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默认 / 功率电子 / 汽车电子 / 半导体
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📖 主题页（440）
- 12V 辅助电池监测深度 — SOC / SOH + Battery Monitor IC
- 2.5D 硅中介层 / CoWoS — AI 加速器封装的 reticle 命门
- 24V 商用车/重卡辅助电源差异深度 — 24V 谱 / 双电瓶 / 长线束
- 3-Level NPC / T-NPC 三电平逆变器 — 拓扑 · 中点平衡 · 损耗分布 · 栅驱短路保护
- 4-Switch Buck-Boost 四开关升降压变换器 — 专家级
- 48V Mild Hybrid PDN 深度 — 双电压架构 + LV148 标准
- 6 厂商车规 driver IC 选型横评 — TI / Infineon / ADI / Rohm / Onsemi / Toshiba
- 8D 问题解决方法（Eight Disciplines）
- Accellera FS Data Model — FMEDA 跨供应链数据互换
- Active Gate Driving 深度 — SiC 主驱降损耗下一代方案 + 4 类 + SCT3080AL Polynomial Worked Design
- ADC 与混合信号设计
- ADC 应用精度:误差预算栈 → ENOB(附分流器电机电流 worked budget)
- ADI ADBMS6830 BMS AFE 工程化 — 16 节 / 双 ADC 同步冗余 / isoSPI Ring / ASIL D 路径
- AEC-Q 车规认证
- AEC-Q101 车规分立半导体认证
- AEC-Q104 车规多芯片模块认证
- AEC-Q200:被动元件车规认证 — 应力测试矩阵 + 失效机理 + 端到端认证计划
- Always-On 轻载效率工程深度 — PFM/burst vs 纹波/EMC + 控制器 Iq
- APQP 先期产品质量策划
- ASIL D 扭矩安全设计（Torque Safety）
- ASIL 分解 — Part 9 §5 规则 + EV 主驱实例
- ASIL 分解(ASIL Decomposition)
- ASPICE Capability Level 评分实操
- ASPICE VDA Scope 16 PA 详解
- AURIX TC3xx — Infineon ASIL D MCU 案例(对照 MPC5744P)
- Automotive Auxiliary Power Supply DC-DC Converters
- Automotive SPICE（ASPICE）— 汽车软件流程评估
- AUTOSAR E2E + SecOC 通信安全（CAN E2E and SecOC）
- AUTOSAR Safety BSW 深度 — WdgM / SafetyOS / E2E / MPU 协同
- aux 电源 IC 选型 landscape + 国产二供深度 — 横评 / pin-to-pin / 差距分析
- Axial Flux Motor 轴向磁通电机
- Baliga《Fundamentals of Power Semiconductor Devices》导读 — 一条 Ron,sp 主线串起 PiN / 肖特基 / MOSFET / IGBT + Baliga FOM
- Balogh 栅极驱动经典理论 — One-stop 设计框架
- BJT / MOSFET 表面贴装封装穷尽手册（小信号 SOT 阶梯 → 中功率散热 tab → 功率表贴 Power SO-8 / PQFN / DirectFET / PowerPAK + 各厂命名对照）
- BMS 全栈 — 5 块功能 + 系统架构 + 量产决策树
- BMS 功能安全（Battery Management System Safety）
- Boost Converter 升压变换器 — RHP 零点 · 效率崩塌 · 专家级 worked design
- Bootstrap Circuit 自举供电 — 专家级 worked design
- BOSCH《汽车电气与电子》导读 — 一本系统级工程手册:从供电到网络到 EE 架构到 EMC 的整车视角
- Brake Chopper — 制动斩波器设计与 EV 直流母线过压保护
- Buck Converter 降压变换器 — 分析母体 + 专家级 worked design
- Buck-Boost / Ćuk / SEPIC / Zeta — 电路操纵与两电感变换器族 + 专家级 worked design
- Bulk Cap 选型深度 — Polymer / Aluminum / MLCC 5 维对比
- BV (Build Verification) 试制验证
- CAN / CAN FD / LIN 总线（Automotive Bus Protocols）
- Castellazzi & Irace《SiC Power Module Design》导读 — 一条"封装兑现 SiC 潜力"的设计链:寄生电感 / 并联均流 / 3 μs 短路 / 寿命
- CCM / DCM / BCM 工作模式分析 — 从电感电流是否归零到载重设计
- Cell Balancing 电池均衡
- CISPR 25 Class 5 传导发射 — 限值阶梯 × π-filter 设计
- CISPR 25 车载 EMI 发射
- CMTI 深度 — 共模瞬变物理 + 测试 + 量产 fail 调查 + Worked Design
- Compensator Design 补偿器设计 (Type-2 / Type-3 / K-factor)
- Confirmation Measures (CM) — I0-I3 + DIA + FSAR
- Confirmation Measures 安全评审 / 审计 / 评估
- Cranking Robustness 深度 — Vbat 6V dip ECU 不许 reset
- CSR 客户特殊要求
- DAB 双有源全桥 — 双向能量路由的标准方案 + 专家级 worked design
- DAB 软开关边界 — Phase Shift / ZVS 区域 / EPS / TPS
- DC Link 电容选型深度 — 薄膜 vs 电解 / 纹波 / ESR / 寿命
- DC-Link 直流母线电容设计
- DC/DC 拓扑对比 — 选型决策框架
- Dead-time Tuning 深度 — 桥臂 DT 选取 + SiC vs IGBT 取值
- DESAT Protection — 栅极驱动器集成的去饱和检测
- DESAT 保护设计深度 — 短路类型 I/II + blanking + C_blank/VDSAT 选型 + SiC SCSOA 余量
- DFA / FMEDA / FTA — 功能安全三种核心分析方法
- DIA 写作工程化深度 — 8 章模板 + RACI + SEooC AoU + Confirmation 共担
- Diagnostic Coverage(DC)类别 — None / Low / Medium / High
- Driver IC FMEDA worked example — 6-pack SiC 主驱 SPFM/LFM/PMHF + 7×6 DFI 矩阵
- Driver IC Safety Manual — 怎么找 / 怎么看 / 5 个 quick check
- Driver IC 选型决策 深度 — 5 维 FOM + 决策树 + 3 场景 worked
- Driver Propagation Delay Matching 深度 — channel skew 影响 dead-time
- Driver Protection 全栈 — 8 大主题 + 设计链路
- Driver Short Pulse Propagation 深度 — narrow PWM 通过 driver 失真
- Driver Soft Turn-Off 设计 — TLTO 时序数学 + 关断过电压余量
- Driver Supply Ripple/Noise 深度 — Isolated +15V/-3V 预算
- Driver UVLO 深度 — 双轨阈值 + 上下电时序 + 主流 IC 参数
- Driver Vee 负偏深度 — SiC / IGBT / GaN 取值 + 物理意义
- Driver 隔离技术深度对比 — Cap / Magnetic / Opto
- DTC vs FOC — 控制结构 / 转矩响应 / 量产现状
- DV 与 PV（Design / Production Validation）
- e-GAS 三层监控架构 — Powertrain / EV 的 ASIL-D 骨架
- Electro-Thermal Simulation — SPICE 联合仿真 Tj 演化
- EMC 与绝缘配合
- EMI Filter 深度 — DM / CM 分滤 + CISPR 25 限值
- EMI 滤波器设计 — CM / DM 滤波 + π-CLC 拓扑
- Engineering Copilot — wiki 之上的对象 / 关系层
- Erickson《Fundamentals of Power Electronics》3rd Ed 导读 — 一条主线串起拓扑 / CCM-DCM / 平均建模 / 磁性 / 补偿
- ESD 防护系统级 — HBM / CDM / IEC 61000-4-2 与防护策略
- ESD/EMC PCB 设计指南 — 从波形频谱到 layout 落地
- EV ECU FMEDA 总集成深度 — 三链合并 + B(D)+B(D) + Safety Case GSN worked
- EV 上下电系统级 FSM 深度 — 三方协同 + 6 状态 + handoff 安全契约 + worked
- EV 主驱 ASIL D 项目总线 — 18-24 个月交付物流转 + V-cycle 全站 worked 导览
- EV 主驱(800V SiC)全栈设计决策树 — 从器件到系统的整合
- EV 功能安全开发 — 流程串联与三大安全域协同
- EV 法规区域差异 — 出口 checklist 与常见误区
- EV 组件技术 / 产品路线图 Hub — gate driver / SBC / MCU / sensing / power devices
- Fail-Operational Architecture — L3 量产实战 + 6 相双绕组 + DREHB
- Fail-Operational 架构 — 单故障下不中断的系统设计
- Fail-Operational 线控供电 — 双源冗余 12V / 备份 DC-DC / BPU / ORing 按 ASIL D
- Fault Injection Test (FIT) — 5 类故障 + SPFM/LFM 实测证据
- Fault Injection Testing — 安全机制有效性的唯一硬证据
- Fault Injection 实战案例 — 8 类典型 SM 的 Campaign 设计
- Fault Tree Analysis (FTA) 深度 — top-down 安全分析
- FIT / FMEDA 工程化计算 — 从元件数据到 SPFM/LFM/PMHF
- Flyback Converter 反激变换器 — 隔离版 Buck-Boost 的物理与专家级设计
- Flying Capacitor Multi-Level Buck (FCML)
- FMEA 方法论（DFMEA / PFMEA / FMEDA）
- FMEA（失效模式与影响分析）实用指南
- FMEDA 深度 — SPFM / LFM / PMHF 数学 + DC + Coffin-Manson
- FOC 磁场定向控制 — 三环架构、Clarke/Park 推导、MTPA 凸极最优角、弱磁扩速、PI 极点消零整定
- Forward + Half-bridge AUX 拓扑深度 — 30 W–1 kW 隔离段的复位 / 对称磁化 / 选型
- Forward Converter 正激变换器家族 — buck 的隔离化身 + 磁通复位这条命门
- FPGA 与数字设计
- FPGA 设计流程 — HDL 综合到位流
- Freedom from Interference(FFI)— 共存元素互不污染的工程实现
- FSAR 深度 — Functional Safety Assessment Report + I3 评审
- FSM — Functional Safety Management 实务
- FSR / TSR 写作工程化深度 — 8/10 字段模板 + 双向 traceability + 5 反模式
- FTTI 时间预算分解 — 从故障发生到 safe state 的微秒级账本(FDTI + FRTI ≤ FTTI worked example)
- GaN HEMT 栅驱动专题 — 为什么 GaN 不能照搬 SiC/Si 的栅驱动
- GaN Power Stage 功率级设计 — 物理本质 + 专家级 worked design
- GaN 动态导通电阻深度 — 电荷捕获机理、量化 derate、cascode vs e-mode
- GaN 器件（Gallium Nitride Power Devices）
- Gate Drive Power Supply — 栅极驱动隔离电源设计全栈
- Gate Driver IC 选型决策表 - 2026 EV 主驱 Roadmap 与关键参数对比
- H-Bridge 电机驱动器热设计:功耗分解 / RθJA 迭代 / 电流折返
- Hairpin Winding 发卡绕组
- HALT / HASS 高加速寿命试验与筛选
- HARA Worked Example 深度 — 400 V/100 kW 主驱逆变器三条 Hazard 全流程
- HARA — Hazard Analysis & Risk Assessment
- HARA 报告写作工程化深度 — 文档结构 + S/E/C 评级 rationale + ASIL→SG 链 + I3 评审
- Horowitz & Hill《The Art of Electronics》导读 — "工程直觉优先"如何把电子学从公式推导重排成可上手的设计手艺
- HSI Document 写作工程化深度 — 12 章模板 + timing/shared-resource 双向追溯 + 5 反模式
- HSI — Hardware-Software Interface 文档
- HV Active Discharge — ECE R100 5 秒安全 + 端到端 Worked Design
- HV Busbar 设计深度 — 寄生 L / 共模 / EMC / 机械应力
- HV Pre-charge — 高压预充电路端到端设计与安全分析
- HV 主驱逆变器 ISO 26262 安全概念:从 SG 到 TSC 到 FMEDA
- HV 电压采样的功能安全诊断（Voltage Sensing Diagnostics）
- HV→12V Flyback 深度 — 变压器 / Snubber / 同步整流 / PSR
- HV→LV 隔离 aux 冷启动 / 自供电时序深度 — 启动 cell / 绕组接管 / hiccup
- HW 安全需求(HSR)写作工程化深度 — 从 TSR 派生 + 可验证性 + 接 FMEDA/test + I3 评审
- Hypervisor / 混合关键度整合深度 — 共核 FFI / 多核干扰 / hypervisor 资质
- IATF 16949 汽车质量管理体系
- IC 封装穷尽手册 — SOIC / TSSOP / MSOP / QFP / QFN / DFN / BGA / LGA / WLCSP 完整尺寸 + pitch + 各厂封装码
- IEC 60664-1 Edition 3.0:绝缘配合的完整方法论
- IEC 61508 概览:SIL 等级、失效分类、安全生命周期
- IEC 61800-5-2 — PDS-SR 工业 motor drive 8 个安全功能
- IGBT 技术
- IGBT 模块 datasheet — 应用层(短路 / 热 / FWD / NTC / 选型)
- IGBT 模块 datasheet 关键参数详解
- IGBT 结构演进 — PT / NPT / FS / Trench
- IMD 绝缘监测设备
- Inductor Design 电感设计
- Infineon 1EDI302x EiceDRIVER:lean 硬连线路线 vs 可编程旗舰
- Infineon AURIX TC3xx 功能安全工程化 — TriCore 1.6P / 3-Lockstep / SMU+FCCU / OPTIREG 配对 / ASIL D 整链
- Infineon OPTIREG TLE9243QK 安全 PMIC 工程化 — AS-PMIC / WWD+FWD / Active RPP / HS-Driver / AURIX ASIL D 路径
- Inverter ASIL D 端到端实现案例（Torque Safety + No Thermal Incident）
- IPMSM 电机热管理 Deep — 全源推导 + 端到端 Worked Design
- ISO 11452 车载抗扰度测试
- ISO 15118 V2G + Plug & Charge
- ISO 16750 环境条件测试 — 模块级生存测试 + 载荷突降入口 worked design
- ISO 21448 SOTIF — 预期功能安全
- ISO 21448 SOTIF — 预期功能安全深度
- ISO 26262 V-cycle 全栈 — Part 2-9 work product hub
- ISO 26262 硬件要素分类 — 从层级/安全相关判定到 SPFM/LFM/PMHF 预算
- ISO 26262-1(2018)词汇体系:fault → error → failure 因果链与 FTTI 时间预算
- ISO 26262-10(2018)应用指南:与 IEC 61508 关系 / SEooC 用例 / PMHF 解释
- ISO 26262-11(2018)半导体细化：IC 供应商工作产品交付指南
- ISO 26262-2(2018)管理层细化:Safety Lifecycle / 安全文化 / 确认措施
- ISO 26262-3(2018)概念阶段:Item Definition → HARA → FSC 端到端
- ISO 26262-4(2018)系统层细化:TSC / HSI / 集成 / Safety Validation
- ISO 26262-5(2018)硬件层细化:故障分类、SPFM/LFM/PMHF 推导
- ISO 26262-6(2018)软件层细化:HSI / 架构 / 单元 / 集成 / 测试
- ISO 26262-7(2018)量产层:Production / Operation / Service / Decommissioning
- ISO 26262-8 §13 硬件要素评估:无 ISO 26262 证据的器件,怎么 qualify 进安全系统
- ISO 26262-8(2018)支持过程：Tool Qualification / TCL / 配置 / 变更管理
- ISO 26262-9(2018)ASIL 分析细化:分解规则 / 共存 / DFA / 安全分析
- ISO 7637-2 传导瞬态干扰 — 脉冲全谱参数 + 专家级入口保护 worked design
- ISO/PAS 8800 AI 安全深度 — 三标准分工 / 数据+模型双生命周期 / AI 安全案例
- ISO/SAE 21434 — 汽车网络安全工程
- ISO/SAE 21434 — 汽车网络安全深度
- Isolated Push-Pull — SiC 栅极电源主流拓扑
- L6390 半桥栅驱 — Features & Applications
- LDO 器件级工作原理:pass element / dropout / PSRR / 噪声 / 热
- LFDT 深度 — Latent Fault Detection Time + MPF 演化
- LFPAK MOSFET 热设计 — 4 个封装 + PCB layout 全栈
- LLC 谐振变换器 — 半桥 LLC 设计要素
- Load Dump 深度 — ISO 7637-2 Pulse 5b 87V/400ms
- Lockstep Core 深度 — dual-CPU + comparator (ASIL D 必备)
- MC33907/08 安全 SBC 硬件设计指南
- MCU + SBC 配对实现 ASIL D:S32K344 + FS26(与经典 MPC5744P + MC33907)集成案例
- Miller Clamp 深度 — Passive vs Active 选型
- MISRA-C 2012 深度 — 159 guidelines (143 Rules + 16 Directives) + ASIL D 强制 + Deviation 流程
- MOSFET Gate Charge 与开关时间 — 用 datasheet 三参数算
- MOSFET SOA — 工程实战与图解法
- MOSFET VGS-th / VGS-max 选型方法论 — 栅极氧化层可靠性
- MOSFET 安全工作区(SOA)与线性模式
- MOSFET 寿命预测 SPICE 集成 — averaged 电热 + aging + lifetime 闭环
- MOSFET 技术
- MOSFET 损耗五分量分解 — 导通 / 开关 / Coss / Qrr / 驱动
- MOSFET 数据手册解读(How to Read a Power MOSFET Datasheet)
- MOSFET 栅极电阻选型 — Rg Impact on Applications
- MOSFET 雪崩耐量(Avalanche Ruggedness)
- MPC5744P + MC33907/08 集成 — ASIL D 完整 case study
- MSA 测量系统分析
- MTPA / 弱磁数学深度 — 电压椭圆 + 电流圆 + MTPA 曲线
- Multi-phase Interleaved Buck 多相交错 Buck — 专家级
- NXP FS23 车身安全 SBC:三件套低端锚点 + scalability + token watchdog
- NXP FS65 安全 SBC 架构工程化 — Fail-Silent / Q&A WD / 5 SMPS / ASIL D 路径
- NXP FS85/FS84 安全 SBC:相对 FS65 的代差 + fail-safe 状态机 + 集成大坑
- NXP GD3160 高级 SiC/IGBT 隔离栅驱:三段式关断整形 + 在线 ADC 遥测 + 全 SPI 可编程
- OTS (Off-Tool Samples) 工装样件
- Overcurrent Protection — Multi-Tier OCP Architecture for Automotive SiC Inverters
- PCMC Buck 控制环路设计:电流环 / 电压环 / 斜率补偿
- PEU 全流程交付物清单
- PEU 开发流程与测试矩阵（Power Electronics Unit）
- PEU 法规体系
- PFC 功率因数校正 — 拓扑代际、控制策略与 EV 主流方案
- Phase-Leg 桥臂串扰主动抑制深度 — 正/负串扰建模 + LCS 耦合 + 抑制方案谱系
- PI 控制环路设计方法论 — 带宽 / 裕度 / 极点配置
- PMHF 定量建模深度 — 闭式 / Markov / FTA 三法 + 双点时间窗
- POR Sequencing 深度 — 多 rail 上电 + Brown-out 检测
- Power Module 热设计 — Tj 链 / 双面散热 / Silver Sintering / 热网络
- Power Stage 功率级全栈 — 25 篇 deep 导航 + 学习路径
- PPAP 与汽车零部件开发阶段
- PSFB 移相全桥 — ZVS 实现、控制时序与工程陷阱
- PWM Spread Spectrum 深度 — 三角 / PRBS / EMI dB 收益
- Rail 噪声→精度预算闭环深度 — 反向预算 / 三耦合路径 / PSRR 级联
- Resolver / Encoder / Sensorless — 位置传感 3 选 1
- Resolver / RDC — EV 主驱位置传感的工业标准
- Resolver 解算深度 — 信号链 / 解算 IC / 校准 / PCB
- Reverse Polarity 保护深度 — Schottky / P-MOS / N-MOS Smart Switch
- ROHM 第 4 代 SiC MOSFET 特性与电路设计要点
- SafeState Manager + 二级保护 — 软件 + 独立硬件双 (B(D)+B(D)) 实现 ASIL D
- Safety Assessment / Audit / Confirmation — 三层独立检查
- Safety Case GSN tree 写作工程化深度 — 7 步 SOP + 5 defeater 修法 + Confidence Argument
- Safety Case — 安全案例 / 安全论证
- Safety Manager / Anchor / Engineer 深度 — ISO 26262 语境产业惯例三角色 + RACI
- Safety Manual 写作模板 — IC Supplier 给客户的合规交付物
- Safety Manual 写作模板深度 — SEooC 供应商视角 + 12 章 + AoU/IR 接口契约
- Safety Plan 写作工程化深度 — 10 章模板 + Milestone + RACI + Confirmation Strategy
- Safety Validation — 整车级安全确认
- Safety Validation 计划写作工程化深度 — 从 SG 派生验证项 + pass 准则可判定性 + 接 Safety Case + I3
- SAR ADC 前端运放驱动设计
- SBC / 伴随 IC（System Basis Chip）
- SBC Watchdog 深度 — Simple / Window / Q&A + MCU 协同
- SBC 多 rail 上电时序 — 数学 + Latch-up 防护
- SEooC — Safety Element out of Context
- SEooC — Safety Element out of Context 工程实战深度
- Short Circuit Protection — 3 类短路 + 完整保护链
- Si / Si IGBT / SiC MOSFET / GaN 选型决策树
- Si / SiC / GaN 功率器件横向对比
- SiC MOSFET 体二极管双极退化（Bipolar Degradation）— Vf/Ron 单调漂移与堆垛层错扩展
- SiC MOSFET 商用品如何兑现材料红利 — 工艺与产品代际
- SiC MOSFET 并联设计 — 三区物理 + 专家级 worked design
- SiC MOSFET 开关暂态定量建模:寄生等效电路 / 过冲解析式 / 振荡频率分裂
- SiC MOSFET 栅压振荡抑制 — Rg vs Cgs 实测对比
- SiC MOSFET 物理紧凑模型 — 为什么 Si SPICE 不够用
- SiC MOSFET 短路能力与失效模式 — SCWT 2～4 μs 是性能取舍，fail-to-open 是 SiC 专属
- SiC MOSFET 驱动回路参数对开关瞬态的影响
- SiC MOSFET 驱动高级功能 — AMC / DESAT / Two-level Turn-off / 同步整流
- SiC vs GaN — 物理参数 / 应用 / 量产 trade-off
- SiC 功率模块 datasheet 速读
- SiC 器件（Silicon Carbide Devices）
- SiC 并联设计 + 短路保护时序预算工程化 — 1Ω source / Symmetric Layout / 250-500ns SC detection
- SiC 离散 MOSFET PCB layout 工程化 — Device / Sub-circuit / System 三级
- SiC 驱动专项 — CMTI / 负压 / Vth 漂 / 强电流
- Silent Data Corruption (SDC) — 静默误算如何击穿 ISO 26262 的 DC/LFM 假设
- SMT 三明治工艺详解
- SMT 表面贴装封装速查参考（按器件类型 + 按封装族两条查找轴 / 跨厂命名对照）
- SN 29500 — Siemens 元件失效率预测标准
- Snubber Circuits 缓冲电路 — 寄生储能的去处
- SOA SPICE Wrapper — 在仿真中捕获 hot-cell 热不稳定
- SOC EKF 深度 — 状态方程 / OCV 模型 / 调参 / 收敛性
- SOC Estimation 电池 SOC 估算
- SPC 控制图详解（Statistical Process Control）
- SPICE MOSFET 模型层次 — Level 1/2/3 vs BSIM vs EKV vs PSP
- Spread Spectrum 频谱抖动 EMI 抑制 — 从 FM 边带到车规 worked design
- ST L9369 电子驻车制动(EPB)驱动 IC:冗余 + 电流推断夹紧力
- ST L9788 发动机管理伴随 IC:执行器驱动 + VRS + MSC + 硬件 fail-safe
- ST L9952GXP 车身电源管理 IC:双稳压器 + 两级 standby + contact sense
- ST L9963T isoSPI 通信桥:BMS 菊花链 ↔ host MCU 的隔离通信层
- ST SPC5 FCCU 与安全手册:MCU 功能安全的收集-反应-潜伏三层
- ST STGAP4S 高级隔离 gate driver — 集成 ADC + Flyback + ASIL D 三件套
- STL / BIST — 运行时自测体系(LBIST / MBIST / ABIST / STL)
- STPA — 系统理论危害分析(HARA 的互补方法)
- STPA 深度 — STAMP/CAST 三件套 + UCA 14 类 + ISO 26262 整合
- SVPWM 深度 — 数学 / 7 段 / DPWM / 死区
- SW 安全需求(SSR)写作工程化深度 — 从 TSR 派生 + 可验证性(unit test/MC-DC) + FFI + I3 评审
- Synchronous Rectification 同步整流 — Vds-sense 控制 + 端到端 worked design
- TI BQ40Z80 单芯片电池包管理器 — Impedance Track 电量计 / 集成保护 / SHA-1 认证(2S–6S 小型包)
- TI BQ79616-Q1 BMS AFE 工程化 — 16 节监测 / 平衡 / Daisy-chain / ASIL D 路径
- TI Hercules TMS570 / RM48 安全 MCU 工程化 — Cortex-R5F lock-step / CCM-R5 / ESM / SafeTI / ASIL D 路径
- TI LM5180-Q1 65V wide-Vin PSR flyback 深度 — 原理 / 家族 / 设计 / 量产坑
- TI UCC5870-Q1 30A SiC/IGBT 隔离 gate driver — TI 内部高端旗舰拆解
- Tool Qualification — TI / TD / TCL → 资格方法 1a-1d 推导 + 主流工具评估
- Tool Qualification 工具鉴定
- Transformer Design 变压器设计 — Kgfe 法 + 多绕组 worked design
- TSC 技术安全概念 + DIA 开发接口协议
- TSV 硅通孔 + 3D 垂直堆叠 — HBM 存储塔的物理与热命门
- TVS 应用设计:从浪涌波形反推选型 + 保护窗口 + 分级防护
- VCU 整车控制器全栈 — ECU 协同 + 通讯 + 安全 + 量产决策
- VDA 6.3 过程审核
- Vge Ringing 深度 — turn-on/off 振铃 + Vgs_max 击穿
- Vienna Rectifier 三相三电平 PFC — 专家级 worked design
- VW 80000 大众集团电气测试标准 — E-test 验收矩阵 + 专家级 worked design
- Wireless Power Transfer 无线电能传输
- 《AIAG-VDA FMEA Handbook》(2019)导读 —— 七步法 + AP 取代 RPN + FMEA-MSR 对接 FTTI
- 《开关电源设计》(Pressman 第3版)导读 — 拓扑选型脉络 + 4 类隔离拓扑磁复位 + 磁芯设计法
- 《汽车电子硬件设计》(朱玉龙)导读 — 车规硬件的环境硬约束 + 可靠性方法链 + 四块电路落地
- 《运算放大器权威指南》(Op Amps for Everyone)导读 — 一套误差源体系把"选运放 + 定结构"变成误差预算问题
- 三相 PFC 深度 — 6-Switch / Vienna / T-NPC + dq 解耦
- 三相电流采样的功能安全诊断（Current Sensing Diagnostics）
- 三相系统与 Clarke/Park 变换 — 把 AC 控制变成 DC 控制
- 三相逆变器调制策略 — SPWM / SVPWM / DPWM 与死区补偿
- 两类失效 — 随机 vs 系统性
- 主动钳位反激(ACF)深度 — 漏感能量回收 + ZVS,RCD 的软开关进阶
- 主驱工程师 7 层学习路径 — wiki 130+ 页全索引
- 二极管 SMT 封装大全:SOD / DO-214(SMA/SMB/SMC)/ PowerDI / SOT 阵列 / TVS-ESD / 桥堆全系尺寸与命名对照
- 二极管导通损耗 — VT0 / RD 两点法 + 4 种波形 + 温度依赖
- 位置传感器（Position Sensing）
- 位置传感的功能安全诊断（Position Sensing Diagnostics）
- 低压辅助电源深度 — HV 取电 / 12V 母线 / SBC / 隔离栅极电源
- 保护器件（TVS / ESD / 过压保护）
- 充电桩全栈 — Grid → DC 快充 (350kW)
- 先进封装 hub — SiC 功率模块封装技术栈(die-attach / 基板 / 互连 / 冷却)
- 先进热管理（算力侧 kW 散热）— 热阻链、TIM 命门、微流道前沿
- 共因失效 (CCF) — DFA 量化 + lockstep 三重缓解 + 反模式
- 冗余架构与投票表决 — 1oo2 / 2oo3 / lockstep
- 冷却系统设计 — 液冷 / 油冷 / TIM / 微通道
- 刘恩科《半导体物理学》(第7版)导读 —— 从能带到 pn 结 / MS 接触 / MOS 的一条物理链:所有功率器件的地基
- 功率 PCB 设计 — 布局即电路 + 专家级 worked design
- 功率模块 Die-Attach — 银烧结(Ag Sinter)vs 扩散焊(TLPS)vs 焊料:SiC 200℃ 时代的芯片连接命门
- 功率模块互连 — 铝线键合的极限与平面互连(Cu clip / Infineon .XT / Semikron SKiN / Danfoss DBB)
- 功率模块全栈 — 拓扑 / 工艺 / 散热 / 寿命 / 主流供应商
- 功率模块双面冷却 (DSC) — spacer 夹心 / Rth 减半 / 主驱量产结构
- 功率模块封装（Power Module Packaging）
- 功率模块陶瓷基板 — DBC vs AMB(Si3N4)vs IMS:为什么 SiC 主驱集体转向氮化硅
- 功率电子学（Power Electronics）
- 功率电子行业趋势（2026 起 10 年视角）
- 功能安全 × 信息安全协同工程 — ISO 26262 与 ISO/SAE 21434 的 co-engineering
- 功能安全工具链 — Polarion / IQ-FMEDA / Vector / dSPACE 对比
- 功能安全工程师指南 — V-cycle + 8 大深度主题
- 功能安全概念(FSC)— ISO 26262-3 §7:SG → FSR → 初步架构分配
- 功能安全现场数据反馈闭环深度 — 量化再评估 / OTA 交付 / 召回触发
- 功能安全芯片选型 — 从整车 ASIL 目标反推器件安全指标
- 功能安全（Functional Safety）
- 半导体器件物理
- 半导体封装工艺（Semiconductor Packaging）
- 半桥双脉冲测试 (DPT) — 动态损耗 / 过冲 / EMC 风险的换流表征方法论
- 变换器 AC 小信号建模 — 从开关到传递函数与环路对象
- 变换器级损耗预算与效率 — 等效电路法 + 端到端损耗核算
- 场景化验证工程深度 — 三层场景 / ASAM 栈 / corner-case / sim-to-road
- 基础元件工程选型专题（电阻 / 电容 / 二极管 / 三极管 / 信号 MOS / 隔离）
- 多通道驱动 IC 热设计 — cross-coupling 与 MOR 模型
- 失效模式综合速查表（FMEA Quick Reference）
- 安全机制目录(Safety Mechanism Catalog)
- 封装翘曲与热机械可靠性 — CTE 失配、Stoney/Timoshenko、寿命建模
- 工业 vs 汽车功能安全:标准对照、STO 实现、架构差异
- 工作书架 — 技术书籍导读索引
- 并联多 die/多模块的驱动侧设计深度 — 驱动架构 / 主动均流 / 故障协调
- 开关电源全景主线 — 从第一性原理设计一台变换器:Erickson 因果层级 11 站
- 开关电源验证与典型波形诊断 — 心电图判读 + 环路/开关损耗实测
- 扇出封装 Fan-Out（InFO / FOWLP / PLP）— die-shift 命门与 RDL 中介层谱系
- 控制计划 (Control Plan, CP)
- 控制采样 hub — 逆变/电机控制的"感知-决策"信号链(传感→调理→ADC→算法→调制)
- 整车 E/E 架构（Electrical/Electronic Architecture）
- 栅极驱动保护链 — DESAT + Miller + Soft Turn-Off + STO + ASC
- 栅极驱动入门 — 从 MOSFET 到 Gate Driver IC 的最短路径
- 栅极驱动基础(SEMIKRON 整合版)— Topology / 时序 / Sizing / Layout
- 栅极驱动电流定量设计 — / / 平台峰流 / 最小脉宽
- 栅极驱动的功能安全诊断（Gate Driver Safety）
- 栅极驱动（Gate Driver）
- 比较器与信号调理（Comparator & Signal Conditioning）
- 汽车 SiC 三电平 + 嵌入式功率模块 — 800V 主驱的协同前沿
- 汽车微控制器（Automotive MCU）
- 汽车电子全景主线 — 一根线贯穿:能量主干 + 5 横向轨
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- 汽车电源输入瞬态防护深度 — ISO 7637-2 / ISO 16750-2 脉冲全谱 + TVS 选型方法学
- 汽车网络（CAN-FD / CAN-XL / Automotive Ethernet / TSN / SOME-IP）
- 混合键合(Hybrid Bonding)— 无凸点 Cu-Cu 直接键合的物理与工艺
- 温度传感器选型与测量电路（NTC 热敏电阻）
- 温度采样的功能安全诊断（Temperature Sensing Diagnostics）
- 热安全（Thermal Safety）
- 热插拔 + ORing 理想二极管控制器深度 — 双电源冗余 / 反电池阻断 / STPM801 架构 + 外围选型
- 热管理（Thermal Management）
- 特殊特性（Special Characteristics）— 从安全目标到受控尺寸的 flow-down
- 状态观测器与无传感器 FOC — Luenberger / SMO / Kalman / HFI
- 电动汽车标准详解（EV Regulations & Standards）
- 电容 SMT 封装大全:MLCC / 钽 / 铝电解 / 聚合物 / 薄膜全系尺寸与命名对照
- 电感与磁性元件 SMT 封装大全:chip / 一体成型 / 屏蔽绕线 / 共模扼流 / 磁珠全系尺寸与命名对照
- 电机控制（Motor Control）
- 电气间隙与爬电距离:两个距离的定尺与实现
- 电流传感器（Current Sensing）
- 电源设计（Power Supply & LDO/Charge Pump）
- 电荷泵 (Switched-Capacitor Converter)
- 电路仿真工具（Circuit Simulation）
- 电阻 SMT 封装大全:chip / MELF / 电阻排 / 功率 / 金属板采样全系尺寸与命名
- 直接转矩控制(DTC)— 与 FOC 的本质差异
- 瞬态热阻抗 Zth(t) — 脉冲功率热设计
- 磁芯（Magnetic Core）
- 第三象限/续流期驱动时序深度 — 体二极管 vs 沟道 + 死区交互
- 续流二极管反向恢复电压尖峰
- 英飞凌 2000V CoolSiC™ MOSFET 模块（F4-6MR20W3M1H-B11）
- 车载 OBC 全栈 — 双向 11kW + V2G + ISO 15118
- 车载充电机（OBC）与高压 DC/DC — 系统 + 隔离级 worked design
- 车载诊断 OBD（CCR 1968.2 / WWH-OBD / OBDonUDS / AUTOSAR Dem-Dcm-FiM）
- 软件功能安全 ASIL D（Software Functional Safety）
- 软开关基础 — ZVS / ZCS / 缓冲电路与硬开关边界
- 辅助电源 CISPR 25 辐射发射(RE)深度 — 30 MHz–2.5 GHz + 6 大辐射源 + 50 kW worked
- 辅助电源 DVP&R / 台架表征 worked example — 矩阵 + 序贯依赖
- 辅助电源 EMC 抗扰度深度 — ISO 11452 / DPI / ISO 16750 + 性能等级
- 辅助电源 FMEDA + DFA 深度 — AUX 链 SPFM/LFM 量化 + 7 类 DFI 实战
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- 辅助电源 POL DC-DC 选型决策深度 — 板内 rail 网络 7 拓扑 + EV PEU 10 路 worked example
- 辅助电源 rail 级输出保护深度 — OVP/OCP/UVP + hiccup/latch/foldback + SCP
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- 陶瓷电容(MLCC):为什么标称容量在工况下大幅缩水,以及如何选不踩坑
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- 隔离式正激变换器反馈回路 — 跨隔离环路稳定性与补偿设计
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- 驱动保护链台架/产线验证深度 — bring-up / 故障注入 / EOL
- 驱动级功耗与热设计预算深度 — Pgate 分解 / 自发热 / buffer 定型
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- 高压安全（HV Safety）
📎 公众号/网页剪藏（8）
📅 每日 daily（73）
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- THK-A6 — Metacognition:四操作的调度器,以及「我在哪一步 / 该换了吗 / 信不信当前Evaluation」三个随时自问
- THK-A5 — Evaluation(下):为什么可靠的Evaluation输出概率而非 yes/no,以及反馈是直觉变可信的唯一路径
- THK-A4 — Evaluation(上):为什么系统 1 的误Evaluation是「系统性」的,以及六类偏误的反问反制
- THK-A3 — Generation:为什么「造可能」必须和「批判」刻意分离
- THK-A2 — Representation:换看法 = 换解空间,为什么重构Representation是人类最高级的思维动作
- THK-A1 — 思维 = 可能性空间搜索:为什么「六维技巧」是现象,四操作才是真结构
- FS-B5 — CCF 与 β 因子:为什么共因失效在数学上是"一阶项"、冗余系统的地板是 ,以及独立性为何最难证
- FS-B4 — ASIL 分解 D=B(D)+B(D):为什么两个 B 能"加"成一个 D,以及独立性为何是整支证据的命门
- FS-B3 — FTA 与最小割集:为什么一列 FIT 数学上装不下"组合结构",以及 top-down 逻辑证据如何与 FMEDA 概率证据互补
- FS-B2 — 诊断覆盖率 DC 怎么 claim:为什么 Annex D 表值只是提案、强证据要靠故障注入,以及每多一个 9 的代价
- FS-B1 — FMEDA 数学全推导:SPFM / LFM / PMHF 为什么是同一张分账表的三个比值,以及 ASIL D 阈值从哪来
- FS-A5 — 需求细化的「覆盖且不超出」:SG→FSR→TSR→HSI 每级的数学约束,以及 traceability 为何必须双向
- FS-A4 — 安全机制分类学:检测 / 反应 / 容错三类为何如此切分,以及它们的适用边界
- FS-A3 — FTTI 时间预算:为什么容错时间是一切安全机制的根约束,以及它如何一路拆到采样率
- FS-A2 — 风险的量化逻辑:S×E×C 为何如此切分,ASIL 的概率语义,QM 的边界
- FS-A1 — 功能安全的分解-聚合双向链:为什么 V-cycle 是一条断不得的逻辑链
- ENG-B1 — 动-名搭配:为什么
conduct research读着 band-9、do research卡在 band-6 - ENG-A4 — 受控前置 / 倒装 / 强调句:band-9 怎么用"语序"分配主题与焦点
- ENG-A3 — 嵌入式关系从句与同位语:不另起一句地补信息,限定 vs 非限定的取舍
- ENG-A2 — 名词化(nominalization)与学术 register:把动作变成「东西」,客观与紧凑从哪来
- ENG-A1 — 分词短语:把从句压成 V-ing / V-ed,为什么这是 band-9 单招最大的句法升级
- DRV-B3 — 软关断:从关断过电压与短路能量的两头夹,推出两级关断的时序与 Rg 取值
- DRV-B2 — 短路保护 DESAT:从 SCSOA 的能量-时间极限,推出退饱和检测的原理、时间预算与盲区
- DRV-B1 — 开关损耗量化:把单管 接成一相桥臂的完整损耗账本,补齐死区与换流两项
- DRV-A4 — 寄生参数四害:回路电感、共源电感、栅极电感与 如何把开关速度分别变成过压、损耗、栅压振铃与桥臂串扰
- DRV-A3 — 驱动电压窗口:正驱 +15V / 负驱 -3V 为何是被物理夹出来的两条边界,以及 SiC 为何把这扇窗收得更窄
- DRV-A2 — 开关四阶段:从 Vgs/Vds/Id 的逐段时序,推到开通/关断损耗为何是一块"电压-电流重叠面积"
- DRV-A1 — 栅极电荷与驱动电流:为什么开关是一道电荷搬运题,以及 Miller 平台为何是整个开关过程的核心瓶颈
- AUX-B4 — 隔离反馈:为什么误差信号跨隔离障这一步,同时决定了稳压精度、环路带宽与成本,三者互相咬死
- AUX-B3 — 磁复位铁律:伏秒平衡为何是一切隔离拓扑的总宪法,以及 4 类拓扑各用什么招数把磁通清零
- AUX-B2 — 软开关进阶:为什么 ACF、两管正激、LLC 各自只在一段功率/电压/效率里成立
- AUX-B1 — 反激(flyback):为什么最小隔离拓扑的全部设计,都在收拾"一颗磁件干两件冲突的活"的后果
- AUX-A3 — 储能与涌流:同一颗 bulk cap 的两个对立使命,以及它为什么是 ECU 最被忽视的单点失效
- AUX-A2 — 12V 输入瞬态三考题:Cranking / Load Dump / Reverse Polarity 各考哪一根物理轴,以及为什么它们必须被一起解
- AUX-A1 — ECU 供电链全景:为什么 MCU 不能直接吃 Vbat,以及那条供电链每一级在补什么差
- 每日深讲 — 专家养成课程索引
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- SVG 字号网格存量债(svg-font-scale)
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个人成长 / 思维 / 判断 / 学…
个人成长 / 思维 / 判断 / 学习
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- 精力管理 — 注意力账户 × 能量系统 × 深度工作节奏
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- 财富账户 — 主业现金流 × 长期复利的双引擎系统
- 辩论与谈判 — 分歧下的说服与达成
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- 问题发现与框定 — 选对题、换对 frame(比解题更上游)
- 间隔重复 × 检索练习 — 让记忆持久的两根支柱
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- A 股 / 美股 / 港股 — 三市场机制对比手册
- AD-AS + 货币/财政政策 + 菲利普斯曲线
- Alphabet (GOOG/GOOGL) — AI 时代的"二元挑战者"
- Amazon 2023 股东信解读 — Jassy 时代的第二年
- Apple (AAPL) — 最大消费科技公司
- ASML — 全球唯一的 EUV 光刻机厂商
- Berkshire Hathaway (BRK) — 长期价值的活样本
- Broadcom（AVGO）— AI ASIC 之王 / 网络垄断 / VMware 软件 / 收购整合典范
- Buffett 合伙人信 1957–1969 — 价值投资的原始操作手册
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- Dalio《Principles》— 决策原则体系（投资视角）
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- 信贷周期 — BIS 信用缺口 / 私人债务 / 利差 / 系统性风险预警
- 做空策略 — 融券 / Put / 浑水式 / Short Squeeze / Pair Trading
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- 全球宏观投资 — Soros / PTJ / Druckenmiller / 反身性
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- 期权策略大全 — 收入 / 对冲 / 方向 / 波动率 / Wheel / LEAPS
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