POR Sequencing 深度 — 多 rail 上电 + Brown-out 检测
本质与导读
系统级整合 → EV 上下电系统级 FSM 深度 本页讲单子系统(MCU + SBC rail sequencing)上电细节。系统级整合(POR + 驱动 enable + HV 预充 + Active Discharge + Safe State 三级递进)在配对 FSM deep,含 6 状态 FSM + 5 条 power-down 路径 + handoff 契约 + Aurix TC397 + 6 EiceDriver worked 200 ms 时序。
本质 ASIL D MCU(Aurix TC397 / S32K3)的 4-6 个独立 rail 必须由 SBC(MC33907 / TLF35584 / TPS65381)硬件按序上电、硬件检测 Vrail 跌出 ±10% 立即拉 RESET 让 MCU 停 PWM —— 顺序与 Brown-out 响应都不能交给软件,且响应时间须满足由该 item FTTI 逐项分配的 FRTI 预算。
主线坐标:旁支 · 低压控制域 · ↑ 全景主线
1. POR 时序 + 5 大 rail 顺序
下图把 5 大 rail 上电时序 + RESET 释放一次说清:
5 大 rail 上电顺序:
- Vbat (KL30 12V) — 整车电池
- Pre-reg 5.5V — SBC 主输出 (Buck 内置)
- VDD_MCU 1.2V — Core 电压 (LDO)
- VIO 3.3V — IO 电压 (LDO)
- VADC 5V — Sensor / ADC 电压 (LDO)
ramp-up 时序:每 rail soft-start 到 PG=1 后 sequencer 才放行下一 rail;单 rail soft-start 典型 0.5–3 ms(取决于该 rail 电容与限流),全链到 all-rails-PG 落在数 ms 量级。RESET 的释放另有一段可配 reset-delay(见 §3.4 / §8),与 EV 上下电系统级 FSM 深度 的 t = 0–5 ms「SBC POR 内部:VS → pre-reg → buck → LDO → PG → reset 释放」口径一致 —— 不是某些资料里写的固定 50 ms。
上图 5 rail 电压(Pre-r…
上图 5 rail 电压(Pre-reg 5.5 V / core 1.2 V / IO 3.3 V / ADC 5 V)是通用教学模型;真实 SBC 的 pre-reg 与轨压见 §2 表下注、§4 各器件与 worked §8(用 MC33907 实际轨压)。
2. 5 大 rail 详细需求
每个 rail 都有独立功能:
| Rail | 电压 | 电流 | 用途 | 顺序 |
|---|---|---|---|---|
| Vbat | 9-16V | 5A peak | 全 ECU 输入 | 0 |
| Pre-reg | 5.5V | 1-2A | SBC 输出,内部 LDO 输入 | 1 |
| VDD_core | 1.2V | 500-800mA | MCU CPU + cache | 2 |
| VIO | 3.3V | 200-300mA | MCU GPIO + CAN PHY | 3 |
| VADC | 5V | 100-200mA | ADC + sensor + LIN PHY | 4 |
| VSTBY | 1.5V | 5mA | RTC + retention SRAM | always |
注意 VDD_core 先于 VIO — Aurix / S32K3 datasheet 明确要求(物理原因见 SBC 多 rail sequencing 的寄生 PNPN latch-up)。
与真实器件对齐:上表是通用模型。现代单电源 ASIL D MCU(Aurix TC397 / S32K3)的 core(1.25 V / 1.5 V)多由片上 EVR/SMPS 从 3.3 V 内部生成,SBC 对外只出 pre-reg + 3.3 V(µC/IO)+ 5 V(sensor/ADC ref)几路 —— 例如 TLF35584 µC-supply 为 3.3/5 V @ 600 mA、Ref-LDO 5 V @ 150 mA;MC33907 VPRE = 6.5 V + VCORE 1.25 V(SMPS)。因此「core rail」在有些平台上是 MCU 片上生成、SBC 只监其输入 3.3 V。教学模型保留独立 core rail 以讲清 sequencing 因果,真实轨压以所选 SBC datasheet 为准。
3. 不按顺序的后果
5 种乱序 fail 后果:
3.1 VIO 先于 VDD_core
VIO 先于 VDD_core 的工程特点 + 应用场景:
- GPIO 上下拉电阻 → core 通过 ESD diode 漏电
- 长期可烧 core PMOS
- Aurix datasheet "PORST sequence" 章节明确禁止
3.2 VDD_core 先于 Pre-reg
VDD_core 先于 Pre-reg 的工程特点 + 应用场景:
- VDD_core LDO 输入断电
- LDO 输出 floating → core 不稳定
- Brown-out 误触发
3.4 RESET 释放过早
RESET 释放过早的工程特点 + 应用场景:
- rail 没稳 MCU 已开始 boot
- Flash 读错 / PLL 未锁 → boot fault
- 根因是 reset-delay 或 PG debounce 相对 rail settling + PLL lock 时间设得太短;SBC 只在 all-rails-PG 后再等一段可配 reset-delay 才释放 RESET(MC33907 = 1 或 10 ms,见 §4.1 / §8),须保证「rail soft-start + PLL lock」窗口落在 RESET 释放之前 —— 不是靠一个固定 50 ms 保证
3.5 RESET 释放过晚
RESET 释放过晚的工程特点 + 应用场景:
- MCU boot 慢,影响 wake-up 时间
- 不影响安全但影响用户体验
4. SBC sequencer 设计
SBC 硬件 sequencer 是核心 — 不能用 MCU SW 控制(MCU 还没启动):
4.1 MC33907 (NXP)
MC33907 sequencer 的工程特点 + 应用场景(值取自 MC33907/08 Datasheet Rev.6.0 + AN4766 Rev.7.0):
- 内置 buck/boost pre-regulator VPRE = 6.5 V(VSUP 2.7–40 V,cranking 可 boost),不是 5.5 V
- VCORE = 1.25 V(SMPS,非 LDO,可调 1.2–3.3 V,0.8 A@907 / 1.5 A@908)+ VCCA 3.3 V LDO + VAUX 5 V LDO(外挂 PNP);上电顺序硬件锁定 VPRE → VCORE → VCCA → VAUX
- Main state machine 管 VPRE/VCORE/VCCA/VAUX;独立 fail-safe state machine 管 WD / RSTB / FS0B
- RSTB 延时 = 1.0 ms 或 10 ms(INIT_FSSM1 二选一;POR / LPOFF 唤醒后自动取最长的 10 ms),不是 20–200 ms
- INIT_FS 须在 256 ms 内写完 + 7× WD refresh 才释放 FS0B(细节见 MC33907/08 安全 SBC 硬件设计)
- ASIL D(SEooC),配 Aurix / MPC5744P 已 validate
4.2 TLF35584 (Infineon)
TLF35584 sequencer 的工程特点 + 应用场景(值取自 OPTIREG TLF35584 Data Sheet Rev.2.0):
- Buck/Boost pre-regulator(IQ 1.25 A,300 kHz–2.5 MHz),VSUP 4–40 V,cranking 可 step-up 撑住 pre-reg
- µC-supply 3.3/5 V @ 600 mA + Ref-LDO 5 V @ 150 mA(±1%) + 2× tracker 5 V @ 150 mA + comm-supply 5 V @ 200 mA + standby-LDO 3.3/5 V @ 10 mA(RTC/retention)
- UV/OV 监视各轨独立 bandgap 参考 + 可编程 pre-warning;多独立 bandgap;ABIST/LBIST
- Functional WD + Window WD(Q&A),开窗可编程;ASIL D(SEooC),LQFP-64 / VQFN-48
4.3 TPS65381A-Q1 (TI)
TPS65381A-Q1 sequencer 的工程特点 + 应用场景(值取自 TPS65381A-Q1 Datasheet):
- VDD6 异步 buck pre-regulator ≈ 6 V(内置 FET)喂下游各轨 —— 是「buck + 下游 4 轨」而非「buck + 5 LDO」
- 下游:VDD5 5 V LDO(CAN/FlexRay 收发器)+ VDD3/5 可选 3.3 或 5 V(MCU IO)+ VDD1 core 可调 0.8–3.3 V(外置 FET 控制器) + VSOUT1 sensor supply(tracking / 可调,带 short-to-GND/BAT 保护)
- 原生配 Hercules TMS570(VDD1 → TMS570LS core),亦可配 Aurix;Q&A WD + MCU-ERROR 监控;ASIL D
4.4 国产 — 南芯 SC6259XQ
国产 ASIL-D SBC 的工程特点 + 应用场景(南芯 SC6259XQ 产品简介,2025-09 发布):
- 单芯片集成多达 7 路电源 = 5 DC-DC + 2 LDO(1 同步高压降压控制器 VPRE + 1 异步低压升压 LVBOOST + 3 低压降压 LVBK),12 V / 24 V 系统,QFN-56(8×8 mm)
- 提供 PGOOD / 复位 / 失效安全输出(fail-safe)/ 中断 + FCCU,配可配简易或挑战型(Q&A)看门狗;LBIST + ABIST;AEC-Q100 Grade 1
- 按 ISO 26262 ASIL-D 流程开发 —— 官方定位域控 / 智能座舱 / ADAS 安全域(过去国产多停在 ASIL B);主驱 PEU 量产仍以 NXP/Infineon 为主(见 §11)
- 选型仍须自查:每对 SBC + MCU 的 sequencing 需 OEM 重新验证 + JESD78 latch-up,不能直接照搬国际配对
5. Brown-out 检测
Brown-out (rail 跌出 ±10%) 必须硬件检测:
5.1 阈值
Brown-out 阈值的工程特点 + 应用场景(下为 ±10% 通用设计窗口的算术示例;真实 SBC 阈值以 datasheet 为准,且 UV/OV 常不对称、各 rail 独立参考监视 —— TLF35584 即「UV/OV-monitoring of all rails with independent reference」+ 可编程 pre-warning):
- VDD_core 1.2 V:(UV)/ (OV)
- VIO 3.3 V:(UV)/ (OV)
- VADC 5 V:(UV)/ (OV)
- 超阈值 → SBC 硬件比较器立即拉低 RESET(core / 关键 rail),或先 pre-warning 中断再 RESET(取决于配置)
5.2 响应时间
响应时间的工程特点 + 应用场景:
- SBC 内部比较器 + 100μs 时间窗
- 响应须落在该 item 由 FTTI 分配的 FRTI 预算内(随安全目标 / 被控对象动态逐项推导,非 ISO 26262 给定常数);100μs 是快速电机控制 rail 的典型 SBC 设计值
- 短于此 = 干扰滤除
5.3 ASIL D 联动 SafeState
ASIL D 联动 SafeState 的工程特点 + 应用场景:
- RESET 拉低 → MCU PWM 停
- 主驱 → ASC (主动短路)
- BMS → 接触器断开
6. POR 故障 5 大 root cause
POR 故障 5 类:
6.1 SBC 配置错
SBC 配置错的工程特点 + 应用场景:
- reset-delay / PG debounce 设太短(短于 rail soft-start + PLL lock)→ RESET 早放、MCU 在未稳轨上 boot(§3.4)
- Brown-out 阈值设太宽(如 ±20%)→ 失去保护:5 V rail 允许跌到 4.0 V,ADC 参考已严重失准仍不 RESET
6.2 Vbat 跌
Vbat 跌的工程特点 + 应用场景:
- 启动时电池压跌 (cranking)
- Pre-reg 不够 → 下游 rail 不稳
- 需 boot-up 电容缓冲 + cranking-mode SBC
6.3 PCB 走线长
PCB 走线长的工程特点 + 应用场景:
- Vbat → SBC 走线长 → 启动延迟
- Rail → MCU 走线长 → V drop
- 解决:SBC 靠近 MCU + 短走线
6.4 Bulk Cap 不够
Bulk Cap 不够的工程特点 + 应用场景:
- 每 rail 10-22μF + 0.1μF 退耦不够
- 启动 di/dt 引起跌
- 加 100μF Polymer
6.5 GND 平面不完整
GND 平面不完整的工程特点 + 应用场景:
- 多层 PCB GND 平面被走线切断
- GND bounce 引起 Brown-out 误触
- 严格 GND plane 设计
7. ASIL D POR 验证 5 项
ASIL D POR 验证清单:
- 冷启动测试 — 0℃ / 25℃ / 85℃ / 125℃ 全温度
- Vbat sweep — 6V → 18V 全范围,验证 sequencing
- Brown-out 注入 — 每 rail 注入 -10/-20/-30% 跌
- RESET 响应时间 — 测 Brown-out 到 RESET 拉低 ≤ 100μs
- HIL Fault Injection — 模拟 SBC fail,验证 safe state
8. Worked — Aurix TC397 + MC33907/08 上电(与 FSM deep 口径对齐)
用一个真实 800 V 主驱 ECU 配置把 §1–§7 串成可复用 worked:主控 Aurix TC397(SAK-TC397XX,lockstep,core 1.25 V 由片上 EVR 从 3.3 V 生成)+ 安全电源 MC33907_8NAE(ASIL D SEooC)。这与 EV 上下电系统级 FSM 深度 的 worked(TC397 + TLF35584)是同一系统的两种主流 SBC 选择,时序口径一致。
8.1 硬件配置
先把主控 + SBC + pre-reg 拓扑 + RST 延时四项定死,后面时序才有依据:
| 部件 | 型号 | 关键值 |
|---|---|---|
| MCU | AURIX TC397(SAK-TC397XX-256F300S) | 6 核 lockstep,core 1.25 V 由片上 EVR 从 3.3 V 生成 |
| SBC | NXP MC33907_8NAE | VPRE 6.5 V / VCORE 1.25 V(SMPS)/ VCCA 3.3 V / VAUX 5 V;RSTB + FS0B |
| VPRE 拓扑 | buck/boost(GATE_LS 外挂 LS MOSFET) | cranking VSUP 跌到 2.7 V 仍撑住 6.5 V |
| RST 延时 | INIT_FSSM1 = 10 ms(POR 自动取最长) | all-rails-PG 后 10 ms 释放 RSTB |
8.2 上电时序(logic analyzer 视角,与 FSM deep t = 0–10 ms 对齐)
下表把 KL15 到 FS0B 释放的关键节点排出来,直接对照示波器抓的波形:
| 时刻 | 事件 |
|---|---|
| t = 0 | KL15 上,VSUP 到位 |
| t = 0–3 ms | MC33907 内部 sequencer:VPRE 6.5 V → VCORE 1.25 V → VCCA 3.3 V → VAUX 5 V,逐 rail 等 PG |
| t ≈ 3 ms | all-rails-PG,进 reset-delay 计时(INIT_FSSM1 = 10 ms) |
| t ≈ 13 ms | RSTB 释放 → TC397 boot ROM 启动(FSM deep 用 TLF35584 走更快 POR = t ≈ 5–10 ms;本页 MC33907 取 10 ms reset-delay 档 → ~13 ms,SBC 选型差异非矛盾) |
| t = 13 ms → 256 ms 窗口 | MCU 写 INIT_FSSM1/FSSM2 + 7× Q&A WD refresh → 释放 FS0B;超时 = RSTB 死锁 8 s(deep fail-safe) |
| 之后 | 进入 FSM deep 的 SAFE_CHECK(t ≈ 80 ms)/ PRECHARGE / READY |
RST 延时用 10 ms(不是虚构的 50 ms),使「VCORE soft-start + TC397 PLL lock」都落在 RSTB 释放前;若某平台 rail 电容大、soft-start 慢到 >10 ms,则须改用外部 PG 联锁而非仅靠 SBC reset-delay。
8.3 SBC 初始化(bootloader 内,示意伪码 — 寄存器名简化)
真实 MC33907 走 SPI + INIT_FS 序列(非臆造的 POR_DELAY 寄存器);WD answer 是 LFSR 算法生成的,禁止 hard-code(见 MC33907 设计 §4):
// SBC SPI 初始化(bootloader 首个任务,最高优先级)
spi_init(SBC_SPI);
// INIT_FSSM1:选 RSTB 延时 = 10 ms + 配 RSTB 安全行为
mc33907_write(INIT_FSSM1, RSTDLY_10MS | RSTB_CFG);
// INIT_FSSM2:配 FCCU/IO_23 监控(未用须 disable,否则触发 reset)
mc33907_write(INIT_FSSM2, FCCU_CFG);
// 7x good WD refresh(answer 由 LFSR 算法算,不能写死;seed 见 datasheet 6.5)
for (int i = 0; i < 7; i++)
mc33907_wd_refresh(lfsr_next()); // 第1次关 INIT_FS 相,第7次清 RST_ERR_CNT
// 释放 FS0B(SPI 写 FS_OUT),须在 POR 后 256 ms 内完成
mc33907_write(FS_OUT, FS0B_RELEASE);
// 之后进入周期性 WD(open window 内 refresh),交给 FSM deep 的 SAFE_CHECK
9. 工程陷阱(Gotcha)— 6 条
以下 6 条是 POR/sequencing 集成中反复出现、且与前文 root-cause(§6)不重叠的坑,按危险度排序。
9.1 G1 — reset-delay 短于 core SMPS 建立 → 现代 MCU 在未锁 core 上 boot
现代 MCU(TC397)core 由片上 EVR 从 3.3 V 生成,EVR soft-start + 反馈稳定需时间;若 SBC 只监 3.3 V PG 就按 reset-delay 释放 RESET,core 可能还没到 1.25 V。缓解:reset-delay 取够(MC33907 用 10 ms 档而非 1 ms),或把 MCU 片上 core-PG 也接进 SBC 联锁。
9.2 G2 — Brown-out 窗口按对称 ±10% 设 → 与真实非对称 UV/OV 失配
真实 SBC 的 UV/OV 不对称(如 5 V rail UV 4.6 V / OV 5.5 V),且各 rail 独立参考;照抄「±10% 对称」会在 OV 侧过松、UV 侧误触。缓解:每 rail 按 datasheet UV/OV + pre-warning 分别设,别用一个 ±% 套所有 rail。
9.3 G3 — PG 阈值与 UV 阈值贴太近 → brown-out 边界 RESET 抖动
PG(放行下一 rail,约 90% nominal)与 brown-out UV(拉 RESET)若无足够迟滞,rail 在边界处小幅波动会 PG↔UV 反复翻转 → RESET 抖动、reboot loop。缓解:UV 阈值低于 PG 阈值并留迟滞;SBC 内部比较器加 100 µs 时间窗滤除毛刺(§5.2)。
9.4 G4 — 首次 WD kick 窗口 vs boot 时间竞态 → SBC 误复位刚起的 MCU
RESET 释放后 SBC 开一个 WD open window,MCU 必须在窗口内首次喂狗;若 boot ROM + Flash CRC + OS 起来慢于窗口,MCU 还没跑到喂狗代码就被 SBC 复位 → 表现为「一上电就 reboot loop」。缓解:首次 WD 窗口按最坏 boot 时间(含低温 Flash 慢)留裕量;或用 SBC 的长启动窗口档。
9.5 G5 — Cranking/温启动 Vbat 跌到 4.5 V → pre-reg dropout 级联 brown-out
热启动叠加 cranking,Vbat 可瞬跌到 4.5 V 以下;纯 buck pre-reg 会 dropout,下游全 rail 跌 → 全局 brown-out。缓解:选 buck/boost pre-reg(MC33907 GATE_LS boost / TLF35584 step-up-down),VSUP 输入加 bulk + 慢 decay(见 §6.2 / §6.4)。
9.6 G6 — 沿用「固定 50 ms POR_DELAY」的误值 → 唤醒过慢或裕量不足
旧资料常写「POR_DELAY 50 ms」;真实 MC33907 RSTB 延时只有 1/10 ms 两档,TLF35584 也在低 ms 量级。误用 50 ms 一是拖慢 wake(影响用户体验 §3.5),二是掩盖真正该核的「rail soft-start + PLL lock < RESET 释放」时序论证。缓解:用 datasheet 实值,并把时序裕量当作要论证的量(§8.2),不是拍一个大数了事。
10. Corner Case — 3 个操作极限
三个最易在系统级测试遗漏的边界,与 §8 worked 参数直接对应。
10.1 C1 — −40 ℃ 冷启动:soft-start 与 PLL lock 变慢,吃掉 reset-delay 裕量
低温下 LDO/SMPS soft-start 变慢、Flash 访问变慢、TC397 PLL lock 时间拉长;若 reset-delay 与首次 WD 窗口按常温设,冷启动即可能 RESET 早放或首次喂狗超时。缓解:reset-delay 取 10 ms 档 + 首次 WD 窗口按 −40 ℃ 最坏 boot 留 ≥10 ms cold margin;SAFE_CHECK 入口用「PLL lock 标志」而非固定时刻(与 FSM deep C1 口径一致)。
10.2 C2 — 温启动叠 cranking 二次跌:pre-reg 二次 dropout
整车已运行、SBC 处 normal 态时再遇 start-stop cranking(Vbat 二次跌到 4.5 V),不同于冷上电的首次 sequencing:此时 MCU 在跑,pre-reg 若 dropout 会触发运行中 brown-out → 非计划 RESET → 丢失行驶态。缓解:cranking-capable SBC(boost pre-reg)+ VSUP hold-up 电容;brown-out 响应须与该 item FRTI 预算对齐(§5.2),让 MCU 有序进 safe state 而非硬复位。
10.3 C3 — 快速 Vbat 瞬态(load dump / 抛负载):brown-out 检测须区分瞬态与真跌
ISO 7637-2 类瞬态(load dump、pulse)会让 rail 短暂越界;若 brown-out 比较器无时间窗,会把 µs 级干扰误判成真 brown-out 而拉 RESET。缓解:brown-out 比较器加约 100 µs 时间窗(短于此 = 滤除,§5.2);VSUP 侧按 MC33907 设计 §6 的 ISO 7637-2 Class 加 TVS/clamp,把瞬态挡在 pre-reg 之前。
11. 国产替代
国产 SBC 现状(2025,均以厂商公开资料为准;早期本页曾列的「核芯互联 CXLD9788」「西藏鸿德 HSBC」无可核实来源,已删):
- 南芯 SC6259XQ — ASIL-D,12 V/24 V,单芯集成多达 7 路电源 + PGOOD/复位/fail-safe/Q&A WD,国产打进安全域的代表
- 纳芯微(Novosense) — 车规模拟龙头,已过 ISO 26262 ASIL D 流程 + 产品认证,2025H1 车规芯片出货 3.12 亿颗
- 国际对标器件:NXP MC33907/08、Infineon TLF35584、TI TPS65381A-Q1、ST L9788(后者实为引擎管理多功能 IC,非纯 rail-sequencing SBC,对标时需注意定位差异)
国产 ASIL-D SBC 已从「稀缺」进入「有真品可选」阶段,但主驱 PEU 量产仍以 NXP / Infineon 为主;换用国产 SBC 须重做 SBC+MCU sequencing 验证 + JESD78 latch-up + I0–I3 评审。
12. 一句话总结
POR Sequencing 是 MCU 上电的生命线 — 5 大 rail (Pre-reg / Core / IO / ADC / Vbat) 必须严格按顺序,SBC(MC33907 VPRE 6.5 V + VCORE 1.25 V / TLF35584 / TPS65381A-Q1)硬件 sequencer 锁定,不能 SW 控制。RESET 释放延时是 SBC 可配实值(MC33907 = 1/10 ms),不是固定 50 ms;真正要论证的是「rail soft-start + PLL lock < RESET 释放」。Brown-out 响应须落在 item 的 FRTI 预算内(100μs 是典型 SBC 设计值,非 ISO 26262 常数) + RESET 立即拉低 → MCU 停 PWM → 主驱 ASC。新项目验证必跑温度 + Vbat sweep + Fault injection 三轮,缺一不可。SBC 配置错 = 量产后 cold-start 失败 = 售后召回。
核心要点
- 5 大 rail (Pre-reg / Core / IO / ADC / Vbat) 严格顺序上电;通用教学模型,真实轨压以所选 SBC 为准(MC33907 VPRE 6.5 V + VCORE 1.25 V SMPS,现代 MCU core 多片上 EVR 生成)
- VDD_core 必先于 VIO,VIO 先于 VADC(错序 → 寄生 PNPN latch-up)
- SBC 硬件 sequencer 锁定顺序;RESET 释放延时是可配实值(MC33907 = 1 或 10 ms),不是固定 50 ms,须论证「rail soft-start + PLL lock < RESET 释放」
- Brown-out 阈值真实 SBC 非对称 + 各 rail 独立参考;响应须落在 item 的 FRTI 预算内(由 FTTI 逐项推导,非 ISO 26262 给定常数),100μs 是快速电机控制 rail 的典型 SBC 设计值
- 国产 ASIL-D SBC 已有真品(南芯 SC6259XQ),但主驱量产仍以 NXP/Infineon 为主
- 验证必跑温度 + Vbat sweep + Fault injection
缩写表
只列本页用到的工业标准缩写;通用英语…
只列本页用到的工业标准缩写;通用英语 / 单位 / 月份 / 我们的
层/Lxtag 不列。覆盖不到的术语见正文 inline 注释。
| 缩写 | 全称 | 中文 / 备注 |
|---|---|---|
| MCU | Microcontroller Unit | 微控制器(本页多指车规多核 MCU) |
| SBC | System Basis Chip | 系统基础芯片(电源 + 收发器 + 监控集成) |
| HV | High Voltage | 高压(车规通常 ≥60 V) |
| NXP | NXP Semiconductors | 恩智浦半导体 |
| TI | Texas Instruments | 德州仪器 |
| ST | STMicroelectronics | 意法半导体 |
| ISO | International Organization for Standardization | 国际标准化组织 |
| ASIL | Automotive Safety Integrity Level | ISO 26262 安全完整性等级 QM→A→B→C→D |
| FTTI | Fault-Tolerant Time Interval | ISO 26262 容错时间区间(故障检测 + 故障反应预算之和) |
| FRTI | Fault-Reaction Time Interval | ISO 26262 故障反应时间区间(FTTI 的子预算,逐项推导) |
| ADC | Analog-to-Digital Converter | 模数转换器 |
| PWM | Pulse Width Modulation | 脉冲宽度调制 |
| LDO | Low Dropout Regulator | 低压差线性稳压器 |
| ECU | Electronic Control Unit | 电子控制单元 |
| CAN | Controller Area Network | 控制器局域网 |
| LIN | Local Interconnect Network | 本地互连网络 |
| ESD | Electrostatic Discharge | 静电放电 |
| BMS | Battery Management System | 电池管理系统 |
| PCB | Printed Circuit Board | 印刷电路板 |
| POR | Power On Reset | 上电复位(本页主题) |
| BOR | Brown-out Reset | 欠压 / 跌落复位 |
| PG | Power Good | 电源就绪信号(rail 达阈值后置高) |
| WD | Watchdog | 看门狗(SBC 监 MCU 存活) |
| SMPS | Switched-Mode Power Supply | 开关电源(buck/boost,效率高于 LDO) |
| UVLO | Under Voltage Lock Out | 欠压锁定 |
| PMIC | Power Management IC | 电源管理芯片(SBC 的电源子集) |
Cross-references
- ← 索引
- EV 上下电系统级 FSM 深度 — 本页的系统级整合姊妹页(POR 时序粘进 6 状态 FSM 的 t = 0–10 ms)
- 辅助电源全栈 hub — Chain 流路 + 8 主题
- SBC 概览 — System Basis Chip 概念
- SBC 多 rail sequencing — 多 rail 时序细节
- Sleep & Wake-up 深度 — sleep 后再上电场景
- SBC Watchdog 深度 — POR 后 fast WD 时序
- SBC MC33907 设计 — 主流 SBC 配置
- Inrush / Soft-start 控制深度 — soft-start PG → POR enable 联锁(POR 的上游)