📰 技术文档 Feed — 2026-04-19 06:02

Toshiba ships SmartMCD samples with zero-speed sensorless FOC for automotive BLDC motors

• 来源: charged-evs | 评分: 80 | 📥 → GitHub
• 日期: 2026-04-18
• Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation has started shipping engineering samples of the TB9M030FG, the latest in its SmartMCD series of automotive motor control devices. The chip combines a m

Silicon carbide CoolSiC™ MOSFETs

• 来源: infineon-training | 评分: 40 | 📥 → GitHub

Protocol, Link, & Physical: Synopsys Debuts First ‘Complete’ Storage

• 来源: allaboutcircuits | 评分: 30 | 📥 → GitHub
• The flash storage solution is the first complete IP set to include UFS 5.0, UniPro 3.0, and M PHY v6.0—and it delivers double the speed of UFS 4.0.

CoolSiC™ Schottky diodes

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🤖 AI 要点：要点：Infineon的CoolSiC™氮化硅肖特基二极管采用宽禁带SiC材料，实现了600 V至2000 V的高耐压；该器件具有零反向恢复电荷、纯电容式开关特性以及高结温工作能力，显著降低了开关损耗并提升了系统效率；第五代（G5）产品进一步优化了结构，提升了可靠性和成本效益；适用于逆变器

Power Integrations Extends Flyback Topology to 440W With GaN

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• At APEC 2026, Power Integrations introduced its TopSwitchGaN 440 W, which unites PowiGaN switches with traditional TOPSwitch architecture, simplifying high-power designs.

Nuvoton Unveils MCU With Cortex-M33 Core Aimed at Smart Devices

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• The NuMicro M3331 series runs at up to 180 MHz and integrates hardware security, CAN FD, and LED control interfaces across packages as small as 4 × 4 mm.

EW ‘26 Exclusive—Nuvoton Talks MCUs: Low-Power, Edge AI, Automotive, and More

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• We spoke to Nuvoton’s Walter Tseng in this exclusive Embedded World 2026 interview. Our focus was all things microcontrollers, ranging from low power to Edge AI to automotive MCUs.

Mesh AI: Node-Level Intelligence with Non-Cellular 5G/6G Connectivity

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• Learn how LM Semi's Mesh AI platform delivers autonomous, secure, node-level intelligence via non-cellular NR+ mesh networks, addressing AI scalability for billions of devices.

Tesla owner uses emergency solar to trickle charge after running out of battery in desert

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• 日期: 2026-04-19
• A YouTuber driving a Tesla Model X the entire length of the Americas ran out of battery in Chile’s Atacama Desert — the driest place on Earth — and had to deploy emergency solar panels on the side of

Tesla launches ‘Robotaxi’ in Houston and Dallas with tiny geofences

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• 日期: 2026-04-18

🤖 AI 总结 要点：特斯拉在休斯顿和达拉斯推出了Robotaxi服务，但覆盖范围较小，仅为25平方英里左右。 该服务的具体细节（如车队规模、是否有人工监控、定价）尚未公布。 特斯拉在自动驾驶安全方面面临挑战，其事故发生率高于人类驾驶员。 Waymo已在两座城市运营无人驾驶汽车，并在规模上领先于特斯拉。 关键数据：25平方英里 (休斯顿 geofence) ｜ 4-12 (特斯拉在奥斯汀的无人监控车辆) ｜ 80 (奥斯汀总车辆数) ｜ 15 (事故报告) ｜ 4-9倍 (比人类驾驶员更高的事故率) 技术路径：特斯拉使用类似地理围栏的方式限制Robotaxi的运行区域，采用遥控监管和人工监控员两种方式保障车辆运行，但主要依赖人工监控。 Waymo使用完全无人驾驶技术，并且已经实现规模化运营。 工程权衡：特斯拉在安全问题尚未完全解决的情况下扩张服务范围，这是一种权衡。 在雨天，特斯拉的Robotaxi服务会暂停运营，这限制了服务可用性。

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Backup power is the LEAST interesting thing your home battery can do [update]

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• 日期: 2026-04-18
• Almost everyone positions home solar panel systems with home batteries as backup grid power insurance – and while that can be vitally important in a whole host of “what if” scenarios, keeping the ligh

Indie Semiconductor Releases First Commercial UV DFB Laser at 399 nm

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• Geared for quantum systems, Indie engineered the narrow-linewidth laser engineered for ytterbium atom cooling, which eliminates the need for external optical stacks.

How Two Motorola Transistors Became the World’s Default NPNs

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• Registered by Motorola in 1962 and the mid-1960s, the 2N2222 and 2N3904 outlasted thousands of rivals through process innovation, cheap packaging, and a JEDEC numbering system that turned them into mu

Magnetic position sensors

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🤖 AI 总结 要点：英飞凌提供广泛的XENSIV™磁位置传感器，适用于汽车、工业和消费领域。这些传感器基于霍尔或磁阻技术，用于检测磁场的存在和强度，实现角度、线性和3D位置的精确测量。该产品线提供从低端到高端的多种选择，满足不同应用的需求，并强调可靠性和能效。 关键数据：— 技术路径：通过霍尔效应或磁阻效应检测磁场；利用专有技术优化传感器性能；提供角度、线性、3D位置检测方案。 工程权衡：不同类型的磁传感器适用于不同的精度、功耗和应用场景，需要在成本、性能和功耗之间进行权衡。

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Using Capacitance for Extremely Sensitive Proximity Sensing

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• 日期: 2026-04-19

🤖 AI 总结 要点：本文展示了利用 Raspberry Pi Pico 的内置 GPIO 电容和可编程下拉电阻形成 RC 电路，通过测量充放电时间实现皮法量级电容测量。通过将金属板与手或 ABS 管的介电变化耦合，实现了对板间重叠面积或介电常数微小变化的敏感检测。该方法无需外部专用传感器芯片，仅依赖单片机 I/O 固有寄生电容即可达到纳米级位移分辨率的量级。实验表明可以检测到通过厚木板的人体手部耦合以及 ABS 管介电常数的细微变化。与传统电容位移传感器相比，该方案成本低、实现简单，适用于需要相对灵敏但不要求极高精度的近距离接触或非接触检测场景。然而，测量结果同时受到 X、Z 轴位移影响，需额外校准或机械约束才能获得单一轴的位置信息。 关键数据： — 技术路径：利用 Pico GPIO 的固有电容与下拉电阻构成 RC 电路，通过测量高电平转低电平的时间常数提取电容值，进而实现电容耦合检测。 工程权衡：方法成本低且

What Can You Run on a 1960s Univac? Anything You’re Willing To Wait For!

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• 日期: 2026-04-18
• There are two UNIVAC 1219B computers that have survived since the 1960s and one of them is even operational. [Nathan Farlow] wanted to run a Minecraft server on it, so …read more

RF transistors

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🤖 AI 要点：要点：Infineon的RF晶体管产品线覆盖低噪声和高线性两大类，采用先进的SiGe和GaN工艺实现低噪声系数和高增益；高线性RF晶体管专为最高6 GHz的功率放大器设计，提供良好的功率效率和线性度；低噪声RF晶体管则可工作到12 GHz，噪声系数极低，适用于敏感接收路径；RF MOSFET搭配主动偏置控制器，进一步提升宽带特性和温

High-linearity RF transistors

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🤖 AI 总结 要点：英飞凌提供高线性度射频晶体管，适用于中等射频功率放大器应用，具有高OIP3和OP1dB。该器件覆盖MHz到6GHz的宽工作频率范围，能够在无线通信、卫星通信、多媒体设备和无绳电话中实现卓越的信号处理。高线性度通过优化晶体管设计和工艺来实现，以减少谐波失真和互调失真。这些晶体管的高增益特性有助于提升整体系统性能和降低噪声系数。 关键数据：OIP3 30 dBm ｜ OP1dB 20 dBm ｜ 频率范围 < 6 GHz 技术路径：通过优化晶体管结构和材料，实现高线性度和增益。 工程权衡：高线性度设计通常需要在功耗、增益和其他性能参数之间进行权衡。

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Low-noise RF transistors

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Bipolar transistors

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AF digital transistors

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🤖 AI 总结 要点：英飞凌的AF数字晶体管集成了偏置电阻，降低了BOM成本，主要用于开关电路和逆变器等数字应用。这些器件提供高达50V的击穿电压和高达500mA的集电极电流，拥有高电流增益和低饱和电压，旨在简化电路设计。产品组合包含PNP和NPN两种极性，以及单路和双路配置。 关键数据：击穿电压 50V ｜ 集电极电流 500mA ｜ 电流增益 (hFE) max. 630 ｜ 封装 SOT23, SC74, SOT363, SOT323 技术路径：采用内置偏置电阻的BJT结构，通过选择合适的电阻值实现数字开关功能，省去了外部偏置电阻，简化外围电路设计用于多种应用场景。 工程权衡：由于是小信号器件，电流能力有限，主要用于逻辑控制和开关应用，不适合直接驱动大功率负载。在选择器件时需要考虑电压和电流需求，以及合适的封装形式。

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AF fast switching transistors

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AF general-purpose transistors

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🤖 AI 总结 要点：Infineon AF 通用双极晶体管提供最高 100 V 的击穿电压和可达 1 A 的集电极电流，适用于音频频段至 250 MHz 的宽带应用；具备高直流电流增益（$h_{FE}$ 最大 800）和低集电极‑发射极饱和压降低功耗；产品覆盖 NPN 与 PNP、单/双管以及 SOT23、SOT89、SOT223 封装，满足汽车、工业、通信等多领域需求；提供完整的 SPICE 模型、封装库和 PCB 符号，便于仿真与布局设计。 关键数据：$V_{BR}$ 100 V ｜ $I_C$ max 1 A ｜ $h_{FE}$ max 800 ｜ $f_T$ 250 MHz ｜ 封装 SOT23、SOT89、SOT223 技术路径：采用传统双极结结构，优化结宽与掺杂以实现高增益与低 $V_{CE(sat)}$，并通过标准小信号封装实现高频特性。 工程权衡：高增益会导致基极电容增大，限制最高工作频率；低 $V_{CE(sat)}$ 需在功率和散热之间权衡；SOT 封装限制最大功率耗散。

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AF high-voltage transistors

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🤖 AI 总结 要点：英飞凌提供音频频率（AF）高压晶体管，旨在满足包括汽车在内多种应用需求。这些晶体管具有高达300V的击穿电压和高达500mA（原文0.8A vs 500mA不一致）的集电极电流。强调其低饱和电压和高功率耗散能力。同时提供SPICE模型库和PCB设计数据以简化设计流程。 关键数据：$V_{br}$ max 300V ｜ $I_C$ max 0.8A (or 500mA) ｜ 封装 SOT23, SOT89, SOT223 技术路径：采用双极型晶体管技术，提供NPN和PNP两种极性选择，针对高压应用设计并提供SPICE模型支持。 工程权衡：高压能力与AF应用场景相结合，需权衡开关速度和功率损耗。未明确提及具体应用电路和性能参数，设计时需参考数据手册。

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OPTIREG™ Multi-CAN Power+ SBC

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