼睛"——FOC 算法需要实时精确的转子角度 θ 才能完成 Park/C |
| topic-power-device-comparison.md | concept | secondary | Si、SiC、GaN 三种功率器件并非谁淘汰谁，而是三条不同的物理-工艺-成本权衡曲线。选错材料会让 |
| topic-power-electronics-trends.md | concept | vendor | 下一轮功率电子的价值不在"器件性能更好"，而在 SiC / GaN 让系统架构能跨越式重构——HVD |
| topic-power-electronics.md | concept | secondary | 功率电子学是用电感和电容充当"能量水池"，用功率开关控制水池的充放节奏，最终把一个电压/频率的能量转 |
| topic-power-module-overview.md | concept | primary | 功率模块是 EV PEU 的"心脏",一个 300 kW SiC 主驱模块要做四件事:(1) 把 S |
| topic-power-module-packaging.md | concept | primary | 功率模块封装同时在四个维度上做妥协：导热（把 kW 级热量排到散热器）、绝缘（几千伏对地）、互连（低 |
| topic-power-module-thermal-deep.md | concept | primary | 功率模块热设计回答的问题是"SiC die 损耗 300-800 W,die 面积 50-200 m |
| topic-power-supply-design.md | concept | vendor | 电源设计是把一个电压变成另一个电压的艺术，三种主流技术各自占据一个"工作点"——LDO 用热量换简单 |
| topic-ppap.md | concept | secondary | PPAP 回答的核心问题不是"你能不能做出一个好零件"，而是"你能不能稳定地批量做出好零件"。Pro |
| topic-protection-devices.md | concept | secondary | 保护器件的设计哲学是"让便宜的器件先死"——用一个能反复承受瞬态的 TVS / MOV / GDT |
| topic-psfb-phase-shift-full-bridge.md | concept | vendor | PSFB(Phase-Shift Full Bridge) 是 1990s-至今的隔离 DC/DC |
| topic-resolver-decode-deep.md | concept | primary | EV 主驱 resolver 是物理传感器,解算 IC 是把 sin/cos 调制信号变成数字角度 |
| topic-resolver-rdc.md | concept | vendor | EV 主驱、工业伺服、风机变桨、机器人关节—— 位置传感的工业标准是 resolver(旋变)+ R |
| topic-resolver-vs-encoder-vs-sensorless.md | decision | vendor | AC 电机 FOC 必须知道实时转子位置 θ 喂 Park 变换,3 种主流方案:(1) Resol |
| topic-reverse-polarity-protection-deep.md | concept | primary | 车辆维修 + 拖车 + 应急启动场景电池正负极接反(典型 4-5% 概率),12V → -12V 反 |
| topic-safe-state-manager-deep.md | concept | primary | 本页讲 Safe State 维持机制 + B(D)+B(D) 双路径。系统级 FSM 把 Safe |
| topic-safety-assessment-audit.md | primary | ISO 26262 Part 2-6.4.7 定义 3 种独立检查,三者并行,不能互替。Confir | |
| topic-safety-case-gsn-authoring-deep.md | concept | primary | 既有 Safety Case 总览 讲 GSN 5 符号 + 一张追溯示例,既有 EV ECU FM |
| topic-safety-case.md | case | primary | Safety Case 不是一份文档,是一组结构化论证——证明"系统在指定运行场景下达到 accep |
| topic-safety-management-fsm.md | primary | ISO 26262 Part 2 Clause 5-7 把 FSM 分三层,三者并行,职责不可互替。 | |
| topic-safety-manager-role-deep.md | concept | primary | ISO 26262 Part 2 §5 把功能安全组织职责划分为 3 个角色:(1) Safety |
| topic-safety-manual-writing-deep.md | concept | primary | 既有 Driver IC Safety Manual 阅读法 讲 Tier-1 怎么读 Safety |
| topic-safety-manual.md | concept | primary | Safety Manual 是 SEooC IC supplier(NXP / Infineon / |
| topic-safety-mechanism-catalog.md | concept | primary | ISO 26262 的 SPFM / LFM / PMHF 三个量化指标只能靠"诊断 + 控制 + |
| topic-safety-plan-writing-deep.md | concept | primary | 既有 Safety Management & FSM 讲 FSM 三层体系(Safety Plan |
| topic-safety-validation.md | primary | ISO 26262 严格区分这两个概念,但工程师常误用。Verification 答"做对了"(wo | |
| topic-sar-adc-front-end.md | vendor | 读完本页后，你应该能够： | |
| topic-sbc-mc33907-design.md | concept | secondary | NXP MC33907/08 是为 ISO 26262 ASIL D 车规 ECU 设计的"系统基础 |
| topic-sbc-multi-rail-sequencing-deep.md | concept | primary | 本页讲 SBC 内部 sequencer + Latch-up + WDG 内部细节。把 SBC 时 |
| topic-sbc-watchdog-deep.md | concept | primary | 看门狗(Watchdog,WD)的本质是SBC 监视 MCU 是否在按预期跑代码 — MCU 挂了就 |
| topic-sbc.md | concept | vendor | 汽车 MCU 不能独立工作——它需要电源、总线收发器、看门狗、唤醒管理，这些"基础设施"由 SBC |
| topic-semiconductor-physics.md | concept | secondary | 所有功率半导体器件——MOSFET、IGBT、SiC、GaN、二极管、TVS——都在回答同一个问题： |
| topic-seooc-engineering-deep.md | concept | secondary | SEooC(Safety Element out of Context)是"安全论证链留了一个 ho |
| topic-seooc.md | concept | primary | SEooC 是 ISO 26262 给"芯片厂商 / 通用模块开发商"开的合规口子——MCU / 栅 |
| topic-short-circuit-protection.md | primary | 短路按"何时发生"分 3 类,保护策略各不同——type 1 容易,type 2 难,type 3 | |
| topic-sic-body-diode-degradation-deep.md | concept | primary | SiC MOSFET 里寄生着一个 PiN 体二极管（body diode——MOSFET 源-体- |
| topic-sic-commercial-products.md | vendor | 读完本页后，你应该能够： | |
| topic-sic-devices.md | concept | vendor | SiC MOSFET 不是"更好的硅 MOSFET"，而是一种完全不同的器件——它的优势来自材料物理 |
| topic-sic-discrete-mosfet-pcb-layout-deep.md | concept | primary | 既有 16 driver deep 都聚焦 driver IC 设计,既有 Driver PCB K |
| topic-sic-driver-advanced-features.md | concept | vendor | 把 Si IGBT 的标准驱动直接用到 SiC 上是致命错误——SiC 的 6 个特性差异要求专用驱 |
| topic-sic-driver-special-deep.md | concept | primary | SiC 驱动 IC 与 IGBT 驱动不能直接互换——这不是营销话术,而是 5 个物理差异:(1) |
| topic-sic-gate-loop-parameters.md | concept | secondary | SiC MOSFET 的开关瞬态行为不是器件本征,被驱动回路里的 / / 三参数共同决定;真正的控制 |
| topic-sic-gate-voltage-oscillation.md | concept | primary | SiC MOSFET 关断瞬态的栅压振荡是双向危险:正向尖峰 超过阈值导致 spurious tur |
| topic-sic-module-datasheet.md | component | vendor | SiC 功率模块 datasheet 的解读关键不在背参数，而在把测试条件、测量位置、寄生参数、热边 |
| topic-sic-mosfet-gen4-rohm.md | concept | secondary | ROHM 第 4 代 SiC MOSFET(2021 量产)不是渐进升级,而是同时打破三个传统 tr |
| topic-sic-mosfet-parallel.md | concept | secondary | SiC MOSFET 并联难，不是器件本身有问题，而是它的开关速度极快——任何 ns 级栅极延迟、任 |
| topic-sic-parallel-and-sc-timing-deep.md | concept | vendor | 既有 16 driver deep 都聚焦 单管 driver IC 设计(UVLO / Mille |
| topic-sic-physics-compact-model.md | concept | primary | 工程师把 Si MOSFET SPICE 模型(如 BSIM)直接套到 SiC 上,会出现 4 个明 |
| topic-sic-power-module-datasheet.md | component | secondary | SiC 模块 datasheet 把"型号 → 极限参数 → 电气特性 → 热特性 → 机械特性"层 |
| topic-sic-vs-gan-tradeoff-deep.md | decision | primary | SiC 和 GaN 都是第三代宽禁带半导体 (WBG),但物理参数差异显著决定它们走不同应用:SiC |
| topic-sinter-die-attach-deep.md | concept | primary | Die-attach(芯片贴装层)是把功率芯片粘到 DBC 基板上的那一薄层连接材料——热从这里流向 |
| topic-smt-sandwich-process.md | secondary | SMT 三明治工艺通过在同一块 PCB 的正反面分别完成元件贴装与回流焊，以形成 元件‑PCB‑元件 | |
| topic-sn29500-reliability-prediction.md | concept | primary | SN 29500 是 IEC 61709 在 Siemens 内部的具体数据化实现:给一组参考工况下 |
| topic-snubber-circuits.md | concept | vendor | Snubber 回答的问题是"我的开关管 Vds 上有 100ns 内 800V 尖峰,把 600V |
| topic-soc-ekf-deep.md | concept | primary | Coulomb counting 简单但电流采样 0.1% 误差累积 1 小时 → ±5% SOC, |
| topic-soc-estimation.md | concept | primary | SOC (State of Charge) 估算回答的问题是"这块电池现在还有多少电"——看似简单, |
| topic-soft-switching-zvs-zcs.md | concept | primary | 任何高频功率变换器都绕不过"开关损耗"这道坎——硬开关时每次开关瞬间 V × I 同时大,损耗 ∝ |
| topic-software-safety.md | concept | primary | wiki 里硬件安全(电流/电压/位置/温度/驱动诊断)讲了 80%,但 inverter 项目的另 |
| topic-spc.md | concept | primary | Cpk 给的是过程能力快照——这一批 300 件统计上能不能进规格。但量产是连续的,过程会漂：模具磨 |
| topic-special-characteristics.md | concept | secondary | 特殊特性管理的核心逻辑是不平等对待——不是所有尺寸/参数都值得用 SPC 控制图去盯，但那些一旦失控 |
| topic-spice-mosfet-models.md | vendor | 读完本页后，你应该能够： | |
| topic-spread-spectrum-deep.md | concept | primary | 固定 PWM 频率 让噪声集中在 + 谐波 几个尖峰,CISPR 25 频谱看上去就是 "山峰阵列" |
| topic-spread-spectrum.md | concept | vendor | Spread Spectrum 回答的问题是"我 PCB 设计好了 + EMI Filter 也加了 |
| topic-st-stgap4s-driver-deep.md | concept | vendor | 既有 6 厂商横评 deep 覆盖 TI / Infineon / ADI / Rohm / Ons |
| topic-stl-bist-runtime-selftest.md | primary | BIST(Built-In Self-Test)是芯片内置的自测能力,STL(Self-Test L | |
| topic-stpa-hazard-analysis-deep.md | concept | secondary | Shallow page 讲了 STPA 4 步基本流程,但 L3+ 项目实操有 4 件 shall |
| topic-stpa-hazard-analysis.md | primary | STAMP/STPA/CAST 三件套关系 + UCA 4→14 sub-types 完整分类 + | |
| topic-svpwm-deep.md | concept | vendor | SVPWM 回答的问题是"FOC 算出 → 反 Park 得 → 如何用三相 6 开关产生这个矢量并 |
| topic-svpwm-modulation.md | concept | vendor | EV 主驱 / 工业变频器 / 光伏逆变 / 风电变流器,任何"DC 母线 → 三相 AC"都绕不过 |
| topic-synchronous-rectification.md | concept | vendor | 同步整流回答的问题是"我的 5V/10A 输出电源,二极管整流 VF=0.4V 损耗 4W (效率 |
| topic-temperature-sensing-safety.md | concept | primary | 温度信号和电流/电压/位置最大的差别——它的物理时间常数大(几秒到几分钟),但失效后果不可逆(器件烧 |
| topic-thermal-management.md | concept | vendor | 热管理是功率电子设计里唯一可以用欧姆定律思考的子系统——温度差 = 电压，功率 = 电流，热阻 = |
| topic-thermal-safety.md | concept | primary | 热安全回答两个紧邻但独立的问题：功率器件的 不超限（SiC 225 ℃ / IGBT 175 ℃ / |
| topic-three-phase-pfc-deep.md | concept | primary | 三相 PFC 回答的问题是"电网 3 相 380V/50Hz 不能直接接电池 (电压不匹配、电流非正 |
| topic-three-phase-transforms.md | concept | vendor | 三相电机的电压、电流、磁链在 abc 坐标系下都是耦合且时变的正弦量,把它们当成 AC 信号直接做 |
| topic-ti-bq40z80-bms-gauge-deep.md | concept | vendor | 既有 wiki 的 BMS 信息链里,BQ79616 AFE 深度 与 ADBMS6830 AFE |
| topic-ti-bq79616-bms-afe-deep.md | concept | primary | 既有 BMS 全栈 hub 给了 cell-monitor → master MCU 信号链全景,既 |
| topic-ti-hercules-tms570-asil-deep.md | primary | 既有 AURIX TC3xx 讲 Infineon 系 ASIL D MCU 的 SMU + 6 核 | |
| topic-ti-lm5180-wide-vin-deep.md | concept | primary | EV / 商用车 / 工业控制里"12V 电池(或 24-48V)产生隔离辅助电源给 IGBT/Si |
| topic-ti-ucc5870-driver-deep.md | concept | vendor | 既有 6 厂商横评 deep 把 TI 代表放在 UCC21750-Q1(±10A 中档 SiC/I |
| topic-tool-qualification-deep.md | concept | primary | ISO 26262 Part 8 §11 要求开发 ASIL ≥ B 项目用的每个工具必须 qual |
| topic-tool-qualification.md | concept | primary | Tool Qualification 回答的问题是"我用 Simulink 自动生成的代码,凭什么相 |
| topic-torque-safety.md | concept | primary | 扭矩安全回答一个问题：驾驶员请求的扭矩和电机实际输出的扭矩之间的偏差，是否总被感知、总能在 FTTI |
| topic-transformer-design.md | concept | secondary | 变压器设计回答的问题是"我的 LLC/Forward 200W 需要做一个匝比 12:1 的变压器, |
| topic-tsc-dia.md | concept | primary | TSC 和 DIA 回答的是 ISO 26262 项目里最容易混的两个问题——TSC:"Functi |
| topic-tvs-application-design.md | concept | secondary | TVS 不是"焊上就行"的元件——选 uni-directional 还是 bidirectiona |
| topic-vcu-overview.md | concept | primary | VCU (Vehicle Control Unit) 是 EV 整车的核心仲裁中枢 — 它本身不直接 |
| topic-vda-6-3.md | concept | secondary | VDA 6.3 回答的问题是"OEM 怎么审一家供应商,确认它能稳定供货"——它不是 IATF 16 |
| topic-vge-ringing-overshoot-deep.md | concept | primary | SiC MOSFET turn-on 时 driver 推大电流到 Gate,Gate 走线 + d |
| topic-vienna-rectifier.md | concept | vendor | 三相 PFC 回答的问题是"我的 OBC 要从 380V 三相电网取 11-22kW 电充进电池,既 |
| topic-voltage-sensing-safety.md | concept | primary | 电压链的核心矛盾和电流不一样——电流错会让控制器算错扭矩，电压错会让整车进入物理危险（HV 失控、电 |
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