PowerPAK + 各厂命名对照）

功率器件L4别名 MOSFET封装 · 三极管封装 · BJT封装 · 晶体管封装 · SOT-23 · SOT-23-5 · SOT-23-6 · SOT-323 · SC-70 · SOT-363 · SC-88 · SOT-523 · SOT-563 · SOT-723 · SOT-883 · SOT-89 · SOT-223 · DPAK · TO-252 · D2PAK · TO-263 · D2PAK-7 · Power SO-8 · SO-8 FL · PQFN · SuperSO8 · DirectFET · PowerPAK · PowerPAK SO-8 · PowerPAK 1212 · OptiMOS · NexFET · PG-TDSON · PG-VSON · PG-HSOF · 功率MOSFET封装 · 小信号封装

本质与导读

本质晶体管封装由一条因果主线支配:封装要同时服务散热和低寄生电感两个目标,而二者权重随工作电流量级单调变化。小信号管几乎不发热,唯一约束是占板面,于是一路缩小到 $1.0 \times 0.6$ mm 的微型无引线壳;功率管的命门是导出结点热量、压低开关回路引线电感,于是从 gull-wing 引线 + 背 tab 演化到底部整面铜焊盘直贴 PCB。

主线坐标:第 5 站 · 逆变器(栅驱 + 功率模块) · ↑ 全景主线

1. 一条主线：小信号看体积，功率看热阻与电感

晶体管封装看似五花八门，其实由一条因果主线统一支配：封装要同时服务"散热"和"低寄生"两个目标，而这两个目标的权重随工作电流量级单调变化。把这条线抓住，后面几十个封装就只是同一逻辑在不同电流档上的具体落点。

晶体管封装演化主线：横轴电流量级（mA 到百 A），纵轴封装家族，标注小信号区看体积、中功率区引入背 tab、功率区取消引线改底部焊盘

小信号区（结耗散远小于 1 W）里，结点温升本就可忽略，封装的唯一竞争维度是占板面积与可堆密度。于是同样 3 脚的管子，从 SOT-23（ $2.9 \times 1.3$ mm）一路缩到 SOT-723（ $1.2 \times 0.8$ mm）、SOT-883（ $1.0 \times 0.6$ mm），引线也从 gull-wing 弯脚改成贴体的无引线焊端。多脚版本（SOT-23-5/6、SC-70-6）则是为了在一颗壳里塞双管、带电阻偏置网络或做逻辑电平 MOSFET。

进入中功率区（约 1–3 W），引线本身的热阻成了瓶颈，封装开始引入背面金属 tab（heat slug）：SOT-89 把集电极/漏极引到背面小焊盘，SOT-223 把 tab 做大，DPAK（TO-252）/ D2PAK（TO-263）则把 tab 做成几乎占满背面的大铜片焊在 PCB 铜箔上散热。这一档仍保留 gull-wing 引线，因此开关回路电感偏大——对几十 kHz 以下的应用够用，但对高频开关电源是短板。

到了功率区（几安到上百安、高频开关），引线电感（典型 DPAK 的源极引线约 5–7 nH）会在快速 $d i / d t$ 下激起栅振并抬高开关损耗，于是封装的根本变革是取消引线：把源极、栅极、漏极都做成底部贴片焊盘（bottom-side pad），既缩短电流路径把回路电感压到 1 nH 量级，又让源/漏焊盘整面贴 PCB 铜大幅降热阻。Power SO-8、PQFN（SuperSO8）、PowerPAK 走这条"底部焊盘"路线，而 DirectFET 更激进：把硅片倒装、漏极做成顶部金属罐（can）可双面散热。后面各节就沿这条 mA → 百 A 的主线逐档展开。

2. 小信号 SOT 系列：从 SOT-23 缩到 SOT-883

小信号封装的选用只有一条逻辑：在满足引脚数（单管 3 脚 / 双管或带网络 5–6 脚）的前提下，挑能塞进去的最小壳，因为它们几乎不发热、没有热阻或电感的硬约束。整个家族就是同一拓扑沿尺寸轴的等比缩小，外加无引线化以进一步省地。下表按体积从大到小穷尽列出，命名上要特别记住两组别名：SOT-323 就是 SC-70、SOT-363 就是 SC-88（也写 SC-70-6）。

小信号 SOT 阶梯：SOT-23 / SOT-323(SC-70) / SOT-363(SC-88) / SOT-523 / SOT-563 / SOT-723 / SOT-883 俯视等比例并排，标注引脚与 mm 尺寸

下表的高度（H）指含引线的总厚度（小信号管多在 $0.5 - 1.1$ mm），pitch 指相邻引脚中心距，典型量级一栏给小信号 MOSFET 的 $V d s \cdot I d$ 数量级以便快速定位用途。

封装（别名）	$L \times W$ mm	H mm	pitch mm	引脚	典型 $V d s / I d$	各厂命名
SOT-23（SOT-23-3）	2.9 × 1.3	1.1	0.95	3	20–60 V / <1 A	TO-236；onsemi SOT-23
SOT-23-5（SOT-25）	2.9 × 1.6	1.1	0.95	5	双管/带网络	TI DBV；SC-74A
SOT-23-6（SOT-26）	2.9 × 1.63	1.1	0.95	6	双管/逻辑电平	TI DBV；SC-74
SOT-323（SC-70-3）	2.0 × 1.25	0.9	0.65	3	12–30 V / <0.5 A	SC-70；Nexperia SC-70
SOT-363（SC-88 / SC-70-6）	2.0 × 1.25	0.9	0.65	6	双管小信号	SC-88；SC-70-6
SOT-523（SC-89）	1.6 × 0.8	0.6	0.5	3	单管极小空间	Toshiba SOT-523
SOT-563（SC-89-6）	1.6 × 1.2	0.6	0.5	6	双管极小空间	onsemi SOT-563
SOT-723	1.2 × 0.8	0.5	0.46	3	手机/穿戴	Toshiba/Torex SOT-723
SOT-883（DFN1006）	1.0 × 0.6	0.5	0.35	3	最小单管	Nexperia DFN1006-3；leadless

2.1 引线与无引线的分界

SOT-23 到 SOT-563 都是 gull-wing（鸥翼弯脚）引线，焊端伸出体外，便于目视检查焊点但占地略大。SOT-723 与 SOT-883 转为无引线（leadless / flat-lead）——焊端贴在封装体底面边缘，进一步把占地压到极限，代价是焊点藏在体下、靠 X-ray 才能检查。SOT-883 本质就是一个 $1.0 \times 0.6$ mm 的 DFN（双面扁平无引线），是目前量产小信号管能做到的最小三脚壳之一。

2.2 多脚版本为什么存在

SOT-23-5/6、SC-88（SOT-363）、SOT-563 这些多脚版并不是把单管放大，而是在同一壳里集成更多管芯或外围：双 MOSFET（半桥或共栅）、带栅极电阻和下拉的"数字晶体管"、ESD 保护对管等。选这类壳时关注的不是热阻，而是内部互连拓扑（哪几脚短接、是否共漏/共源），datasheet 的内部连接图比尺寸更关键。

3. 中功率带散热 tab：SOT-89 / SOT-223 / DPAK / D2PAK

当结耗散爬到 1 W 以上，单靠 gull-wing 引线导热已不够，封装必须引入背面金属 tab（与集电极/漏极相连的散热焊盘），把热量经 PCB 铜箔铺开。这一档的选用逻辑是按需要散掉的功率挑 tab 大小：SOT-89 最小、SOT-223 居中、DPAK（TO-252）较大、D2PAK（TO-263）最大。它们都还保留引线，所以回路电感偏大，定位在中低频、几十瓦以下。

中功率散热 tab 阶梯：SOT-89 / SOT-223 / DPAK(TO-252) / D2PAK(TO-263) 俯视（含背 tab）+ 侧视高度，标注 tab 面积与 mm 尺寸

下表的"底部 tab"一栏给背面散热焊盘的近似尺寸，它直接决定 $Rθ J C$ （结到壳热阻）量级； $Rθ J A$ 还取决于 PCB 铜箔铺铜面积，因此同一封装在不同板上散热能力可差数倍。

封装（JEDEC）	$L \times W$ mm	H mm	引脚	底部 tab	典型 $V d s / I d$	各厂命名
SOT-89	4.5 × 2.5	1.5	3（背 tab）	小，约 $1.6 \times 3$ mm	60 V / 1–3 A	SC-62；onsemi SOT-89
SOT-223（SOT-223-3）	6.5 × 3.5	1.6	3 + tab	中，约 $3.5 \times 6$ mm	60–100 V / 几 A	SC-73；Infineon PG-SOT223
SOT-223-4/-5	6.5 × 3.5	1.6	4/5 + tab	同上	调压器/多脚	TI 后缀 KTT
DPAK（TO-252-3）	6.5 × 6.1	2.3	3 + 背 tab	大，约 $5.4 \times 6$ mm	40–100 V / 几十 A	TO-252；TI NDP/KTT
DPAK-5（TO-252-5）	6.5 × 6.1	2.3	5 + 背 tab	同上	带 Kelvin/感测	onsemi DPAK-5
D2PAK（TO-263-3）	10.0 × 9.0	4.6	3 + 大背 tab	很大，约 $9 \times 8$ mm	100–200 V / 上百 A	TO-263；Infineon PG-TO263
D2PAK-7（TO-263-7）	10.0 × 9.0	4.6	7 + 大背 tab	同上	高 $I d$ + Kelvin source	TO-263-7；SiC 常用

3.1 DPAK vs D2PAK：名字最易搞反

新人最常踩的坑是把 DPAK 和 D2PAK 搞反——记法是"D2PAK 大一号"。DPAK = TO-252，体约 $6.5 \times 6.1$ mm，是 D2PAK 的缩小版；D2PAK = TO-263，体约 $10 \times 9$ mm，tab 和载流能力都大得多。再上一档 D3PAK = TO-268 更大，但表贴功率器件已很少用。它们与通孔的 TO-220 / TO-247 共用同一族散热逻辑，区别只是把引脚折弯成表贴而非直插。

3.2 D2PAK-7 的第 7 脚是 Kelvin source

标准 D2PAK 是 3 脚（栅 G、漏 D=背 tab、源 S）。D2PAK-7（TO-263-7）把源极拆出一根独立的 Kelvin 源极脚——专供栅极驱动回路返回，不走主功率电流，从而把功率源极引线电感（共源电感 $L s$ ）从栅环路里剔除，避免大 $d i / d t$ 在 $L s$ 上的压降反灌栅极引起振荡。这正是 SiC MOSFET 分立器件普遍选 D2PAK-7 的原因，详见 SiC 器件与栅极驱动保护链。

4. 功率表贴主力：Power SO-8 / SO-8 FL / PQFN

功率 MOSFET 表贴的根本变革，是把背面 tab 从"散热为主"升级为"既散热又是电气端子"，并取消所有 gull-wing 引线。最典型的就是 Power SO-8：外形与普通 SOIC-8 一致，但底部多出一块与漏极相连的大铜焊盘直接焊在 PCB，于是 $Rθ J C$ 从带引线 SO-8 的几十 K/W 降到个位数。再进一步把整个封装做成无引线（PQFN / SuperSO8），源/栅/漏焊盘全在底面，回路电感压到 1 nH 量级。

功率表贴画廊：Power SO-8 / SO-8 FL / PQFN(SuperSO8 5x6) / PQFN 3x3 俯视底部焊盘 + 侧视，标注源漏栅焊盘与 mm 尺寸

下表里"底部焊盘"一栏标出与漏极（多数）相连的大焊盘形态，它是散热与导通的双重通道；PQFN 系列按外形尺寸命名（ $3 \times 3$ 、 $5 \times 6$ 等），数字直接是 $L \times W$ mm。

封装	$L \times W$ mm	H mm	pitch	引脚	底部焊盘	典型 $V d s / I d$
Power SO-8	6.0 × 5.0	1.5	1.27	8 + 底 drain	大 drain 焊盘	30–150 V / 几十 A
SO-8 FL（flat-lead）	6.0 × 5.0	1.1	1.27	8 无引线	底 drain	同上、更矮
PQFN 2×2	2.0 × 2.0	0.8	—	6–8	底 source/drain	20–40 V / <10 A
PQFN 3×3（PQFN-8）	3.3 × 3.3	0.9	0.65	8	底 source+drain	30–60 V / 10–30 A
PQFN 5×6（SuperSO8）	5.0 × 6.0	1.0	1.27	8	大底焊盘	25–150 V / 上百 A
PQFN 8×8	8.0 × 8.0	1.0	—	多	超大底焊盘	80–150 V / 大电流

4.1 为什么底部 drain 焊盘是关键

普通 SOIC-8 的漏极要经过键合线 + 一两根细引脚才到 PCB，这段路径热阻和电阻都大。Power SO-8 把芯片背面（漏极）直接贴在一块大铜垫上、铜垫再焊到 PCB 铺铜，于是热从结点几乎垂直穿过芯片到铜垫到 PCB，路径最短， $Rθ J C$ 可低到 $1 - 2$ K/W；同时这条低阻路径也降低了漏极导通电阻贡献。代价是底部焊盘藏在体下，靠回流焊膏量与 X-ray 控制焊接质量。

4.2 PQFN / SuperSO8 命名与尺寸轴

PQFN（Power Quad Flat No-lead）是功率无引线封装的统称，各家按外形尺寸细分：Infineon 把 $5 \times 6$ mm 的称作 SuperSO8（封装码 PG-TDSON-8）， $3 \times 3$ 的称 PG-TSDSON-8，更小的 $3.3 \times 3.3$ 、 $2 \times 2$ 走 PG-VSON 家族。SuperSO8 是中低压（25–150 V）大电流 MOSFET 的事实标准壳，同步整流、DC-DC 功率级、电机驱动里随处可见。尺寸数字越大，可容纳的芯片越大、 $R d s (o n)$ 越低、载流越强。

5. DirectFET 与 PowerPAK：双面散热与多尺寸族

当板面或散热进一步逼到极限，两条不同的工程路线出现：Infineon（原 International Rectifier）的 DirectFET 把芯片倒装、漏极做成顶部金属罐（can），允许在 PCB 底面焊接的同时从顶部罐体加散热器双面散热；Vishay 的 PowerPAK 则是把无引线底部焊盘思路做成一整个跨尺寸封装族（SO-8 / 1212 / 1616 / SC-70），覆盖从微型到大电流的连续档位。两者都属"无引线 + 底部焊盘"大方向，但 DirectFET 的顶罐双面散热是其独门特征。

DirectFET 与 PowerPAK 族：DirectFET 小罐/中罐侧视（顶 can 双面散热）+ PowerPAK SO-8/1212/1616 俯视底部焊盘，等比例标 mm

DirectFET 的命名是两位字母码：第一位 S=小罐（small can）/ M=中罐（medium can），第二位是芯片外形代号（Q/X/T/H/N/Z 等）。下表给两档罐体的近似外形与典型用途。

封装 / 罐型	$L \times W$ mm	H mm	散热	典型 $V d s / I d$	命名码
DirectFET 小罐（SQ/SX/ST/SH）	约 4.9 × 6.3	0.7	双面（顶 can + 底）	25–100 V / 几十 A	IRF6xxx S 系
DirectFET 中罐（MQ/MX/MT/MN/MZ）	约 5.6 × 6.5	0.7	双面	25–100 V / 上百 A	IRF6xxx M 系
PowerPAK SC-70	2.0 × 2.1	0.9	底 drain	12–30 V / <10 A	Vishay PowerPAK SC-70
PowerPAK 1212-8	3.3 × 3.3	1.0	底 source/drain	20–40 V / 10–30 A	Vishay 1212-8
PowerPAK SO-8（单/双）	5.0 × 6.0	1.0	大底焊盘	30–100 V / 上百 A	Vishay PowerPAK SO-8
PowerPAK 1616	4.1 × 4.1	1.0	大底焊盘	中电流	Vishay 1616

5.1 DirectFET 双面散热的代价与收益

DirectFET 把硅片翻转，源极和栅极焊盘朝下贴 PCB、漏极通过铜罐引到顶面，于是热可以同时往下（PCB）和往上（罐顶加散热器或导热垫）走，等效热阻几乎减半，这对高电流密度的 VRM（CPU 供电）极有价值。回路电感也因无引线而极低。代价是罐体是裸金属（需注意爬电/绝缘）、返修困难、对回流焊接 profile 与基板平整度要求高。罐型字母只在选 footprint 时要严格对上，电气上同罐型可互换。

5.2 PowerPAK 作为一个尺寸连续的封装族

PowerPAK 的价值在于它不是单一封装而是一条尺寸连续线：从最小的 PowerPAK SC-70（ $2.0 \times 2.1$ mm，便携设备负载开关）到 1212（ $3.3 \times 3.3$ ）、1616（ $4.1 \times 4.1$ ）、再到 PowerPAK SO-8（ $5 \times 6$ ，与 SuperSO8 同尺寸级、可二供）。同一设计想换电流档时，往往能在族内平移而不大改 layout。PowerPAK SO-8 与 Infineon SuperSO8、TI/onsemi 的 5×6 PQFN 在外形上互为二供候选，但引脚定义和热焊盘细节需逐一核对 datasheet，不能默认 pin-to-pin。

6. 各厂功率封装命名码对照

同一个物理封装在不同厂家的料号后缀里写法完全不同，跨厂选型或找二供时若不做映射，会把同一壳当成两种。这一节把前面出现的功率封装收口成一张交叉对照表，底层规则是：先认外形尺寸（ $L \times W$ mm），再对各厂的字母/数字码。

各厂功率 MOSFET 封装命名映射：通用名（Power SO-8 / SuperSO8 / DPAK / D2PAK / DirectFET）对 Infineon PG- 码 / Vishay PowerPAK / TI 后缀 / onsemi

读法是横向一行就是同一个物理封装的各厂叫法；空格表示该厂不主推该壳。Infineon 的 PG- 前缀后跟封装结构缩写（TDSON / VSON / HSOF / DSO / TO263），是其全系命名规则。

通用名 / 尺寸	Infineon	Vishay	TI（NexFET 等）	onsemi
Power SO-8（ $6 \times 5$ ）	PG-DSO-8	PowerPAK SO-8	DKD/D 后缀	SO-8FL
SuperSO8 / PQFN $5 \times 6$	PG-TDSON-8	PowerPAK SO-8	NexFET 5×6	onsemi 5×6
PQFN $3.3 \times 3.3$	PG-TSDSON-8	PowerPAK 1212-8	NexFET 3.3×3.3	PQFN 3.3
PQFN $2 \times 2$	PG-VSON	—	2×2 SON	2×2
HSOF-8（散热 SO）	PG-HSOF-8	—	—	—
DPAK / TO-252	PG-TO252	—	KTT/NDP	DPAK
D2PAK / TO-263	PG-TO263	—	KTW	D2PAK
DirectFET 小/中罐	DirectFET S/M	—	—	—

6.1 Infineon PG- 码怎么拆

Infineon 的封装码以 PG- 开头，后面是结构缩写：DSO=Dual Small Outline（即 SOIC/Power SO-8 系）、TDSON=Thin Dual Small Outline No-lead（即 SuperSO8 类 PQFN）、TSDSON=更薄的小尺寸版、VSON=Very thin SON（更小 PQFN）、HSOF=Heat-Sink Outline Flat-lead（带顶部散热的 SO 变体）、TO252/TO263=DPAK/D2PAK。记住缩写就能从料号尾巴反推外形，这在 Infineon 选型工具里尤其有用。

6.2 二供匹配的三个核查点

把两家"同尺寸"封装当 pin-to-pin 二供前，必须核对三点：引脚定义（哪几脚是 G/D/S、是否有 Kelvin source）、底部焊盘极性与尺寸（多数是 drain，但布局影响散热焊盘画法）、总高度 H 与共面度（影响回流与机械装配）。外形长宽相同不代表 footprint 相同——这是跨厂替代最常见的翻车点，务必以双方 datasheet 的封装机械图逐项比对。

缩写表

缩写	全称
SOT	Small-Outline Transistor，小外形晶体管封装
SC-70	Small-Outline 系列代号，等同 SOT-323
SC-88	等同 SOT-363（也写 SC-70-6）
DFN	Dual Flat No-lead，双面扁平无引线封装
DPAK	Decawatt Package，即 JEDEC TO-252
D2PAK	Double DPAK，即 JEDEC TO-263
PQFN	Power Quad Flat No-lead，功率四方扁平无引线
SuperSO8	Infineon 对 $5 \times 6$ mm PQFN 的商品名
DirectFET	Infineon/IR 倒装顶罐双面散热功率封装
PowerPAK	Vishay 无引线功率 MOSFET 封装族
tab	封装背面与漏/集电极相连的金属散热焊盘
Kelvin source	独立的源极引出脚，专供栅驱回路、不走主电流
pitch	相邻引脚中心间距
$Rθ J C$	结到壳热阻（K/W）
$L s$	共源（源极引线）寄生电感
gull-wing	鸥翼形弯出封装体的表贴引线
BSC	Basic Spacing between Centers，标称中心间距（无公差）

核心要点

封装选择被一条主线支配：小信号区（<1 W）唯一约束是体积/可堆密度，沿 SOT-23 → SOT-883 缩小；功率区命门是散热与回路电感，沿"背 tab → 底部焊盘 → 双面罐"演化。
小信号必记别名：SOT-323 = SC-70、SOT-363 = SC-88；最小单管壳是 SOT-883（ $1.0 \times 0.6$ mm DFN）。
中功率三档按 tab 大小排：SOT-89 < SOT-223 < DPAK（TO-252）< D2PAK（TO-263）；DPAK 比 D2PAK 小一号，别搞反。
D2PAK-7 的第 7 脚是 Kelvin source，剔除共源电感 $L s$ ，是 SiC 分立器件的标配。
Power SO-8 的底部 drain 焊盘把 $Rθ J C$ 砍到 $1 - 2$ K/W；PQFN/SuperSO8 进一步无引线化把回路电感压到 1 nH 量级。
DirectFET 顶罐双面散热等效热阻近乎减半，适合高密度 VRM；PowerPAK 是一条尺寸连续的封装族（SC-70/1212/1616/SO-8）。
跨厂二供核心规则：先对外形 $L \times W$ ，再核引脚定义、底部焊盘、总高三点——外形相同不等于 footprint 相同。

Engineering Objects

package_dimension_table（每个封装的 $L \times W \times H$ / pitch / 引脚 / tab 尺寸 / 各厂码，可作选型库主键）
vendor_package_xref（通用名 ↔ Infineon PG- / Vishay PowerPAK / TI 后缀 / onsemi 的映射表）
thermal_class_by_pad（按底部焊盘形态归类的 $Rθ J C$ 量级，用于初筛散热可行性）

Cross-references

← 索引
SMT 封装速查参考 — 全器件类型横向总览，本页是其晶体管支的纵向穷尽
MOSFET 基础 — 器件物理与参数，本页解决其"装进什么壳"
SiC 器件 — 为什么 SiC 分立器件偏好 D2PAK-7 与低电感封装
栅极驱动保护链 — Kelvin source 与回路电感如何影响驱动与保护设计

来源：综合 JEDEC registered outlines（TO-252/TO-263/TO-268）、Wikipedia Small-outline transistor（SOT body 尺寸与 pitch）、Torex/Toshiba SOT-523/563/723 package drawings、Infineon DirectFET AN-1035 与 PG-TDSON/VSON/HSOF package family 页、Vishay PowerPAK SO-8/1212-8/SC-70 package information（doc 71655/71656/AN826）、TI NexFET 后缀与 onsemi 命名手册。尺寸为各封装标称值，精确公差以具体器件 datasheet 机械图为准。