Resolver 解算深度 — 信号链 / 解算 IC / 校准 / PCB

控制采样L1别名 resolver decode · AD2S1210 · AU6802 · sin cos demodulation · resolver calibration · 旋变解算 · 更新

本质与导读

本质 resolver 解算 IC 把 sin/cos 调制信号还原成数字角度 θ,这一步决定全链 θ 精度、噪声与延迟。EV 主驱要 ≤±1° 并非转矩误差预算(1° 仅 ~0.015% 转矩误差),而是控制环稳定、电流矢量对齐与 NVH 余量逼出来的硬约束。硬件 RDC 走的是 Type-II 跟踪环(非逐点 atan2),且分辨率与最大跟踪率绑死折中。

主线坐标:第 6 站 · 电机 + 控制采样 · ↑ 全景主线

1. 完整信号链

resolver 解算 = 激励 → 物理传感 → 同步解调 → atan2 → 角度,4 段链子 每段都可能引入误差。下图把完整信号链 + 5 大误差源 + 工程对策一次画清:

Resolver 解算信号链 — 激励 + 同步解调 + atan2 → θ


2. 激励驱动

resolver primary 需要正弦激励才能工作:

  • = 5-10 Vpp(送到 resolver primary 端的电平)
  • , 2-20 kHz(AD2S1210 可编程,典型 10 kHz)

关键点:解算 IC 的参考振荡器不能直驱 resolver。 片内振荡器电平低、驱动能力弱,几乎都要外加缓冲放大器。以 AD2S1210 为例:EXC/EXC 引脚只输出约 3.6 Vpp 正弦,而 resolver primary 阻抗低(50-200 Ω)、单端电流需求可达 ~200 mA,IC 直连会把激励波形拉垮 → sin/cos 幅度不足。ADI 官方参考设计 CN-0192 / CN-0317 用 AD8397(310 mA @ 32 Ω)或 AD8662 复合放大器把 EXC 电平放大 + 电平搬移后再推 resolver。

驱动方案对比:

  • OP-AMP class-AB 缓冲:简单,中低功率够用
  • 高电流 line driver / H-bridge:效率高,大 resolver 或长线缆用
  • AD8397 / AD8662 复合驱动(ADI 参考设计):低失真、大电流,EV 主驱标配

关键要求:

  • 激励频率由 CLKIN 分频得到,稳定度 = 晶振稳定度(标准晶振 ±50 ppm 量级)
  • 幅值稳定 < ±1%
  • 缓冲输出阻抗 « resolver primary 阻抗(< 10 Ω)

3. 同步解调原理

resolver 输出调制信号:

同步解调:乘以 然后低通滤波:

低通滤波(截止 < 2 kHz)→ DC 分量 。cos 通道同理 →

注意:上面"采样 + 数字解调"是软件 RDC / 离散 ADC 方案的做法 —— 此时 ADC fs > 200 kHz(10 kHz 激励 × 20× 过采样)是防混叠的硬约束。硬件 RDC(AD2S1210)把解调 + 环路全做进片内,用 CLKIN(6.144-10.24 MHz)驱动,不需要外部高速 ADC,走的是 §5 的闭环跟踪环,不是先采样再 atan2。


4. atan2 算位置(开环路线)

得到 后,最直接的解算是逐点求反正切:

atan2 而非 :atan2 处理 4 象限(arctan 只 ±π/2,无法区分 sin/cos 同号 vs 异号)。

这是开环 / 前馈路线(软件 RDC、CORDIC IP、离散 ADC + MCU 常用):每个采样点独立算一次角度,不含记忆。它简单,但对逐点噪声无抑制,且不天然给速度(要额外微分,放大噪声)。

精度由 ADC bit + 同步解调质量 决定(量化底 = ,如 16-bit = 0.0055°;下列为含噪声/解调后的实际可达精度,非纯量化底):

  • 12-bit → ±0.5° 量级
  • 14-bit → ±0.1° 量级
  • 16-bit → 量化底 0.0055°,但整机噪声一般限到 ±0.05-0.1°

真正的工业级硬件 RDC(AD2S1210 / AU6802N1)不用逐点 atan2,而用 §5 的闭环 Type-II 跟踪环 —— 对噪声有低通抑制、且免费吐出速度


5. Type-II 跟踪环(硬件 RDC 的实际架构)

前一节 atan2 是"看一眼算一次"的开环法;工业级硬件 RDC(AD2S1210、AD2S1205、Tamagawa AU6802N1)统统用闭环 Type-II 跟踪环 —— 把角度解算变成一个伺服环:内部维护一个角度估计 ,不断驱动它去追真实角度 。这带来开环法给不了的两个好处:对噪声有二阶低通抑制、速度 是环路的免费副产品(无需噪声微分)。

5.1 误差信号:

环路核心是构造一个正比于角度误差的信号。用估计角 对 sin/cos 做交叉相乘再相减:

代入 (载波已解调掉):

追近 时, 很小,,误差信号线性正比于角度误差 —— 这就是能直接送进线性伺服环的误差量。这一步同时完成了同步解调(乘 sin/cos)与鉴相,不需要显式 atan2

5.2 为什么必须是 Type-II(双积分器)

送进补偿器再积分得到 。环路里积分器的个数(开环在原点的极点阶数)决定"型别":Type-I(单积分器)在恒转速输入下有稳态跟踪滞后,转得越快角度落后越多,高转速下会直接变成 FOC 电流矢量对齐误差;Type-II(双积分器)对恒转速(角度的斜坡输入)稳态误差 = 0,只有恒加速度才留有限滞后。

所以 RDC 一律用 Type-II:误差 → 带零点的 PI 补偿器(保稳定)→ 积分器 1(输出 = 速度 )→ 积分器 2(输出 = 角度 )。第一个积分器的状态天然就是速度估计,这就是 RDC 为什么能同时给角度和速度、且速度不含微分噪声。闭环从 是标准二阶低通:

带宽 决定动态响应与噪声抑制的折中。

5.3 带宽 / 分辨率 / 跟踪率的三角约束

Type-II 环有一组绑死的折中:带宽高 → 跟得快、动态滞后小,但通过的噪声多、角度抖动大;带宽低 → 噪声小、分辨率高,但最大可跟角速度(跟踪率)下降。AD2S1210 把这个折中固化成"分辨率越高、最大跟踪率越低"(CLKIN = 10.24 MHz):

分辨率LSB最大跟踪率 (rps)
10-bit0.35°3125
12-bit0.088°1250
14-bit0.022°625
16-bit0.0055°156

跟踪率随 CLKIN 线性缩放(8.192 MHz 时各档 ×0.8)。关键工程后果:16-bit 的 156 rps = 9360 rpm(单速 resolver),对高转速 EV 主驱往往不够 —— 这直接逼出 §11 worked design 里"必须拿分辨率换跟踪率"的抉择。


6. 主流解算 IC 对照

主流位置解算 IC 分两条路线 — 传统 resolver + RDC(变压器耦合,EV 主驱 99%)vs 磁式 angle sensor(集成磁体 + Hall/GMR + 片内角度 DSP,进入低成本 / 紧凑场景)。下表 4 列(精度 / 接口合并到备注):

IC厂商分辨率备注
AD2S1210ADI10/12/14/16-bit±2.5 arcmin (±0.042°) / SPI+parallel / 行业基准
AD2S1205ADI12-bit±11 arcmin / parallel+serial / 经济
AU6802N1Tamagawa Seiki10/12-bitSmartcoder / 带异常检测 / 日系 OEM 主流
TLE5012BInfineon15-bit±1.0°(标定后 ±0.5°)/ 磁式 iGMR(非 resolver)
MLX90380Melexissin/cos 模拟磁式 Triaxis"磁 resolver" / EPS·增压器
MA702Monolithic Power12-bit±0.5° 级 / 磁式 / SPI+ABZ / 经济

EV 主驱主流:AD2S1210(多家 EV 主驱平台的基准 RDC)或 Tamagawa AU6802N1(日系);磁式(TLE5012B / MLX90380)在低成本 / 紧凑场景替代 resolver,但精度与耐环境不如 VR resolver。


7. 5 大误差源 + 工程对策

7.1 激励噪声

激励信号 jitter / 谐波 → sin/cos 调制噪声 → θ 噪声。

对策:

  • 激励 RMS jitter < 0.1%
  • 屏蔽双绞线缆连接 primary
  • 激励驱动 IC 选低噪(THD < -60 dB)

7.2 幅值不匹配

sin 和 cos 通道增益不一致(secondary 绕组不对称 / cable 差异 / ADC mismatch):

→ atan2 算出来的 θ 周期性偏 1-5°。

对策:

  • 解算 IC 内置 gain calibration(AD2S1210 启动时自动跑)
  • 出厂校准记录到 EEPROM

7.3 相位漂

sin/cos 期望相差 90°,但温度 / 老化让相位漂 ±2°:

让同步解调出错。

对策:

  • 温度补偿(IC 内置)
  • 老化测试 1000h @ 125℃ 后再校准

7.4 零位偏(机械装配偏置)

resolver 机械装配时,转子电气 0° 与电机 d 轴之间有一个固定偏置 θ_offset。这个偏置由装配决定、可以是 0-360° 内任意值,必须实测并存储后在运行时减掉;量产装配后的典型残余电气零偏在 5-30° 量级(与位置传感安全 G5 的 θ_offset 口径一致)。

对策:

  • 车厂电机找零 —— 装车后通直流小电流,转子对齐 d 轴,读 resolver 当前 θ,该值即机械 0° 偏置
  • ECU EEPROM / NVM 存偏置 → 运行时减;NVM 读失败必须报 fault,不能默认 0(见 §12 G5)
  • 每年 / 每 10000km 或维修后重新校准

链接:电机找零标定 · 位置传感安全 θ_offset

7.5 EMC 干扰

SiC dv/dt 200 V/ns → 共模噪声 → 串入 resolver 信号线。

对策:

  • resolver 走线远离 SiC 主回路(≥ 50 mm 物理距离)
  • 差分走线 + 屏蔽 + 双绞
  • 缆接头屏蔽 360° 接地
  • 解算 IC 加 RC 滤波(50-500 kHz 截止)

8. 校准流程

8.1 出厂校准 (Tier-1 阶段)

Tier-1 在生产线上做完模块组装后,所有内置误差先校准 + 存 EEPROM。后面装车阶段只测装配偏置:

  • 测 sin/cos 增益 / 相位 / 零位偏
  • 校准数据写 EEPROM(IC 内或 MCU 外置)
  • 加速老化测试 1000h 后重测,验证漂量

8.2 装车校准 (OEM 阶段)

OEM 把电机 + 主驱装车后,resolver 的机械 0° 跟 d 轴不对齐 — 必须现场标定一次。这步省不了,否则转矩跑偏:

  • 装车后Tag 电机找零:通直流 → 转子对齐 d 轴 → 读 resolver 当前 θ → 该值即"机械 0°偏置"
  • 偏置存 ECU EEPROM

8.3 在线校准 (运行时)

EV 8 年质保周期内温度 / 老化让出厂校准漂,需要运行时持续修正:

  • 解算 IC 实时估算激励幅值漂 → 动态补偿
  • 温度传感器读 Tj → 查表补偿相位漂

9. PCB 布局关键

9.1 激励驱动布局

激励信号从 IC 传到 resolver 接头是一条模拟信号链,信号完整性 + EMC 必须双兼顾:

  • 激励驱动 IC 与 resolver 接头短距 < 50mm
  • 双绞输出对(L 极性 + 屏蔽)
  • 接头 360° 屏蔽接地

9.2 sin/cos 接收布局

接收端的差分阻抗 + ADC 紧贴 + GND 隔离是 3 件套,缺一会让噪声涨 6-12 dB:

  • 差分 100Ω 阻抗
  • ADC 与接收前端紧贴(< 20mm)
  • ADC 参考用独立 LDO(防共模)
  • 远离 SiC 模块至少 50mm(避免 dv/dt 串扰)

9.3 解算 IC + MCU

数字段连接看似简单,但数字 GND 隔离不能省 — 否则数字噪声会窜回 analog 端:

  • SPI 走线 < 100mm
  • 数字 GND 独立 plane(避免数字噪声入 sin/cos analog)

链接:Driver PCB Kelvin — PCB 通用规则


10. 实战参数 (EV 主驱 AD2S1210)

把上面所有 spec 合到一张 baseline 表 — 新 EV 主驱 resolver 系统设计可以照这表作 starting point,再按电机 + 整车需求微调:

参数典型值
激励频率10 kHz(可编程 2-20 kHz)
激励电平(resolver primary)7-10 Vpp,经 AD8397 缓冲后(IC EXC 引脚本身 ~3.6 Vpp)
sin/cos 输入3.15 Vpp diff(±27%)
分辨率12-14 bit(EV 高速下受跟踪率约束,见 §5.3 / §11)
IC 角度精度±2.5 arcmin(±0.042°)
整机精度(含线缆 / EMI / 标定)±0.1°(typ)~ ±0.5°(高温 / 老化)
内部时钟 CLKIN6.144-10.24 MHz
最大跟踪率分辨率相关:12-bit 1250 rps / 14-bit 625 rps(@10.24 MHz)
温度范围-40 → +125℃
接口SPI/serial + 16-bit parallel

11. 端到端 Worked Design — EV 主驱 resolver 前端(AD2S1210 + AD8397)

前面把 spec 拆散讲了;这一节用一个真实 EV 主驱信号链把它们串起来,重点展示"分辨率 vs 跟踪率"这个 EV 高速下绕不开的硬抉择 —— 它不是查表能直接抄的,必须按电机极对数 × 最高转速算。

11.1 系统与器件

先把平台与选型固定下来,后面所有计算都基于这组约束:

  • 电机:8 极 PMSM(4 对极),最高机械转速 16000 rpm
  • resolver:Tamagawa Singlsyn 变磁阻(VR)brushless resolver,转变比 ~0.5,选 4X(4 对极,与电机极对数匹配)—— 这样 resolver 电气角 = 电机电气角,FOC 直接用、省掉软件极对数映射,机械偏心误差被摊到电气频率上更好滤
  • RDC:ADI AD2S1210 × 1(功能安全冗余版本 = 双 RDC,见位置传感安全 §13)
  • 激励缓冲:AD8397 双运放(310 mA @ 32 Ω),ADI CN-0192 电路
  • 时钟:CLKIN = 10.24 MHz

11.2 激励链设计

激励链要把 IC 的弱输出整形成 resolver 能吃、又落在 RDC 输入窗口内的电平:

AD2S1210 EXC/EXC 输出 ~3.6 Vpp、10 kHz。AD8397 增益 ~2× + 电平搬移 → resolver primary ~7 Vpp。转变比 0.5 → sin/cos secondary 峰值 ~3.5 Vpp,落在 AD2S1210 输入窗口 3.15 Vpp ±27%(= 2.3-4.0 Vpp)内。激励频率若与 PWM 载波同为 10 kHz 会谐波混叠(见 §12 G3),量产常错开到 ~12.5 kHz。

11.3 分辨率 vs 跟踪率(核心抉择)

4X resolver + 16000 rpm 机械 = 266.7 机械 rps,resolver 电气角速度 = 4 × 266.7 = 1067 电气 rps。RDC 的最大跟踪率是按电气角速度算的,必须 > 1067 rps。查 §5.3 表(CLKIN = 10.24 MHz):

分辨率最大跟踪率电气 rps 够否机械转速上限
16-bit156 rps✗ 远不够156/4 = 39 rps = 2340 rpm
14-bit625 rps✗ 不够625/4 = 156 rps = 9375 rpm
12-bit1250 rps✓ 裕量 1.17×1250/4 = 312 rps = 18750 rpm

结论:高分辨率(16-bit)在这个 4X + 高转速组合下根本跟不动 —— 被逼到 12-bit。12-bit 电气 LSB = 0.088°,除以 4 对极 = 0.022° 机械等效分辨率(和 1X + 14-bit 一样),但 1250 vs 1067 的裕量只有 17%,量产必须留温度 / CLKIN 容差余量,否则超速工况丢跟踪(LOT)。

备选:换 1X resolver(电气 = 机械 266.7 rps)可上 14-bit(625 rps,裕量 2.3×);代价是软件要乘极对数、且 resolver 本体电气精度低 4 倍。EV 主驱在"跟踪裕量"与"电气精度"间通常选 4X + 12-bit

11.4 抗混叠 / 抗 EMI 滤波

滤波要在挡住 SiC 高频与不破坏载波相位之间取平衡:

sin/cos 输入各加 RC 低通,截止 ~50 kHz(≈ 5× 激励)—— 既滤掉 SiC dv/dt 串入的高频,又不过度移相 10 kHz 载波。关键:sin 与 cos 两路 RC 必须匹配到 ±1%,否则两路载波相移不等 → §7.3 相位漂类误差;共模相移(两路相等)在 atan2 比值里自动抵消,不影响角度。

11.5 结果预算

把上面的选型与滤波结论汇成整机预算:

  • 角度分辨率:0.022°(机械等效)
  • IC 精度:±2.5 arcmin(±0.042°)
  • 加线缆 / EMI / 标定残差 → 整机 ±0.1° typ
  • 速度 由 Type-II 环第一积分器直接给出,无微分噪声
  • 最高可跟 18750 rpm(> 16000 rpm 需求,裕量 17%)

核心教训:EV 主驱 resolver 前端不是"选最高分辨率 IC"就行 —— 极对数 × 最高转速先卡死跟踪率,再倒推能用的分辨率


12. 工程陷阱

resolver 解算失败的典型坑集中在驱动 / 跟踪率 / 校准 / EMC / 零位偏。先给速查表,再逐条讲根因与修法:

陷阱根因修法
IC 直驱 resolverEXC 只 ~3.6 Vpp / 弱驱动加 AD8397 / AD8662 缓冲
分辨率贪高丢跟踪16-bit 跟踪率仅 156 rps按极对数 × 转速倒推分辨率(§11.3)
激励与 PWM 同频混叠10 kHz 载波谐波串入激励错开(~12.5 kHz)+ 陷波
sin/cos RC 不匹配两路相移不等 → 相位漂同批 ±1% 器件对称布局
NVM 读失败默认 θ_offset=0静默用 0 → 系统性偏差读失败报 fault,禁默认 0
EMC 太近 SiC / 单端走线dv/dt 串扰 → θ 噪声 / CLIP差分 + 双绞 + 屏蔽 + 距 ≥ 50mm

G1:IC 参考振荡器直驱 resolver primary。 误以为 AD2S1210"内置激励"就能直接接 resolver。EXC/EXC 只有 ~3.6 Vpp、驱动能力弱,而 resolver primary 阻抗 50-200 Ω、单端电流需求可达 ~200 mA,直连会把激励波形拉垮 → sin/cos 幅度不足触发 DOS/LOS。修法:按 ADI CN-0192 / CN-0317 加高电流缓冲(AD8397 310 mA / AD8662 复合)+ 电平搬移。

G2:贪最高分辨率,超速丢跟踪(LOT)。 选 16-bit 图角度分辨率,却忽略 16-bit 最大跟踪率只有 156 rps(9360 rpm 单速);4X + 高速主驱电气角速度上千 rps,环路跟不上 → LOT 报错、角度失锁。修法:先用"极对数 × 最高机械转速"算电气 rps,再从 §5.3 表倒选能覆盖的最低分辨率;EV 主驱常落 12-bit。

G3:激励频率与 PWM 载波同频谐波混叠。 resolver 激励 10 kHz 与 PWM 载波 10 kHz 撞频,换相谐波直接混叠进激励 / 响应通路,产生与转速相关的周期性角度误差(峰值 1-3°),易被当"正常噪声"。修法:激励错开载波(如 12.5 kHz),或在 sin/cos 前端加目标频率陷波;EMC 阶段用示波器看 sin/cos 的 FFT。

G4:sin/cos 前端 RC 不匹配。 为抗 EMI 加 RC,但 sin 与 cos 两路 R/C 容差大(如 5%),两路载波相移不等 → 等效相位漂,atan2 周期性偏 0.5-2°。修法:sin/cos 滤波用同批 ±1% 器件、对称布局;共模相移无害(比值抵消),差模相移才是敌人。

G5:零位偏 θ_offset NVM 读失败默认 0。 θ_offset(装配电气零点,典型 5-30°)存片上 Flash;NVM 读失败或 CRC 不过时若静默用 0 → 全链系统性角度偏差,plausibility 抓不到(整链一致偏)。修法:读失败必须报 fault,禁用默认值;上电自检注入小电流脉冲验证 θ_offset 与转子响应一致(与位置传感安全 G5 / C1 同一口径)。

G6:resolver 走线单端 + 贴近 SiC。 单端走线或与 SiC 主回路 < 50 mm,dv/dt 200 V/ns 共模噪声串入 sin/cos → θ 噪声甚至 CLIP。修法:差分 + 双绞 + 360° 屏蔽接地,物理距 SiC ≥ 50 mm,ADC 参考用独立 LDO。


13. Corner 分析 — 3 个边界场景

常规台架测试覆盖不到的边界工况,恰恰是 resolver 前端最容易翻车的地方:

C1:零速 / 静止下速度类诊断全失效。 ω=0 时所有基于"角度变化 ≤ ω·Δt"的 plausibility 退化为恒真;若转子被机械卡死,sin²+cos² 仍 ≈ 1(幅度正常),角度值却是错的静止角,软件看不到。应对:上电注入小电流脉冲(< 5% Imax)验证转子响应与角度一致,首次运动完成前不放行全扭矩(与位置传感安全 C1 一致)。

C2:CLKIN 漂移 / 容差吃掉跟踪率裕量。 §11 里 12-bit 跟踪率 1250 rps 对 1067 rps 需求只有 17% 裕量;跟踪率随 CLKIN 线性缩放,若用 ±100 ppm 普通晶振且高温下频率下沿,叠加电机瞬时超速(如下坡能量回馈),电气 rps 可能顶破跟踪率 → 瞬时 LOT。应对:留 ≥ 1.3× 跟踪率裕量,或用更稳晶振,或在超速工况提前限速 / 切 sensorless。

C3:高温通道激励幅度跌破 DOS 阈值。 resolver 铜阻随温升(约 0.4%/℃),高温下 primary 电流减小、sin/cos 幅度下降;AD2S1210 用比值算角度对共模幅度不敏感,角度仍准,但幅度绝对值跌破 DOS 阈值会拉 FAULT —— 良性温度效应触发"故障"。应对:激励侧加 AGC 或 NTC 补偿维持幅度;或热机过渡段(key-on 后 ~30 s)放宽 DOS,热稳后恢复严格(与位置传感安全 C3 一致)。


核心要点

  • resolver 解算 = 激励 → 物理 → 同步解调 → 角度 4 段链,任一段引入误差。
  • 硬件 RDC 用 Type-II 跟踪环(非逐点 atan2):对恒转速零滞后、噪声二阶低通、速度 是免费副产品。
  • AD2S1210 IC 精度 ±2.5 arcmin(±0.042°);整机含线缆 / EMI / 标定后 ±0.1° typ。EV 主驱功能安全要求整链 ≤ ±1°。
  • 分辨率 ↔ 跟踪率绑死折中:16-bit 最大跟踪率仅 156 rps(9360 rpm),高速主驱常被逼到 12-bit —— 按极对数 × 最高转速倒推分辨率。
  • 解算 IC 参考振荡器(EXC ~3.6 Vpp)不能直驱 resolver,必须外加高电流缓冲(AD8397 / AD8662)。
  • 5 大误差源:激励噪声 / 幅值不匹配 / 相位漂 / 零位偏 / EMC,每条都有工程对策。
  • 3 阶段校准:出厂 / 装车 / 运行时;θ_offset(典型 5-30°)NVM 读失败必须报 fault、禁默认 0。
  • PCB 关键:距 SiC ≥ 50mm + 差分 + 屏蔽 + 双绞;sin/cos 前端 RC 匹配 ±1%(差模相移才有害)。

缩写表

只列本页用到的工业标准缩写;通用英语…

只列本页用到的工业标准缩写;通用英语 / 单位 / 月份 / 我们的 层/Lx tag 不列。覆盖不到的术语见正文 inline 注释。

缩写全称中文 / 备注
PCBPrinted Circuit Board印刷电路板
EVElectric Vehicle电动车
ADIAnalog Devices亚德诺半导体
OEMOriginal Equipment Manufacturer整车厂 / 主机厂
RDCResolver-to-Digital Converter旋变数字转换器
ADCAnalog-to-Digital Converter模数转换器
LSBLeast Significant Bit最低有效位(此处指角度量化步长)
VRVariable Reluctance变磁阻(brushless resolver 类型)
PMSMPermanent Magnet Synchronous Motor永磁同步电机
FOCField-Oriented Control磁场定向控制
GMRGiant Magneto-Resistance巨磁阻(磁式角度传感原理)
EMCElectromagnetic Compatibility电磁兼容
ASILAutomotive Safety Integrity LevelISO 26262 安全完整性等级 QM→A→B→C→D
MOSFETMetal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor金属氧化物场效应晶体管
DCDirect Current直流(本页指同步解调后的直流分量)
SPISerial Peripheral Interface串行外设接口
RMSRoot Mean Square均方根
THDTotal Harmonic Distortion总谐波失真
AGCAutomatic Gain Control自动增益控制
LOS/LOT/DOSLoss of Signal / Tracking / Degradation of SignalAD2S1210 三类 fault 输出
ECUElectronic Control Unit电子控制单元
MCUMicrocontroller Unit微控制器(本页多指车规多核 MCU)
NVMNon-Volatile Memory非易失存储(Flash / EEPROM)
LDOLow Dropout Regulator低压差线性稳压器

Cross-references