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Work（483）
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默认 / 功率电子 / 汽车电子 / 半导体
🏠 入口（3）
📖 主题页（352）
- 12V 辅助电池监测深度 — SOC / SOH + Battery Monitor IC
- 3-Level NPC / TNPC 拓扑 — 栅极驱动配置与短路保护
- 4-Switch Buck-Boost 四开关升降压变换器
- 48V Mild Hybrid PDN 深度 — 双电压架构 + LV148 标准
- 6 厂商车规 driver IC 选型横评 — TI / Infineon / ADI / Rohm / Onsemi / Toshiba
- 8D 问题解决方法（Eight Disciplines）
- Accellera FS Data Model — FMEDA 跨供应链数据互换
- Active Gate Driving 深度 — SiC 主驱降损耗下一代方案 + 4 类 + 50 kW Pareto worked
- ADC 与混合信号设计
- ADC 应用精度:噪声源 / 源阻抗 / 采样时间 / PCB 布板
- ADI ADBMS6830 BMS AFE 工程化 — 16 节 / 双 ADC 同步冗余 / isoSPI Ring / ASIL D 路径
- AEC-Q 车规认证
- AEC-Q101 车规分立半导体认证
- AEC-Q104 车规多芯片模块认证
- AEC-Q200:被动元件车规认证
- APQP 先期产品质量策划
- ASIL D 扭矩安全设计（Torque Safety）
- ASIL 分解 — Part 9 §5 规则 + EV 主驱实例
- ASIL 分解(ASIL Decomposition)
- ASPICE Capability Level 评分实操
- ASPICE VDA Scope 16 PA 详解
- AURIX TC3xx — Infineon ASIL D MCU 案例(对照 MPC5744P)
- Automotive Auxiliary Power Supply DC-DC Converters
- Automotive SPICE（ASPICE）— 汽车软件流程评估
- AUTOSAR E2E + SecOC 通信安全（CAN E2E and SecOC）
- AUTOSAR Safety BSW 深度 — WdgM / SafetyOS / E2E / MPU 协同
- Axial Flux Motor 轴向磁通电机
- Balogh 栅极驱动经典理论 — One-stop 设计框架
- BMS 全栈 — 5 块功能 + 系统架构 + 量产决策树
- BMS 功能安全（Battery Management System Safety）
- Bootstrap Circuit 自举供电
- Bulk Cap 选型深度 — Polymer / Aluminum / MLCC 5 维对比
- BV (Build Verification) 试制验证
- CAN / CAN FD / LIN 总线（Automotive Bus Protocols）
- CCM / DCM / BCM 工作模式分析
- Cell Balancing 电池均衡
- CISPR 25 Class 5 传导发射 — 限值阶梯 × π-filter 设计
- CISPR 25 车载 EMI 发射
- CMTI 深度 — 共模瞬变物理 + 测试 + 量产 fail 调查
- Compensator Design 补偿器设计 (Type-2 / Type-3)
- Confirmation Measures (CM) — I0-I3 + DIA + FSAR
- Confirmation Measures 安全评审 / 审计 / 评估
- Cranking Robustness 深度 — Vbat 6V dip ECU 不许 reset
- CSR 客户特殊要求
- DAB 双有源全桥 — 双向能量路由的标准方案
- DAB 软开关边界 — Phase Shift / ZVS 区域 / EPS / TPS
- DC Link 电容选型深度 — 薄膜 vs 电解 / 纹波 / ESR / 寿命
- DC-Link 直流母线电容设计
- DC/DC 拓扑对比 — 选型决策框架
- Dead-time Tuning 深度 — 桥臂 DT 选取 + SiC vs IGBT 取值
- DESAT Protection — 栅极驱动器集成的去饱和检测
- DESAT 保护设计深度 — 短路类型 I/II + blanking + C_blank/V_DSAT 选型 + SiC SCSOA 余量
- DFA / FMEDA / FTA — 功能安全三种核心分析方法
- DIA 写作工程化深度 — 8 章模板 + RACI + SEooC AoU + Confirmation 共担
- Diagnostic Coverage(DC)类别 — None / Low / Medium / High
- Driver IC FMEDA worked example — 6-pack SiC 主驱 SPFM/LFM/PMHF + 7×6 DFI 矩阵
- Driver IC Safety Manual — 怎么找 / 怎么看 / 5 个 quick check
- Driver IC 选型决策 深度 — 5 维 FOM + 决策树 + 3 场景 worked
- Driver Propagation Delay Matching 深度 — channel skew 影响 dead-time
- Driver Protection 全栈 — 8 大主题 + 设计链路
- Driver Short Pulse Propagation 深度 — narrow PWM 通过 driver 失真
- Driver Soft Turn-Off 设计 — TLTO 时序数学 + 反向击穿余量
- Driver Supply Ripple/Noise 深度 — Isolated +15V/-3V 预算
- Driver UVLO 深度 — 双轨阈值 + 上下电时序 + 主流 IC 参数
- Driver Vee 负偏深度 — SiC / IGBT / GaN 取值 + 物理意义
- Driver 隔离技术深度对比 — Cap / Magnetic / Opto
- DTC vs FOC — 控制结构 / 转矩响应 / 量产现状
- DV 与 PV（Design / Production Validation）
- e-GAS 三层监控架构 — Powertrain / EV 的 ASIL-D 骨架
- Electro-Thermal Simulation — SPICE 联合仿真 Tj 演化
- EMC 与绝缘配合
- EMI Filter 深度 — DM / CM 分滤 + CISPR 25 限值
- EMI 滤波器设计 — CM / DM 滤波 + π-CLC 拓扑
- Engineering Copilot — wiki 之上的对象 / 关系层
- ESD 防护系统级 — HBM / CDM / IEC 61000-4-2 与防护策略
- ESD/EMC PCB 设计指南 — 从波形频谱到 layout 落地
- EV ECU FMEDA 总集成深度 — 三链合并 + B(D)+B(D) + Safety Case GSN worked
- EV 上下电系统级 FSM 深度 — 三方协同 + 6 状态 + handoff 安全契约 + worked
- EV 主驱(800V SiC)全栈设计决策树 — 从器件到系统的整合
- EV 功能安全开发 — 流程串联与三大 SG 协同
- EV 法规区域差异 — 出口 checklist 与常见误区
- EV 组件技术 / 产品路线图 Hub — gate driver / SBC / MCU / sensing / power devices
- Fail-Operational Architecture — L3 量产实战 + 6 相双绕组 + DREHB
- Fail-Operational 架构 — 单故障下不中断的系统设计
- Fault Injection Test (FIT) — 5 类故障 + SPFM/LFM 实测证据
- Fault Injection Testing — 安全机制有效性的唯一硬证据
- Fault Injection 实战案例 — 8 类典型 SM 的 Campaign 设计
- Fault Tree Analysis (FTA) 深度 — top-down 安全分析
- FIT / FMEDA 工程化计算 — 从元件数据到 SPFM/LFM/PMHF
- Flyback Converter 反激变换器
- Flying Capacitor Multi-Level Buck (FCML)
- FMEA 方法论（DFMEA / PFMEA / FMEDA）
- FMEA（失效模式与影响分析）实用指南
- FMEDA 深度 — SPFM / LFM / PMHF 数学 + DC + Coffin-Manson
- FOC 磁场定向控制 — 三环结构、Park/Clarke 变换与弱磁策略
- Forward + Half-bridge AUX 拓扑深度 — 30 W–1 kW 隔离段的复位 / 对称磁化 / 选型
- Forward Converter 正激变换器家族
- FPGA 与数字设计
- FPGA 设计流程 — HDL 综合到位流
- Freedom from Interference(FFI)— 共存元素互不污染的工程实现
- FSAR 深度 — Functional Safety Assessment Report + I3 评审
- FSM — Functional Safety Management 实务
- FSR / TSR 写作工程化深度 — 8/10 字段模板 + 双向 traceability + 5 反模式
- FTTI 时间预算分解 — 从故障发生到 safe state 的微秒级账本(FDTI + FRTI ≤ FTTI worked example)
- GaN Power Stage Design GaN 功率级设计
- GaN 器件（Gallium Nitride Power Devices）
- Gate Driver IC 选型决策表 - 2026 EV 主驱 Roadmap 与关键参数对比
- Hairpin Winding 发卡绕组
- HALT / HASS 高加速寿命试验与筛选
- HARA Worked Example 深度 — 主驱意外加速 → ASIL D 全流程
- HARA — Hazard Analysis & Risk Assessment
- HSI Document 写作工程化深度 — 12 章模板 + timing/shared-resource 双向追溯 + 5 反模式
- HSI — Hardware-Software Interface 文档
- HV Active Discharge — ECE R100 5 秒安全 + 电路设计
- HV Busbar 设计深度 — 寄生 L / 共模 / EMC / 机械应力
- HV Pre-charge 高压预充 + 主接触器
- HV 主驱逆变器 ISO 26262 安全概念:从 SG 到 TSC 到 FMEDA
- HV 电压采样的功能安全诊断（Voltage Sensing Diagnostics）
- HV→12V Flyback 深度 — 变压器 / Snubber / 同步整流 / PSR
- IATF 16949 汽车质量管理体系
- IEC 60664-1 Edition 3.0:绝缘配合的完整方法论
- IEC 61508 概览:SIL 等级、失效分类、安全生命周期
- IEC 61800-5-2 — PDS-SR 工业 motor drive 8 个安全功能
- IGBT 技术
- IGBT 模块 datasheet — 应用层(短路 / 热 / FWD / NTC / 选型)
- IGBT 模块 datasheet 关键参数详解
- IGBT 结构演进 — PT / NPT / FS / Trench
- IMD 绝缘监测设备
- Inductor Design 电感设计
- Infineon AURIX TC3xx 功能安全工程化 — TriCore 1.6P / 3-Lockstep / SMU+FCCU / OPTIREG 配对 / ASIL D 整链
- Infineon OPTIREG TLE9243QK 安全 PMIC 工程化 — AS-PMIC / WWD+FWD / Active RPP / HS-Driver / AURIX ASIL D 路径
- Inverter ASIL D 端到端实现案例（Torque Safety + No Thermal Incident）
- ISO 11452 车载抗扰度测试
- ISO 15118 V2G + Plug & Charge
- ISO 16750 环境条件测试
- ISO 21448 SOTIF — 预期功能安全
- ISO 21448 SOTIF — 预期功能安全深度
- ISO 26262 V-cycle 全栈 — Part 2-9 work product hub
- ISO 26262 硬件要素三类分类
- ISO 26262-10(2018)应用指南:与 IEC 61508 关系 / SEooC 用例 / PMHF 解释
- ISO 26262-11(2018)半导体细化:IC 供应商工作产品交付指南
- ISO 26262-2(2018)管理层细化:Safety Lifecycle / 安全文化 / 确认措施
- ISO 26262-3(2018)概念阶段细化:Item Definition / HARA / FSC
- ISO 26262-4(2018)系统层细化:TSC / HSI / 集成 / Safety Validation
- ISO 26262-5(2018)硬件层细化:故障分类、SPFM/LFM/PMHF 推导
- ISO 26262-6(2018)软件层细化:HSI / 架构 / 单元 / 集成 / 测试
- ISO 26262-7(2018)量产层细化:Production / Operation / Service / Decommissioning
- ISO 26262-8(2018)支持过程细化:Tool Qualification / TCL / 配置 / 变更
- ISO 26262-9(2018)ASIL 分析细化:分解规则 / 共存 / DFA / 安全分析
- ISO 7637 传导瞬态干扰
- ISO/SAE 21434 — 汽车网络安全工程
- ISO/SAE 21434 — 汽车网络安全深度
- Isolated Push-Pull — SiC 栅极电源主流拓扑
- L6390 半桥栅驱 — Features & Applications
- LFDT 深度 — Latent Fault Detection Time + MPF 演化
- LFPAK MOSFET 热设计 — 4 个封装 + PCB layout 全栈
- LLC 谐振变换器 — 半桥 LLC 设计要素
- Load Dump 深度 — ISO 7637-2 Pulse 5b 87V/400ms
- Lockstep Core 深度 — dual-CPU + comparator (ASIL D 必备)
- MC33907/08 安全 SBC 硬件设计指南
- MCU + SBC 配对实现 ASIL D:MPC5744P + MC33907/08 集成案例
- Miller Clamp 深度 — Passive vs Active 选型
- MISRA-C 2012 深度 — 156 规则 + ASIL D 强制 + Deviation 流程
- MOSFET Gate Charge 与开关时间 — 用 datasheet 三参数算
- MOSFET SOA — 工程实战与图解法
- MOSFET VGS-th / VGS-max 选型方法论 — 栅极氧化层可靠性
- MOSFET 半桥双脉冲测试 — 把动态损耗 / 过冲 / EMC 风险钉死
- MOSFET 安全工作区(SOA)与线性模式
- MOSFET 寿命预测 SPICE 集成 — averaged 电热 + aging + lifetime 闭环
- MOSFET 技术
- MOSFET 损耗五分量分解 — 导通 / 开关 / Coss / Qrr / 驱动
- MOSFET 数据手册解读(How to Read a Power MOSFET Datasheet)
- MOSFET 栅极电阻选型 — Rg Impact on Applications
- MOSFET 雪崩耐量(Avalanche Ruggedness)
- MPC5744P + MC33907/08 集成 — ASIL D 完整 case study
- MSA 测量系统分析
- MTPA / 弱磁数学深度 — 电压椭圆 + 电流圆 + MTPA 曲线
- Multi-phase Interleaved Buck 多相交错 Buck
- NXP FS65 安全 SBC 架构工程化 — Fail-Silent / Q&A WD / 5 SMPS / ASIL D 路径
- OTS (Off-Tool Samples) 工装样件
- PCMC Buck 控制环路设计:电流环 / 电压环 / 斜率补偿
- PEU 全流程交付物清单
- PEU 开发流程与测试矩阵（Power Electronics Unit）
- PEU 法规体系
- PFC 功率因数校正 — 拓扑代际、控制策略与 EV 主流方案
- PI 控制环路设计方法论 — 带宽 / 裕度 / 极点配置
- POR Sequencing 深度 — 多 rail 上电 + Brown-out 检测
- Power Module 热设计 — Tj 链 / 双面散热 / Silver Sintering / 热网络
- PPAP 与汽车零部件开发阶段
- PSFB 移相全桥 — ZVS 实现、控制时序与工程陷阱
- PWM Spread Spectrum 深度 — 三角 / PRBS / EMI dB 收益
- Resolver / Encoder / Sensorless — 位置传感 3 选 1
- Resolver / RDC — EV 主驱位置传感的工业标准
- Resolver 解算深度 — 信号链 / 解算 IC / 校准 / PCB
- Reverse Polarity 保护深度 — Schottky / P-MOS / N-MOS Smart Switch
- ROHM 第 4 代 SiC MOSFET 特性与电路设计要点
- SafeState Manager + 二级保护 — 软件 + 独立硬件双 (B(D)+B(D)) 实现 ASIL D
- Safety Assessment / Audit / Confirmation — 三层独立检查
- Safety Case GSN tree 写作工程化深度 — 7 步 SOP + 5 defeater 修法 + Confidence Argument
- Safety Case — 安全案例 / 安全论证
- Safety Manager / Anchor / Engineer 深度 — ISO 26262 三角色 + RACI
- Safety Manual 写作模板 — IC Supplier 给客户的合规交付物
- Safety Manual 写作模板深度 — SEooC 供应商视角 + 12 章 + AoU/IR 接口契约
- Safety Plan 写作工程化深度 — 10 章模板 + Milestone + RACI + Confirmation Strategy
- Safety Validation — 整车级安全确认
- SAR ADC 前端运放驱动设计
- SBC / 伴随 IC（System Basis Chip）
- SBC Watchdog 深度 — Simple / Window / Q&A + MCU 协同
- SBC 多 rail 上电时序 — 数学 + Latch-up 防护
- SEooC — Safety Element out of Context
- SEooC — Safety Element out of Context 工程实战深度
- Short Circuit Protection — 3 类短路 + 完整保护链
- Si / Si IGBT / SiC MOSFET / GaN 选型决策树
- Si / SiC / GaN 功率器件横向对比
- SiC MOSFET 体二极管双极退化（Bipolar Degradation）— Vf/Ron 单调漂移与堆垛层错扩展
- SiC MOSFET 商用品如何兑现材料红利 — 工艺与产品代际
- SiC MOSFET 并联设计
- SiC MOSFET 栅压振荡抑制 — Rg vs Cgs 实测对比
- SiC MOSFET 物理紧凑模型 — 为什么 Si SPICE 不够用
- SiC MOSFET 驱动回路参数对开关瞬态的影响
- SiC MOSFET 驱动高级功能 — AMC / DESAT / Two-level Turn-off / 同步整流
- SiC vs GaN — 物理参数 / 应用 / 量产 trade-off
- SiC 功率模块 datasheet 解读
- SiC 功率模块 datasheet 速读（上篇：参数体系）
- SiC 器件（Silicon Carbide Devices）
- SiC 并联设计 + 短路保护时序预算工程化 — 1Ω source / Symmetric Layout / 250-500ns SC detection
- SiC 离散 MOSFET PCB layout 工程化 — Device / Sub-circuit / System 三级
- SiC 驱动专项 — CMTI / 负压 / Vth 漂 / 强电流
- SMT 三明治工艺详解
- SN 29500 — Siemens 元件失效率预测标准
- Snubber Circuits 缓冲电路
- SOA SPICE Wrapper — 在仿真中捕获 hot-cell 热不稳定
- SOC EKF 深度 — 状态方程 / OCV 模型 / 调参 / 收敛性
- SOC Estimation 电池 SOC 估算
- SPC 控制图详解（Statistical Process Control）
- SPICE MOSFET 模型层次 — Level 1/2/3 vs BSIM vs EKV vs PSP
- Spread Spectrum 频谱抖动 EMI 抑制
- ST STGAP4S 高级隔离 gate driver — 集成 ADC + Flyback + ASIL D 三件套
- STL / BIST — 运行时自测体系(LBIST / MBIST / ABIST / STL)
- STPA — 系统理论危害分析(HARA 的互补方法)
- STPA 深度 — STAMP/CAST 三件套 + UCA 14 类 + ISO 26262 整合
- SVPWM 深度 — 数学 / 7 段 / DPWM / 死区
- Synchronous Rectification 同步整流
- TI BQ40Z80 单芯片电池包管理器 — Impedance Track 电量计 / 集成保护 / SHA-1 认证(2S–6S 小型包)
- TI BQ79616-Q1 BMS AFE 工程化 — 16 节监测 / 平衡 / Daisy-chain / ASIL D 路径
- TI Hercules TMS570 / RM48 安全 MCU 工程化 — Cortex-R5F lock-step / CCM-R5 / ESM / SafeTI / ASIL D 路径
- TI LM5180-Q1 65V wide-Vin PSR flyback 深度 — 原理 / 家族 / 设计 / 量产坑
- TI UCC5870-Q1 30A SiC/IGBT 隔离 gate driver — TI 内部高端旗舰拆解
- Tool Qualification — TI / TD / TCL / TQL 推导 + 主流工具评估
- Tool Qualification 工具鉴定
- Transformer Design 变压器设计
- TSC 技术安全概念 + DIA 开发接口协议
- TVS 应用设计:Uni vs Bi-directional / Common Mode / Back Drive
- VCU 整车控制器全栈 — ECU 协同 + 通讯 + 安全 + 量产决策
- VDA 6.3 过程审核
- Vge Ringing 深度 — turn-on/off 振铃 + Vgs_max 击穿
- Vienna Rectifier / 三相 PFC
- VW 80000 大众集团电气测试标准
- Wireless Power Transfer 无线电能传输
- 三相 PFC 深度 — 6-Switch / Vienna / T-NPC + dq 解耦
- 三相电流采样的功能安全诊断（Current Sensing Diagnostics）
- 三相系统与 Clarke/Park 变换 — 把 AC 控制变成 DC 控制
- 三相逆变器调制策略 — SPWM / SVPWM / DPWM 与死区补偿
- 两类失效 — 随机 vs 系统性
- 主驱工程师 7 层学习路径 — wiki 130+ 页全索引
- 二极管导通损耗 — V_T0 / R_D 两点法 + 4 种波形 + 温度依赖
- 位置传感器（Position Sensing）
- 位置传感的功能安全诊断（Position Sensing Diagnostics）
- 低压辅助电源深度 — HV 取电 / 12V 母线 / SBC / 隔离栅极电源
- 保护器件（TVS / ESD / 过压保护）
- 充电桩全栈 — Grid → DC 快充 (350kW)
- 先进封装 hub — SiC 功率模块封装技术栈(die-attach / 基板 / 互连 / 冷却)
- 共因失效 (CCF) — DFA 量化 + lockstep 三重缓解 + 反模式
- 冗余架构与投票表决 — 1oo2 / 2oo3 / lockstep
- 冷却系统设计 — 液冷 / 油冷 / TIM / 微通道
- 功率 PCB 设计
- 功率模块 Die-Attach — 银烧结(Ag Sinter)vs 扩散焊(TLPS)vs 焊料:SiC 200℃ 时代的芯片连接命门
- 功率模块互连 — 铝线键合的极限与平面互连(Cu clip / Infineon .XT / Semikron SKiN / Danfoss DBB)
- 功率模块全栈 — 拓扑 / 工艺 / 散热 / 寿命 / 主流供应商
- 功率模块双面冷却 (DSC) — spacer 夹心 / Rth 减半 / 主驱量产结构
- 功率模块封装（Power Module Packaging）
- 功率模块陶瓷基板 — DBC vs AMB(Si3N4)vs IMS:为什么 SiC 主驱集体转向氮化硅
- 功率电子学（Power Electronics）
- 功率电子行业趋势（2026 起 10 年视角）
- 功能安全工具链 — Polarion / IQ-FMEDA / Vector / dSPACE 对比
- 功能安全工程师指南 — V-cycle + 8 大深度主题
- 功能安全芯片选型考量
- 功能安全（Functional Safety）
- 半导体器件物理
- 基础元件工程选型专题（电阻 / 电容 / 二极管 / 三极管 / 信号 MOS / 隔离）
- 多通道驱动 IC 热设计 — cross-coupling 与 MOR 模型
- 失效模式综合速查表（FMEA Quick Reference）
- 安全机制目录(Safety Mechanism Catalog)
- 工业 vs 汽车功能安全:标准对照、STO 实现、架构差异
- 控制计划 (Control Plan, CP)
- 整车 E/E 架构（Electrical/Electronic Architecture）
- 栅极驱动保护链 — DESAT + Miller + Soft Turn-Off + STO + ASC
- 栅极驱动入门 — 从 MOSFET 到 Gate Driver IC 的最短路径
- 栅极驱动基础(SEMIKRON 整合版)— Topology / 时序 / Sizing / Layout
- 栅极驱动电流定量设计 — / / 平台峰流 / 最小脉宽
- 栅极驱动的功能安全诊断（Gate Driver Safety）
- 栅极驱动（Gate Driver）
- 比较器与信号调理（Comparator & Signal Conditioning）
- 汽车 SiC 三电平 + 嵌入式功率模块 — 800V 主驱的协同前沿
- 汽车微控制器（Automotive MCU）
- 汽车电子（Automotive Electronics）
- 汽车电源输入瞬态防护深度 — ISO 7637-2 / ISO 16750-2 脉冲全谱 + TVS 选型方法学
- 汽车网络（CAN-FD / CAN-XL / Automotive Ethernet / TSN / SOME-IP）
- 温度采样的功能安全诊断（Temperature Sensing Diagnostics）
- 热安全（Thermal Safety）
- 热管理（Thermal Management）
- 特殊特性（Special Characteristics）
- 状态观测器与无传感器 FOC — Luenberger / SMO / Kalman / HFI
- 电动汽车标准详解（EV Regulations & Standards）
- 电机控制（Motor Control）
- 电流传感器（Current Sensing）
- 电源设计（Power Supply & LDO/Charge Pump）
- 电荷泵 (Switched-Capacitor Converter)
- 电路仿真工具（Circuit Simulation）
- 直接转矩控制(DTC)— 与 FOC 的本质差异
- 瞬态热阻抗 Z_th(t) — 脉冲功率热设计
- 硬件要素评估方法论
- 磁芯（Magnetic Core）
- 纳芯微功能安全产品概览
- 续流二极管续流瞬态反向恢复电压尖峰机理
- 英飞凌 2000V CoolSiC™ MOSFET 模块（F4-6MR20W3M1H-B11）
- 车载 OBC 全栈 — 双向 11kW + V2G + ISO 15118
- 车载充电机（OBC）与高压 DC/DC
- 软件功能安全 ASIL D（Software Functional Safety）
- 软开关基础 — ZVS / ZCS / 缓冲电路与硬开关边界
- 辅助电源 CISPR 25 辐射发射(RE)深度 — 30 MHz–6 GHz + 6 大辐射源 + 50 kW worked
- 辅助电源 FMEDA + DFA 深度 — AUX 链 SPFM/LFM 量化 + 7 类 DFI 实战
- 辅助电源 Inrush / Soft-start 控制深度 — 上电涌流抑制 + 3 种方案 + ASIL D DFA
- 辅助电源 PCB Layout + 散热深度 — 隔离 DC-DC 物理实现的 5 条硬约束
- 辅助电源 POL DC-DC 选型决策深度 — 板内 rail 网络 7 拓扑 + EV PEU 10 路 worked example
- 辅助电源 Sleep / Wake-up 深度 — Iq 预算 + 状态机
- 辅助电源全栈 — Vbat 入口 → ECU 上电流路 + 8 大主题
- 辅助电源变压器设计（Auxiliary Supply Transformer）
- 运放电路 Cookbook（Op-Amp Application Catalog）
- 运放电路速查 — 高级应用 (Advanced Circuits)
- 运放负反馈稳定性 — 波特图与相位裕度
- 运算放大器与模拟设计（Op-Amp & Analog Design）
- 逆变器栅极驱动 IC（Inverter Gate Driver）
- 陶瓷电容（Ceramic Capacitors）
- 隔离式放大器选型工程化 — 三步走(隔离级别 / 高侧供电 / 输入范围)
- 隔离式正激变换器反馈回路分析
- 隔离技术（Isolation Technology）
- 隔离电压采样 — HV 母线 / 桥臂电压 / 电池单体的工程方案
- 隔离电流采样 — Shunt+Sigma-Delta vs Hall vs 磁通门工程选型
- 驱动 PCB 布局 — Kelvin Source / Gate Loop / 隔离障
- 高侧开关及控制器（High-Side Switch）
- 高压安全（HV Safety）
📎 公众号/网页剪藏（8）
📅 每日 daily（38）
- 每日复习 — 2026-05-10
- 每日复习 — 2026-05-09
- 每日复习 — 2026-05-08
- 每日复习 — 2026-05-07
- 每日复习 — 2026-05-06
- 每日复习 — 2026-05-05
- 每日复习 — 2026-05-04
- 每日复习 — 2026-05-03
- 每日复习 — 2026-05-02
- 每日复习 — 2026-05-01
- 每日复习 — 2026-04-30
- 每日复习 — 2026-04-29
- 每日复习 — 2026-04-28
- 每日复习 — 2026-04-27
- 每日复习 — 2026-04-25
- 每日复习 — 2026-04-21
- 每日复习 — 2026-04-20
- 每日复习 — 2026-04-19
- 每日复习 — 2026-04-18
- 每日复习 — 2026-04-17
- 每日复习 — 2026-04-16
- 每日复习 — 2026-04-15
- 每日复习 — 2026-04-14
- 每日复习 — 2026-04-13
- 每日学习卡片 — 2026-04-12
- 每日学习卡片 — 2026-04-11
- 每日学习卡片 — 2026-04-10
- Daily 学习卡片
- Daily — 2026-05-24
- Daily — 2026-05-23
- Daily — 2026-05-21
- Daily Review Card — 2026-05-20
- Daily Review Card — 2026-05-19
- Daily Review Card — 2026-05-18
- Daily Review Card — 2026-05-17
- Daily Review Card — 2026-05-16
- Daily Review Card — 2026-05-15
- Daily Review Card — 2026-05-14
🗓️ 每周 weekly（4）
🩺 审计 audits（20）
- System Content Health — 2026-05-29
- Probe 待补内容清单 — 2026-05-25
- Frontmatter 迁移 needs-review 清单 — 2026-05-24
- 跨页数值矛盾候选 — 2026-05-20
- AI Ask 质量评测 — 2026-05-29
- 架构 audit — 2026-05-28
- 存量内容密度体检 — 2026-05-24 (v2 修正版)
- Wiki Drift Audit — 2026-05-20
- Weekly Wiki Audit — 2026-05-14
- Wiki Drift Audit — 2026-05-04
- Wiki Drift Audit — 2026-05-03
- System State Audit — 2026-05-02
- Wiki Drift Audit — 2026-05-01
- Wiki Drift Audit — 2026-04-27
- Wiki Drift Audit — 2026-04-20
- Wiki Drift Audit — 2026-04-19
- Wiki Drift Audit — 2026-04-18
- Wiki Drift Audit — 2026-04-15
- Wiki Drift Audit — 2026-04-13
- Wiki Drift Audit — 2026-04-11
📰 订阅 feeds（34）
- Daily Feed Digest — 2026-05-14
- Daily Feed Digest — 2026-05-15
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