CISPR 25 Class 5 传导发射 — 限值阶梯 × π-filter 设计
本质与导读
本质 CISPR 25 传导发射限值是按 service band 离散给的阶梯线,每段 Peak/QP/Average 三套各对各限值都要过(§4.1.3)——定频 SMPS 的窄带谐波 AVG 读数≈PK 读数,真门是比 PK 低 20 dB 的 AVG 限值,按 PK 设计的 filter 系统性欠 20 dB。共模、差模噪声路径分开抑(堆 X cap 治不了共模);π-filter 截止频率先按限值下沿减一个 decade 粗算,再按 AVG 门反推收紧(本页 worked 落在 ~9 kHz)。100 kHz buck 的 2/3 次谐波正砸 LW、6 次以上砸 MW,SMPS ECU 实质必过这关。
主线坐标:旁支 · 低压控制域 · ↑ 全景主线
1. Class 5 CE 限值 — 阶梯线,真门是 AVG
CISPR 25 限值线长得像阶梯而非平直,根本原因是不同频段对应车载不同接收业务、每段限值独立从该业务接收机灵敏度反推(与 CISPR 25 总览 §2 同一口径)。LW/MW 段是长波/中波 AM 广播(0.15–1.8 MHz),限值绝对值反而最松(Class 5 Peak 70 / 54 dBμV);FM 段(76–108 MHz)限值压到 Peak 38 dBμV。但 SMPS 开关谐波恰好砸在 LW/MW,所以"最松"的两段工程上最常挂。CE 电压法(§6.3)Class 5 限值(dBμV,CISPR 25:2021,与 T1 总览 §3 表同源交叉核):
| 频段 | MHz | PK | QP | AVG |
|---|---|---|---|---|
| LW | 0.15–0.30 | 70 | 57 | 50 |
| MW (AM) | 0.53–1.8 | 54 | 41 | 34 |
| SW | 5.9–6.2 | 53 | 40 | 33 |
| CB | 26–28 | 44 | 31 | 24 |
| VHF | 30–54 | 44 | 31 | 24 |
| TV Band I | 41–88 | 34 | — | 24 |
| VHF | 68–87 | 38 | 25 | 18 |
| FM | 76–108 | 38 | 25 | 18 |
三套检波各对各限值都要过(§4.1.3):广播段 PK−QP 13 dB、PK−AVG 20 dB,TV 段 PK−AVG 10 dB(无 QP)。对 100 kHz 定频 buck,谐波间隔 100 kHz 远大于 RBW 9 kHz,每根谐波都是独立窄带线,AVG 读数 ≈ PK 读数——检波切换毫无减免,真门是低 20 dB 的 AVG 限值。下图把代表频段 Peak 限值、未滤波 SMPS 噪声、按 AVG 门设计的 π-filter 后噪声一次说清:
未滤波(黄虚线)对 Peak 限值超 LW +25 / MW +29 / FM +10 dB,看着还能抢救;对真门 AVG 限值超的是 LW +45 / MW +49 / FM +30 dB——这是 100 kHz 定频 buck 的典型起手,也是"按 PK 目测裕量"最危险的地方。加 π-filter 后(绿实线)按 AVG 门 +10 dB 设计:LW 40 vs 50、MW 24 vs 34、FM 8 vs 18 dBμV,全频段对 AVG 门 ≥ 10 dB(对 PK 门 20 dB 以上)。lab 通过线是 6 dB margin(留温度/批次/老化裕度),所以设计目标必须 ≥ 10 dB。
2. 噪声路径 — 差模 vs 共模
ECU 电源噪声不是"一团"而是两路独立,治理手段完全不同。差模 (DM) 是 Vbat 线和 GND 线之间的回路电流,主要由 SMPS 开关瞬态 dI/dt 产生,频段集中在开关频率谐波(100 kHz buck → 0.2/0.3/0.4 MHz…谐波),所以主要打在 LW/MW;共模 (CM) 是 Vbat 和 GND 双线相对车体 GND 的电流,主要由 dV/dt 通过寄生电容耦合到地,频段偏高(数 MHz – 100 MHz),所以主要打在 SW/VHF/FM。
| 路径 | 来源 | 频段 | 抑制元件 |
|---|---|---|---|
| 差模 DM | dI/dt × Lloop | LW + MW (0.15–2 MHz) | CX (X cap) + Ldm 差模电感 |
| 共模 CM | dV/dt × Cparasitic | CM 噪声谱 5–100 MHz(跨 SW 6 MHz 窄带 + FM 76–108 等多个 service band) | CY (Y cap) + Lcm 共模电感 |
错误推理是"加大 CX 就完事"——CX 治 DM 不治 CM,VHF/FM 段会照样挂。π-filter 必须同时含 X/Y cap + DM/CM 双电感才能覆盖完整频段。fail 后先定模态再动手:两台 AN 读数取和/差(或 CM 电流钳)区分 DM/CM,方向错了整改全白做(与 T1 总览 §9.5 同一流程)。
3. π-filter 5 步 worked design — 2 A ECU 真器件
π-filter 设计有个反直觉点:不是先选元件,而是先反推截止频率 fc——fc 决定 filter 在限值频段已有多少衰减。两点先说清:① 名义上叫 π(C-L-C 三阶),但靠近 SMPS 的那只脚就是 buck 自己的输入 bulk 电容,设计自由度只有 Ldm + 线侧 CX,按 LC 二阶 -40 dB/dec 保守估(bulk 电容的 ESL/ESR 让理想三阶 -60 dB/dec 在高频不作数);② 目标频点的衰减需求按真门 AVG 限值 + 10 dB margin 算,不按 PK。平台:12 V ECU,Iavg = 2 A,100 kHz 定频 buck,未滤波谱按 §1 图黄线(0.2 MHz 处 ≈ 94 dBμV)。
3.1 选 fc — 先 decade 粗算,再按 AVG 门收紧
粗算:LW 下沿 0.15 MHz → fc ≤ 15 kHz(一个 decade,-40 dB)。但对 AVG 门这不够:0.2 MHz(2 次谐波)处未滤波 ≈ 94 dBμV,需衰减 = 94 − 50 (Class 5 AVG) + 10 (margin) = 54 dB → fc ≤ 0.2 MHz / 10^(54/40) ≈ 8.9 kHz,取设计值 fc ≈ 9 kHz。若只按 PK 门 70 dBμV 算(需 34 dB → fc ≤ 28 kHz),filter 会系统性欠 20 dB——这是 §7 G1 的定量版。
3.2 选 Ldm 差模电感 — Coilcraft XAL7030-103
Ldm 取 10 μH:Coilcraft XAL7030-103(复合模压铁粉芯,10 μH,Irms 5.3 A,DCR ≤ 62.7 mΩ,AEC-Q200)。满载 2 A 压降 2 × 62.7 mΩ ≈ 125 mV、损耗 0.25 W,可接受;电流裕量 5.3/2 ≈ 2.6×,满足饱和/温升裕量 ≥ 2× Iavg 的设计规则。
Ldm 不是标量,是阻抗-频率曲线:标称"10 μH"只在低频成立——磁导率随频率降、过自谐振(SRF)后变电容、阻抗回落,故 MW(0.53–1.8 MHz)段真实衰减看 |Z|(f) 而非铭牌感量。磁芯材料按用途选:DM 电感流满载 DC(2 A),必须用低磁导率、高 Bsat 的铁粉/复合粉芯(XAL 即此类,软饱和),牺牲 µ 换抗饱和;不能用高 µ MnZn ferrite 做 DM(一上 DC 就饱和 → §6 那条"Ldm 饱和 → MW 超 3 dB")。
3.3 选 CX 差模电容 — 10 μF/50 V ×6
由 fc 反推电容需求(LC 二阶转角):
注意这是偏置后的有效值。选型 Murata GCM32EC71H106KA03(10 μF/50 V/X7S/1210,AEC-Q200)× 6 = 60 μF 标称;12 V 偏置 + 温度降容合计按 -45% 计 → 有效 ≈ 33 μF → 实际 fc = 1/(2π√(10 μH × 33 μF)) ≈ 8.8 kHz ✓。耐压 50 V 覆盖 Load Dump 集中抑制后钳位 ~35 V(见 Load Dump 深度);22 μF/50 V X7R 单体 1210 车规料并不存在(GCM 22 μF 只到 16 V 档),标称大容量必须用多颗并联凑——这也是为什么"CX 22 μF ×3"这类纸面 BOM 常在 DFM 阶段翻车。
3.4 选 Lcm 共模电感 — WE-CMB 2.2 mH
Lcm 取 2.2 mH:Würth WE-CMB 系列电源线共模电感(如 7448258022:2.2 mH/8 A;按 2 A 应用可选更小封装档,AEC 资质按项目核)。CM 电感数值远比 DM 高(mH vs μH),因为两绕组的 DM 满载磁通在磁芯里相互抵消、磁芯只看到很小的 CM 磁通,故可用高磁导率 MnZn ferrite 做 mH 级而不饱和——不是因为"CM 阻抗低"。绕组 DCR mΩ 级,2 A 压降可忽略。
CM 选型同看阻抗-频率:mH 级 CMC 的 SRF 典型只有数百 kHz,过 SRF 后阻抗被绕组寄生电容拉着回落,100 MHz 处往往只剩几百 Ω——压整个 CM 谱(5–100 MHz)常需 CMC(低端)+ NiZn ferrite bead(高端)分段覆盖(与 RE 篇 §4.2 同一结论)。信号线 CMC 不能拿来当电源线 CMC:TDK ACT45B(CAN 总线用)只有 51–100 μH / 150–200 mA / DCR ~1 Ω,流 2 A 直接压降 2 V + 磁芯饱和(§7 G3)。
3.5 选 CY 共模电容 — 2.2 nF ×2
CY 接 Vbat/GND 双线到机壳 GND:Murata GCM155R71H222KA37(2.2 nF/50 V/X7R/0402,AEC-Q200)× 2。与 Lcm 构成的 CM 转角:
CY 的上限不是市电安规——"泄漏电流 3.5 mA @ 250 V AC"是 IEC 62368-1 对交流供电设备的约束(换算约 45 nF),12 V 车载电源线根本不适用。车规 12 V 侧真正卡 CY 的是抗扰:BCI(ISO 11452-4)/ ISO 7637 瞬态注入的共模能量会经 CY 灌进本地地反打逻辑,CY 越大这条门越宽(§8 C3);HV 侧才有 ISO 6469-3 总储能 < 0.2 J 的安全约束(与 T1 总览 §9.4 同一条)。工程窗口 1–10 nF,本设计 2.2 nF ×2。CY 必须最短路径落机壳:1 cm 走线 ~10 nH,在 100 MHz 就是 6.3 Ω 串联感抗,比 CY 自身容抗(0.7 Ω)大一个量级,接地引线长 = CY 白装(§7 G6)。
3.6 端到端核算 — 四个代表频点
把 §3.1–3.5 的元件代回 §1 的限值,逐频点核算(未滤波读数取 §1 图黄线,定频谐波 PK≈AVG):
| 代表频点 | 未滤波 dBμV | AVG 门 | 需衰减(+10 dB) | 一级 π 供给 |
|---|---|---|---|---|
| 0.2 MHz (LW) | 94 | 50 | 54 dB | 二阶理想 40·log10(200/8.8) ≈ 54 dB,恰好达标 |
| 1 MHz (MW) | 83 | 34 | 59 dB | 理想 82 dB 不作数:CX ESL + 互耦把单级封在 ~55–60 dB,贴线 |
| 6 MHz (SW) | 73 | 33 | 50 dB | DM 级已寄生封顶;CM 路径开始主导,靠 Lcm+CY(转角 51 kHz)接手 |
| 100 MHz (FM) | 48 | 18 | 40 dB | 纯 CM 战场:Lcm 过 SRF 只剩几百 Ω,靠 CY + NiZn bead + 接地质量 |
两个 expert 结论:① LW 反而是 DM 设计的裕量瓶颈——限值绝对值最松,但未滤波超 AVG 门最多(+45 dB),二阶单级恰好够、没有富余;② MW 需求 59 dB 贴单级寄生封顶,这就是"MW 常挂"的定量根因——layout(CX 引线、Ldm-CX 环路互耦)决定最后 5 dB,必要时上两级 LC 或指望 buck 自身输入 cap 的第三脚残余贡献,DV 前必须 pre-compliance 实测确认。
3.7 必读
π-filter 必读:
- EMC filter 深度(π-filter / CMC 设计通论)
- SBC Multi-rail Sequencing 深度(SBC 输入级也是 filter)
4. LISN 测试 + RBW 设置
LISN(CISPR 25 正文称 AN,Artificial Network)是 CE 测试金标准,目的是让 ECU 看到的电源阻抗与车载环境匹配——否则不同 lab 测出来不一致。5 μH‖50 Ω AN × 2(Vbat 一台 + GND 一台;不接测量仪的那台测量口必须接 50 Ω 端接,否则反射导致读数无效)。注意与 CISPR 16 家电用 50 μH AMN 不可互换(§7 G2)。
| 参数 | 设置 | 原因 |
|---|---|---|
| RBW | 9 kHz(0.15–30 MHz)/ 120 kHz(30–108 MHz) | CISPR 25 §4.4.2 按 CISPR 16-1-1 频段规定,分界严格在 30 MHz |
| Detector | 每频段 PK / QP / AVG 各对各限值都要过(§4.1.3;广播段 PK−QP 13 / PK−AVG 20 dB,TV 段 PK−AVG 10 dB) | 引用 dBμV 必标 detector + 频段 + Class;PK 粗扫,读数低于 AVG 限值的频点才免 QP/AVG 复测 |
| Sweep | 0.15–108 MHz(§6.3 电压法) | OEM 指定电流探头法(§6.4)时为 0.15–245 MHz、单位 dBμA;两法 <1.5 MHz 不等价,不可换算顶替 |
| 接地 | ECU 机壳 → 测试桌 GND plane,bond strap ≤ 5 cm | 共模回路必须最短 |
常见 fail 模式:bond strap 30 cm 长 → CM 回路寄生 L 大 → VHF 段噪声往上钻 8–12 dB,误以为 filter 不够。先核 bond strap,再调 filter。
5. ASIL D ECU 与 CISPR 25
ASIL D 标准本身不要求过 CISPR 25——ISO 26262 关心的是 EMC 失效不引发危险(抗扰侧的环境鲁棒性),发射限值属于整车 EMC / 法规域。但项目流程上:整车 EMC 不过 → SOP 推迟 → ASIL D 整车级故障注入测试拿不到时间窗 → 安全 case 收不了口。所以 ASIL D ECU 主管必须把 CISPR 25 当强约束而非"EMC 团队的事"。
实际项目落点:
- ECU 板级 CISPR 25 lab 通过(Class 5,AVG 门 + 10 dB margin)
- 线束 BCI(ISO 11452-4,组件级线束大电流注入,抗扰度,与 CISPR 25 发射正交)——共模噪声从线束注入,验证 ECU 不死(详见 EMC 抗扰度深度)
- 整车 OEM 企标复测(MBN 10284 / VW TL 81000 等)
3 个都过,ASIL D 项目的 EMC 链条才算闭环。
6. 复测 fail 模式速查
第一次 lab fail 后的快速诊断流程(先按 §2 用双 AN 和/差定 DM/CM 模态,再对号入座):
| 现象 | 高概率原因 | 应对 |
|---|---|---|
| LW (0.15–0.3 MHz) 过 5 dB | CX 偏置降容,有效值只剩标称一半 | 加并联颗数恢复有效 ≥ 31 μF,或 Ldm 加档 |
| MW (0.53–1.8 MHz) 过 3 dB | Ldm 饱和(电感量降)或 layout 互耦封顶 | 换 Irms/Isat ≥ 2× Iavg 的电感(如 XAL7030 加档);收 CX 引线环路 |
| SW/FM 段 (CM 谱 5–100 MHz) 过 5–8 dB | 共模没治 / CY 没装 / CY 接地引线长 | 加 Lcm 2.2 mH + CY 2.2 nF ×2,CY 过孔直落机壳 |
| VHF 单独飘 (50–100 MHz) | bond strap 长,GND 不实 | 缩短 strap < 5 cm + 多点接地 |
| 全频段抬升 5–10 dB | AN 校准失效 / 闲置口没端 50 Ω | 复测前先 AN self-test + 核端接 |
7. 7 个 Gotcha
CE 侧反复踩的坑集中在 7 类,前 5 条都在"纸面达标、实物翻车"这条线上:
G1 — 按 PK 限值设计 filter:真门是低 20 dB 的 AVG(定频窄带谐波 AVG≈PK,§1);按 PK 算 fc 会得到 28 kHz 而不是 9 kHz,系统性欠 20 dB——与 T1 总览 G1 同一陷阱的 filter 定量版。
G2 — LISN 用错标准:CISPR 25 是 5 μH‖50 Ω(车内短线束),CISPR 16 家电是 50 μH(楼宇电网)。用 50 μH AMN 测车载件,低频阻抗差一个量级,整批数据作废——租设备、建 pre-compliance 台架时最容易踩。
G3 — 信号线 CMC 错用到电源线:TDK ACT45B 这类 CAN choke 只有 51–100 μH / 150–200 mA / DCR ~1 Ω——流 2 A 压降 2 V、磁芯直接饱和,CM 抑制归零。电源线要 WE-CMB 类 mH 级/安培级绕线件;选型第一眼看额定电流,第二眼看 |Z|(f)。
G4 — CMC 只看铭牌感量:mH 级 CMC 的 SRF 典型数百 kHz,过 SRF 后 100 MHz 往往只剩几百 Ω;MW/SW 段真实衰减看 |Z|(f) 曲线,高频段用 NiZn bead 接棒,别堆感量。
G5 — MLCC 双重降容:DC 偏置 + 温度合计能吃掉标称一半(本页 60 μF 标称 → 33 μF 有效);fc 按标称算会虚低 35%,LW 裕量直接蒸发。设计一律按 vendor 偏置曲线(如 Murata SimSurfing)的有效值算,DV 前 LCR 实测偏置容量。
G6 — CY 接地引线电感:1 cm 走线 ≈ 10 nH,100 MHz 处 6.3 Ω,比 2.2 nF 自身容抗(0.7 Ω)大一个量级——CY 必须过孔直落机壳网络,否则 FM 段等于没装。
G7 — Setup 漂移当设计问题修:bond strap 长度、线束摆放、AN 端接,任何一个漂了都能虚高 5–12 dB;复测对比前先核 setup 照片(§6 表最后两行),再怀疑 filter。
8. 3 个 Corner Case
C1 — fsw 规划是第 0 步 EMC 手段:100 kHz buck 的 2/3 次谐波(0.2/0.3 MHz)正砸 LW、6–18 次砸 MW,filter 硬扛 54–59 dB;把 fsw 提到 2.1 MHz,基波落 MW–SW 空隙(1.8–5.9 MHz)、2 次 4.2 MHz 仍在空隙、3 次 6.3 MHz 恰好贴出 SW 上沿 6.2——而 fsw 取 2.0 MHz 时 3 次 6.0 MHz 正中 SW(5.9–6.2),这就是车规 buck 流行"2.1 MHz 而不是 2.0"的行业细节(选 1.9 MHz 则温漂/容差可能让基波跌回 MW)。代价:开关损耗 ∝ fsw,且 >26 MHz 高次谐波(如 13 次 27.3 MHz 落 CB)转由 layout 和高频 filter 管。基波躲进空隙 ≠ 免测:OEM 企标常补全频段包络(与 T1 总览 §2.1 同一条)。
C2 — 待机/轻载 burst 是独立工况:轻载 PFM/burst 模式把定频窄带谱变成"kHz 级重复率的宽带包络"——PK 读数高、AVG 读数低,有效门从 AVG 换成 PK/QP;且 burst 唤醒沿的低频能量正撞 LW。工况矩阵必须含待机/轻载(与 T1 总览 §9.1 同口径),只测额定工况的报告在 OEM 审核时会被打回。
C3 — CY 的发射-抗扰拔河:加大 CY 能压 CM 发射,但 BCI(ISO 11452-4)注入和 ISO 7637 瞬态的共模能量也经同一颗 CY 灌进本地地——发射整改把 CY 从 2.2 nF 加到 10 nF 后,抗扰回归 fail 是真实项目事故模式。CY 是双向端口,动它必须发射 + 抗扰两边回归(抗扰侧详见 EMC 抗扰度深度);这也是 12 V 侧 CY 工程窗口停在 1–10 nF 的真实原因(不是市电安规,§3.5)。
9. 与 hub 关系
本页是 辅助电源全栈 hub 的 EMC 横切关注点(hub §13.7,CE + RE 双联的 CE 半边),与 8 大主题正交:
- ① Cranking / ② Load Dump → 电压瞬态,EMC 测试要在这些瞬态下也过线;CX 耐压由 Load Dump 钳位电平定(§3.3)
- ⑤ POR Sequencing → SBC 上电瞬间冲击谐波丰富,LW/MW 易超
- ⑥ Sleep → 进入低功耗时 SMPS 转 burst,工况矩阵单列(§8 C2)
EMC → 辅助电源全栈 hub
EMC → 辅助电源全栈 hub
核心要点
- 限值按 service band 离散给阶梯,每段 PK/QP/AVG 各对各限值都要过(§4.1.3);Class 5 CE:LW 70/57/50、MW 54/41/34、FM 38/25/18 dBμV(与 T1 总览 §3 表一致)
- 定频 SMPS 窄带谐波 AVG≈PK → 真门是低 20 dB 的 AVG;按 PK 设计 filter 系统性欠 20 dB(fc 28 kHz vs 9 kHz)
- 100 kHz buck:2/3 次谐波砸 LW、6–18 次砸 MW,第一次进 lab 必挂 LW/MW;未滤波对 AVG 门超 30–49 dB
- DM 治 LW/MW(CX+Ldm),CM 治 SW–VHF/FM(CY+Lcm),必须分开抑;fail 先双 AN 和/差定模态
- π-filter 5 步真器件:fc 由 AVG 门反推 ~9 kHz → Ldm 10 μH(XAL7030-103,Irms 5.3 A ≈ 2.6× Iavg)→ CX 10 μF/50 V ×6(GCM32EC71H106KA03,偏置+温度 -45% 后 33 μF 有效)→ Lcm 2.2 mH(WE-CMB)→ CY 2.2 nF ×2(GCM155R71H222KA37),CM 转角 ~51 kHz
- 端到端:LW 需 54 dB 二阶理想恰好给到(LW 是 DM 裕量瓶颈);MW 需 59 dB 贴单级寄生封顶 55–60 dB,layout 决定最后 5 dB
- MLCC 双重降容 + DM 电感 DC 饱和会把 fc 抬回去——一律按有效值设计,不按标称
- 设计目标 ≥ 10 dB margin(lab 通过线 6 dB);bond strap ≤ 5 cm,否则 VHF 虚高 8–12 dB
- 信号线 CMC(ACT45B,51–100 μH/200 mA)≠ 电源线 CMC(WE-CMB,mH 级/安培级)——错用直接饱和
- fsw 规划是第 0 步 EMC 手段:2.1 MHz buck 基波/低次谐波全落频段空隙("2.1 不是 2.0"因为 3×2.0 正中 SW)
- CY 是发射-抗扰双向端口,动它两边回归;12 V 侧上限由抗扰定(1–10 nF),不是市电安规
- ASIL D 不直接要求 CISPR 25,但整车 EMC 不过 → SOP 推迟 → 安全 case 时间窗崩
缩写表
只列本页用到的工业标准缩写;通用英语…
只列本页用到的工业标准缩写;通用英语 / 单位 / 月份 / 我们的
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| 缩写 | 全称 | 中文 / 备注 |
|---|---|---|
| CISPR | Comité international spécial des perturbations radioélectriques | 国际无线电干扰特别委员会 |
| LISN / AN | Line Impedance Stabilization Network / Artificial Network | 线路阻抗稳定网络(CISPR 25 正文用 AN) |
| PK / QP / AVG | Peak / Quasi-Peak / Average | 三种检波:峰值 / 准峰值 / 平均值,各对各限值 |
| EMI | Electromagnetic Interference | 电磁干扰 |
| EMC | Electromagnetic Compatibility | 电磁兼容 |
| ECU | Electronic Control Unit | 电子控制单元 |
| ISO | International Organization for Standardization | 国际标准化组织 |
| OEM | Original Equipment Manufacturer | 整车厂 / 主机厂 |
| ASIL | Automotive Safety Integrity Level | ISO 26262 安全完整性等级 QM→A→B→C→D |
| SOP | Start of Production | 量产启动节点 |
| DM / CM | Differential-Mode / Common-Mode | 差模 / 共模 |
| DC | Direct Current | 直流(偏置/满载电流语境) |
| SRF | Self-Resonant Frequency | 自谐振频率(电感过 SRF 后呈容性) |
| CMC | Common Mode Choke | 共模电感 |
| SBC | System Basis Chip | 系统基础芯片(电源 + 收发器 + 监控集成) |
| BCI | Bulk Current Injection | 大电流注入(ISO 11452-4,组件级抗扰) |
| AEC-Q200 | Automotive Electronics Council Q200 | 被动元件车规认证 |
| X7R / X7S | EIA 电容温度特性代码 | −55~+125 °C,ΔC ±15% / ±22% |
| TDK | TDK Corporation | TDK(ACT45B 反例出处) |
Cross-references
- ← 索引
- CISPR 25 车载 EMI 发射 — 标准总览(T1):限值哲学 / 检波判定 / HV Annex H / 400 V 逆变器 worked
- Load Dump 深度 — 87V 瞬态下 ECU 同时要满足 CISPR 25;CX 耐压来源
- SBC Multi-rail Sequencing 深度 — 上电序列对 EMC 影响
- EMC filter 深度 — π-filter / CMC 设计通论
- 辅助电源全栈 hub — Chain 流路全图 + 8 主题
- 辅助电源概述 — 辅助电源基础
- CISPR 25 辐射发射(RE)深度 — EMC 双联另一半(ALSE,150 kHz–5925 MHz)
- EMC 抗扰度深度 — 抗扰是发射的正交另一半(ISO 11452/DPI/16750);BCI 同名不同向