FTTI 时间预算分解 — 从故障发生到 safe state 的微秒级账本(FDTI + FRTI ≤ FTTI worked example)
本质与导读
本质 FTTI 不是可调设计目标,而是被物理(硬短路下 ≈ SCSOA)加法规定死的时间窗;一旦定死,工程上唯一要证的就是 FDTI(检测)+ FRTI(反应)逐段相加仍落在这个窗口内。检测段下限被 blanking time(tBLK ≤ SCSOA/3)卡住,反应段被 soft turn-off 上限卡住,二者之和必须 < FTTI——这是 DESAT 评审里反复要算的硬账本。
1. 抓硬约束:FTTI 是物理 + 法规定死的时间窗,不是可调目标
很多人把 FTTI 当成一个"设计目标值"去凑,这是方向性的错。FTTI(Fault Tolerant Time Interval,故障容忍时间间隔) 的定义是:从故障在系统里发生,到危害事件可能出现之间的最短时间——前提是安全机制不动作。换句话说,它是危害的物理 / 工况替你定死的"倒计时窗口",你只能在窗口内塞下检测 + 反应,不能把窗口拉长。
对 EV 主驱"硬短路"这类故障,FTTI 几乎等于器件的 SCSOA(Short-Circuit Safe Operating Area,短路安全工作区)——器件在短路电流下能扛多久才热击穿。这就把整条保护链的预算钉死在微秒级:
- SiC MOSFET:SCSOA ~ 2-4 μs(die 面积约为 IGBT 的 1/3,同等故障能量下 Tj 上升约 3 倍快)
- IGBT:SCSOA ~ 8-10 μs,预算宽松得多
ISO 26262-1 把这条倒计时进一步拆成两段可测量的子区间,本页全程用这两个:
- FDTI(Fault Detection Time Interval,故障检测时间) — 从故障发生到安全机制确认检出
- FRTI(Fault Reaction Time Interval,故障反应时间) — 从检出到系统到达 safe state
硬约束一句话:,且要留工程余量(对 2 μs 最坏角余量约 25%,对 4 μs 端约 60%)。超窗的后果不是"指标差一点",而是器件热击穿 / shoot-through → 危害真实发生。
2. 因果分析:FTTI 怎么拆,每段由什么物理量决定
把窗口拆开后,每一段的长短都不是拍脑袋,而是由具体电路 / 物理机制决定的。理解了"谁决定这一段",才知道哪里能压、哪里压不动、压过头会出什么新问题。
2.1 FDTI = blanking + 比较器 + 滤波,被合法瞬态卡下限
检测段不能无限快,因为它必须先"躲过"正常开通时器件 VCE 还没降下来的那段合法瞬态,否则每次正常开通都误触发。这段强制等待叫 blanking time(tBLK,消隐时间),是 FDTI 的主要成分:
- tBLK — 典型 0.3-1 μs,必须长到盖住正常开通的 VCE 拖尾,又必须短到 ≤ SCSOA 的约 1/3(这正是 DESAT 评审 EV-DESAT-002 要核的硬约束)
- 比较器 + 滤波延迟 — DESAT 阈值比较 + 去抖,典型 250-500 ns
所以 FDTI 实际下限被 blanking 卡住:你没法把检测做得比"躲过合法瞬态"更快。EV-DESAT-002 的 tBLK ≤ SCSOA/3 本质就是给 FRTI 留出足够剩余窗口。
2.2 FRTI = soft turn-off,被过压上限卡住不能硬关
反应段最直觉的做法是"立刻硬关栅极",但短路电流极大,硬关产生的 过压会反过来击穿器件——于是 FRTI 不能取 0,必须用 soft turn-off(软关断 / 两级关断) 受控地降 di/dt:
- soft turn-off — 受控降栅压,典型占 0.4-1.5 μs,换取 VCE 过冲落在器件耐压内
- 这是一个双向约束:关太快 → 过压击穿;关太慢 → 吃掉 SCSOA 余量。两级关断 / soft-off 的设计就是在这两个边界之间找窗口(详见 Soft Turn-Off 设计)
2.3 FTTI 是 per-hazard 的:快故障 vs 慢故障预算差 4 个数量级
最容易踩的概念坑:把 FTTI 当成一个全局数字。实际上每类危害有自己的 FTTI,差异极大,且对应不同的保护层(见 SafeState Manager 的两级架构):
- 快电气故障(短路 / 过流)→ FTTI 微秒级 → 必须走 2nd-Level 硬件层(绕过主 MCU,SBC + 独立 ADC + 看门狗直接拉 STO),本 wiki 给 < 5 μs
- 慢故障(过温 / CAN 超时 / 绝缘退化)→ FTTI 毫秒级 → 走 1st-Level 软件层(SafeState Manager FSM 仲裁),< 100 ms 即可
把慢故障的预算套到快故障上 = 漏窗器件炸;把快故障的预算套到慢故障上 = 过度设计、成本浪费。先按危害归类,再给每类分预算,是这套方法的起点。
3. 解决方案:给 SiC 800V 主驱短路分预算 + 验证 + 落 TSR
有了"窗口定死、分两段、per-hazard"三条原则,就能把一个真实场景的预算算出来、测出来、写进需求。
3.1 Worked 账本:SiC 主驱硬短路
取最紧的器件场景 SCSOA = 2 μs(SiC 最坏角)作为 FTTI,按下表分配。原则是先满足 FDTI 下限(blanking 卡死),再把剩余窗口分给 FRTI,并强制留余量:
| 环节(归属) | 典型预算 | 受什么卡 |
|---|---|---|
| tBLK + 检测(FDTI) | 0.5-1.0 μs | blanking 盖合法瞬态;≤ SCSOA/3 |
| soft turn-off(FRTI) | 0.4-0.5 μs | di/dt 过压上限 |
| 合计 vs FTTI | ≤ 1.5 μs ≤ 2 μs | 留 ~25-60% SCSOA 余量 |
这条账本和 SiC 并联页 §3 的"DESAT detect 250-500 ns + soft-off 400-1500 ns,总 ≤ 1.5 μs"是同一个预算,只是这里显式标了它是 FDTI / FRTI 的拆分,并显式对齐 FTTI = SCSOA。IGBT 同样的链路因为 SCSOA 8-10 μs,SCSOA 窗口宽 4-5 倍、可用余量宽 ~13-17 倍。
3.2 怎么验证:scope 实测每段 + 留余量(对应 EV-DESAT-003)
预算是纸面分配,闭环必须实测。DESAT 评审 EV-DESAT-003 要的就是这个证据:在 bench / HIL 上注入短路,用示波器抓 故障注入沿 → safe-state 输出(栅极真正关断) 的端到端延迟,确认实测 ≤ FTTI 且留余量。要分别量 tBLK、检测点、栅压跌落完成点三个时刻,而不是只看总延迟——只有分段量,才知道余量被哪一段吃掉,后续才好优化(故障注入方法见 Fault Injection Test)。
3.3 落进安全需求:TSR 里要出现 FTTI / FDTI / FRTI 的数字
方法学的终点是可追溯的需求。FSR(功能安全需求)说"短路必须在器件损坏前进 safe state",TSR(技术安全需求)必须把它量化成"FDTI ≤ X μs、FRTI ≤ Y μs、X + Y ≤ FTTI(= SCSOA Z μs)、余量 ≥ W%",并标注验证方法(scope 实测)。没有数字的 FTTI 需求无法验证、无法评审(写法见 FSR/TSR Writing)。
3.4 闭环 DESAT 评审
本页是 DESAT 评审两条证据项的方法学依据:EV-DESAT-002 的 tBLK ≤ SCSOA/3 是 §2.1 FDTI 下限约束;EV-DESAT-003 的 latency < FTTI 是 §3.1 账本 + §3.2 验证。但要强调:方法学讲清了"该测什么、阈值多少",真实闭环仍需挂上真实的 bench scope / HIL 工件——纸面预算不能替代实测证据。
缩写表
| 缩写 | 全称 / 含义 |
|---|---|
| FTTI | Fault Tolerant Time Interval — 故障容忍时间窗 |
| FDTI | Fault Detection Time Interval — 故障检测时间 |
| FRTI | Fault Reaction Time Interval — 故障反应时间 |
| DTI | Diagnostic Test Interval — 诊断测试间隔 |
| SCSOA | Short-Circuit Safe Operating Area — 短路安全工作区 |
| tBLK | blanking time — DESAT 消隐时间 |
| DESAT | Desaturation — VCE 退饱和短路保护 |
| STO | Safe Torque Off — 栅极全关安全态 |
| ASC | Active Short Circuit — 下管全开主动短路安全态 |
| SSM | SafeState Manager — 1st-Level 安全软件层 |
| FSR / TSR | Functional / Technical Safety Requirement |
| Tj | junction temperature — 结温 |
| VCE | collector-emitter voltage |
核心要点
- FTTI 是危害定死的窗口,不是可调目标 — 对硬短路 FTTI ≈ SCSOA,SiC 2-4 μs / IGBT 8-10 μs,超窗 = 器件热击穿
- 硬约束 FDTI + FRTI ≤ FTTI — 检测段 + 反应段之和必须落在窗口内并留余量(对 2 μs 最坏角余量 ~25%,4 μs 端约 60%)
- FDTI 下限被 blanking 卡 — tBLK 0.3-1 μs 必须盖合法瞬态又 ≤ SCSOA/3(= EV-DESAT-002)
- FRTI 不能取 0 — 硬关产生 过压,必须 soft turn-off 受控降 di/dt(0.4-1.5 μs)
- FTTI 是 per-hazard 的 — 快电气故障 μs 走 2nd-Level 硬件,慢故障 ms 走 1st-Level 软件,差 4 个数量级
- SiC 主驱 worked 账本 — FDTI 0.5-1.0 μs + FRTI 0.4-0.5 μs ≤ 1.5 μs ≤ FTTI 2 μs
- 验证靠分段 scope 实测 — 注入短路抓端到端延迟,分段量才知余量被谁吃(= EV-DESAT-003)
- TSR 必须出现量化数字 — FDTI/FRTI/FTTI/余量都写成可验证的数,否则评审过不了
Cross-references
- ← 索引
- HARA — FTTI 这个量在危害分析里怎么定出来(本页的上游)
- SafeState Manager 深度 — 两级保护架构,FTTI < 5 μs / < 100 ms 的来源
- SiC 并联 + SC timing 预算 — 同一条 SC 预算的器件侧展开
- DESAT 保护深度 — FDTI 检测段的具体机制
- Soft Turn-Off 设计 — FRTI 反应段的具体设计
- Fault Injection Test — §3.2 验证用的故障注入方法
- FSR/TSR Writing — §3.3 把 FTTI 写进安全需求
来源:ISO 26262-1:2018 术语定义(FTTI / Diagnostic Test Interval / fault reaction time);ISO 26262-9 §7 DFA;本 wiki SafeState Manager §3.3(2nd-Level FTTI < 5 μs / 1st-Level < 100 ms)与 SiC 并联 SC timing §3(SCSOA 2-4 μs / 预算 ≤ 1.5 μs)综合;Wolfspeed SCSOA 应用数据。本页 §1 FTTI=SCSOA 对齐、§2 FDTI/FRTI 拆分、§3 worked 账本 + TSR 落地为本 wiki 方法学补充。